Приспособление для устранения пересыщения раствора в аппаратах для выращивания кристаллов

 

№ 72801

Класс 12с, 2

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСТВОМ . СЬИДЕ1ЕГйзСГВУ

Н. Н. Шефталь

ПРИСПОСОБЛЕНИЕ ДЛЯ УСТРАНЕН

РАСТВОРА В АППАРАТАХ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

Заявлено 19 августа 1942 г. за ¹ 06-3-14(3169G6) в Народный комиссариат электронромыгнленности ГСГР

При выращивании кристаллов в аппаратах, обычно применяемых для этой цели, часто наблюдается местное пересыщение раствора, вызывающее образование паразитических кристаллов.

Для предупреждения возможности подобных псресыщений автор изобретения предложил специальное приспособление — увлажннтель.

Увлажнитель представляет собой сосуд с растворителем; он расположен вне кристаллизатора и соединен с ним трубкой.

Аппарат для выращивания кристаллов и расположение увлажнителя показано на чертеже.

Температура растворителя в увлажнителе 1 поддерживается воздушным термостатом 2 постоянной, что обеспечивает непрерывное увлажненне поверхности раствора паром, поступающим в течение всего процесса кристаллизации.

Аппарат дает возможность одновременного выращивания в одной емкости многих кристаллов, расположенных в пространстве раствора вдоль горизонтальных параллельных осей.

Для выращивания кристаллов предусмотрены вращающиеся затравки в виде стержней и пластин, вырезанных из кристаллов и вставленных в соответствующие углубления кристаллодержателей 3.

Предмет изобретен ия

Приспособление для устранения пересыщения раствора в аппаратах для выращивания кристаллов, о т л и ч а ю щ е е с я применением увлажнителя в виде сосуда с растворителем, расположенного вне кристаллизатора и соединенного с ним трубкой.

М 72801

Редактор А. К, Лейкина

И и()op: .t ". .Li:0 I l нО-н.";(ат(:l Iзек lll I От.". е1.

Сб-.,с.; 0,17 и, л. 3: как 4!%0.

Полн, к не н 14/ ?11-1%9 г.

" ион:,к 360 1! . я 25:< н!.

l)","; i н, ., . J l : i j ЛССЕ- .

Приспособление для устранения пересыщения раствора в аппаратах для выращивания кристаллов Приспособление для устранения пересыщения раствора в аппаратах для выращивания кристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейно-оптических эффектов

Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейнооптических эффектов
Изобретение относится к области физической и технической акустики твердого тела и может быть использовано в радиоэлектронике, автоматизации технологических процессов, материаловедении, в частности, в области практического применения пьезоэлектрических свойств кристаллов при изготовлении из них пьезоэлектрических преобразователей для приборов ультразвукового неразрушающего контроля

 // 353469
Наверх