Полупроводниковый переключающий элемент

Авторы патента:

H01L45 - Приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, не имеющие потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностного барьера, например диэлектрические триоды; приборы с эффектом Овшинского; способы и устройства, предназначенные специально для изготовления или обработки вышеуказанных приборов или их частей (приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; приборы с использованием сверхпроводимости H01L 39/00; пьезоэлектрические элементы H01L 41/00; приборы с эффектом отрицательного объемного сопротивления H01L 47/00)

H01L35 - Термоэлектрические приборы, содержащие переход между различными материалами, т.е. приборы, основанные на эффекте Зеебека или эффекте Пельтье, с другими термоэлектрическими и термомагнитными эффектами или без них; способы и устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; холодильное оборудование, в котором используются электрические или магнитные эффекты, F25B 21/00; измерение температуры с использованием термоэлектрических и термомагнитных элементов G01K 7/00; получение энергии от радиоактивных источников G21H)

H01L27/24 - содержащие предназначенные для выпрямления, усиления или переключения компоненты на твердом теле без потенциального барьера, на котором имеется скачкообразное изменение потенциала, или без поверхностного барьера

(19)SU(11)692443(13)A1(51) МПК ⁶ _{H01L45/00, H01L35/00, H01L27/24}(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина:

(54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано в вычислительной технике, средствах связи и устройствах автоматики и телемеханики. Известны полупроводниковые переключатели, содержащие термочувствительный элемент, размещенный в термокамере с температурой, близкой к температуре фазового перехода. Недостатком является сложность их конструкции и низкая надежность. Известен также полупроводниковый переключающий элемент, содержащий активную область, заключенную между двумя токонесущими электродами. Однако этот элемент обладает низкой надежностью ввиду того, что содержит только один канала переключения. Целью изобретения является повышение надежности элемента. Цель достигается тем, что в предлагаемом элементе активная область представляет собой матрицу, выполненную из полупроводника, стойкого к воздействию окружающей среды, в которой выращены каналы переключения из материала заданного состава. Матрица выполнена из V₂C₅, а каналы переключения из VO₂. На чертеже схематически показан описываемый полупроводниковый переключающий элемент. Элемент состоит из активной области 1 с токонесущими электродами 2 и каналов 3 переключения, выращенных в активной области. При подаче на элемент напряжения переключения он из низкопроводящего состояния скачкообразно переходит к проводящее, а при уменьшении напряжения элемент из высокопроводящего состояния переходит в состояние низкой проводимости. Надежность элемента повышается за счет того, что при его изготовлении в активной области выращено большое число каналов переключения. Кроме того, для данного переключателя исключен процесс формовки, вследствие чего он обладает значительно большей воспроизводимостью электрических параметров переключения.

Формула изобретения

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий активную область, заключенную между двумя токонесущими электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, активная область представляет собой матрицу, выполненную из полупроводника, стойкого к воздействию окружающей среды, в которой выращены каналы переключения из материала заданного состава. 2. Элемент по п.1, отличающийся тем, что матрица выполнена из V₂O₅, а каналы переключения выполнены из VO₂.

РИСУНКИ

Рисунок 1

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств, переключателей

Бистабильный переключатель с памятью // 640618

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к полупроводниковым приборам, обладающим эффектом памяти при выключенном питании

Бистабильный переключатель // 578802

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и вычислительной технике и используется при построении запоминающих устройств, переключателей

Способ изготовления переключающего прибора с памятью на основе халькогенидов // 450530

Состав для изготовления активного слоя порогового элемента // 434517

Переключатель на основе полупроводникового халькогенидного или оксидного стекла // 314460

Полупроводниковый прибор // 213194

Способ изготовления двухкаскадных микроохладителей с параллельным питанием каскадов // 690576

Способ изготовления цепочек термоэлементов // 669432

Устройство для измерения термомагнитной добротности // 661659

Входной преобразователь постоянного напряжения для усилителя постоянного тока // 618828

Многоэлектродная термопара // 589844

Термоэлектрический преобразуатель // 584365

Каскадный охлаждающий термоэлемент // 556685

Способ измерения коэффициента добротности термоэлектрических материалов и приборов // 554576

Каскадное термоэлектрическое устройство охлаждения и нагрева // 550705

Телплопроводящий мост // 521622

Бистабильный переключатель с памятью // 659034

Способ регулирования режима термоэлектрической батареи // 2100876

Термогенератор // 2113035

Термоэлектрический охлаждающий модуль // 2117362

Изобретение относится к термоэлектрическим устройствам и может быть использовано в термоэлектрических охлаждающих модулях, эксплуатируемых преимущественно в условиях многократного термоциклирования