Способ получения полупроводниковых пленок халькогенида галлия

Авторы патента:

H01L21/365 - с использованием разложения газовых смесей с выходом твердого конденсата, т.е. химическое осаждение

Способ получения полупроводниковых пленок халькогенида галлия в открытой газотранспортной системе с использованием жидкого источника галлия, включающий взаимодействие галогенсодержащего вещества с галлием, транспортирование галогенида галлия в зону роста, подачу в зону наращивания элемента VI группы потоком газа-носителя и наращивание монокристалла на подложку, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества пленок, наращивание осуществляют в системе HCl-Ga-Se-H₂ при температурах зон источников галлия и селена 400 - 600^oC и 230 - 300^oC соответственно, температуре зоны наращивания 700 - 750^oC, потоке водорода над источником селена 200 - 250 мл/мин и подаче в зону источника галлия 40 - 100 мл/мин водорода, парциальное давление HCl в котором составляет 20 - 30 мм рт.ст.

Способ формирования слоев поликристаллического кремния // 2191847

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления интегральных схем

Способ формирования диоксида кремния // 2191848

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных микросхем

Способ формирования слоев поликристаллического кремния // 2261937

Способ получения тонких пленок теллурида кадмия // 2298251

Изобретение относится к технологии эпитаксиального выращивания тонких пленок из газовой фазы

Атомно-слоевое осаждение с плазменным источником // 2584841

Изобретение относится к реакторам осаждения с плазменным источником. Установка для плазменного атомно-слоевого осаждения содержит газовую линию от источника химически неактивного газа к расширительному устройству для подачи радикалов, открывающемуся в реакционную камеру, удаленный плазменный источник, систему управления потоком газа из источника химически неактивного газа через удаленный плазменный источник к расширительному устройству для подачи радикалов в течение всего периода плазменного атомно-слоевого осаждения, реактор плазменного атомно-слоевого осаждения, выполненный с возможностью осаждения материала в реакционной камере на по меньшей мере одну подложку посредством последовательных самонасыщающихся поверхностных реакций. Обеспечивается возможность атомно-слоевого осаждения на термочувствительные подложки при очень низких температурах. 6 з.п. ф-лы, 8 ил., 1 пр.