Полупроводниковый прибор

Авторы патента:

H01L29/04 - отличающиеся кристаллической структурой, например поликристаллическая структура с кубической решеткой, с определенной ориентацией кристаллической плоскости (с дефектом кристаллической решетки H01L 29/30)

1,639362

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 19.05.76 (2!) 2361481/18-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.07.79. Бюллетень № 28 (45) Дата опубликования описания 30.07.79 (51) М. Кл.2

Н 01L 29/04

Государственный комитет (53) УДК 621.382 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

Б. С. Лисенкер, И. Е. Марончук и 1О. E. Марончук (71) Заявители

Институт физики полупроводников Сибирского отделения

АН СССР и Новосибирский государственный университет

* (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР (»., »

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению, в частности к устройствам для выпрямления электрического тока, и может быть использовано при производстве полупроводниковых высоковольтных силовых выпрямителей.

Известны полупроводниковые приборы, используемыс для выпрямления переменного электрического тока (1).

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является полупроводниковый прибор на основе р вЂ” n-структуры (2).

Свойство известных устройств выпрямлять переменный электрический ток обусловлено тем, что сопротивление р вЂ” и-структуры сильно меняется при изменении мощности напряжения, прикладываемого к ри и-областям р вЂ” n-структуры.

Однако в известных полупроводниковых приборах имеются краевые токи утечки, которые приводят к снижению пробивного напряжения.

Цель изобретения вЂ” уменьшение краевых токов утечки и увеличение пробивного напряжения.

Это достигается тем, что в полупроводниковом приборе на основе р вЂ” и-структуры по крайней мере одна из областей структуры выполнена на основе варизонного по

2 площади полупроводника с наибольшей шириной запрещенной зоны по периферии структуры.

Устройство работает следующим обра5 зом.

При приложении переменного напряжения к р- и и-областям р вЂ” n-структуры происходит выпрямление электрического тока.

Уменьшение краевых токов утечки и повы1о шение пробивного напряжения достигается тем, что неосновные носители заряда в варизонной области структуры смещаются встроенным электрическим полем, образованным изменяющейся шириной запрещен15 ной зоны в варизонной области, от периферии р вЂ” и-перехода к центральной области р вЂ” и-структуры. Следовательно неосновные носители в варизонной области р вЂ” и-структуры не участвуют в образовании краево20 го тока утечки.

Величина напряженности встроенного электрического тока достигает 102вЂ”

10 В/см.

Формула изобретения

Полупроводниковый прибор на основе р вЂ” n-структуры, отличающийся тем, что, с целью уменьшения краевых токов утечки и увеличения пробивного напряже30 ния, по крайней мере одна из областей

639362

Составитель Г. Шкердин

Техред А. Камышникова

Корректор Л. Орлова

Редактор Т. Колодцева

Заказ 1777/4 Изд. Ке 469 Тираж 923 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 структуры выполнена на основе варизонного по площади полупроводника с наибольшей шириной запрещенной зоны по периферии структуры.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. М., «Сов. радио», 1969.

2. Ситник Н. М., Шурупов Н. В. Силовые

5 кремниевые вентильные блоки. М., «Энергия», 1973.

Высоковольтный диод с резким восстановлением обратного сопротивления // 1581149

Изобретение относится к полупроводниковой импульсной технике, а именно к полупроводниковым приборам для формирования высоковольтных перепадов напряжения наносекундного диапазона

Графеновое устройство и способ его изготовления // 2511127

Изобретение относится к электронному графеновому устройству. Гибкое и поддающееся растяжению, пропускающее свет электронное устройство содержит первый графеновый электрод, второй графеновый электрод, графеновый полупроводник и управляющий графеновый электрод, расположенный между первым и вторым графеновыми электродами и находящийся в контакте с графеновым полупроводником. Каждый из упомянутых электродов имеет пористый графеновый слой, имеющий множество пор, причем каждый из упомянутых электродов имеет пористый графеновый слой, и источник электроэнергии. Графеновый полупроводник, а также первый и второй графеновые электроды сконфигурированы так, что подача тока от источника электроэнергии между первым местоположением на первом графеновом электроде и вторым местоположением на втором графеновом электроде устанавливает разность потенциалов между первым местоположением и вторым местоположением, и так, что эта разность потенциалов остается по существу постоянной при изменении первого или второго местоположения. Технический результат заключается в повышении подвижности носителей заряда, обеспечении баллистического переноса, повышении плотности тока и удельной теплопроводности, а также в возможности управлять электрическими свойствами устройства. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 3 ил.

Способ получения циклопропановых производных фуллеренов, применение органических производных фуллеренов в качестве материалов для электронных полупроводниковых устройств, органического полевого транзистора, органической фотовольтаической ячейки, органический полевой транзистор и органическая фотовольтаическая ячейка // 2519782

Изобретение относится к способу получения циклопропановых производных фуллеренов общей формулы 2 путем нагревания немодифицированного фуллерена с тозилгидразоном в присутствии растворителя и основания. При этом процесс ведут с тозилгидразоном эфира α-кетоуксусной кислоты общей формулы 1 где в общих формулах 1 и 2 радикал R обозначает линейный или разветвленный алифатический радикал Cn, где n находится в пределах от 1 до 50; радикал R1 обозначает ароматический радикал С6; Fu представляет собой фуллерен С60 или фуллерен С70, или высший фуллерен С>70, или смесь фуллеренов С60 и С70 (суммарное содержание 95.0-99.999% по весу) и высших фуллеренов (С>70, содержание 0.001-5.0% по весу). Способ позволяет получать производные фуллеренов, содержащие в своей структуре сложноэфирную группу, непосредственно присоединенную к циклопропановому фрагменту на фуллереновой сфере, используя доступные эфиры α-кетоуксусной кислоты. Изобретение также относится к применению циклопропановых производных фуллеренов общей формулы 2 в качестве полупроводниковых материалов для электронных полупроводниковых устройств, материалов для органического полевого транзистора и материалов для органической фотовольтаической ячейки. 6 н.п. ф-лы, 13 ил., 3 пр.