Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзистора

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАпИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. сеид-ву (22) Заявлено 26.01.79 (21) 2717339/18-25 (51)М. Кл. с присоединением заявки №

G 01 R 31/26

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 15.11.80. Бюллетень ¹42

Дата опубликования описания 19.11.80 (53) УДК 621. 382..2 (088,8) (72) Авторы изобретения

K.Н.Лебедев, A.Н.Сыромятников, А.С.Сидоренко и Г.Г.Усачев (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛИ ИЗМЕРЕНИЯ СТАТИЧЕСКОГО

КОЭФФИЦИЕНТА ПЕРЕДАЧИ ТОКА ТРАНЗИСТОРА

Изобретение относится к области измерения параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано для дистанционного контроля и измерения параметров транзисторов при 5 их испытаниях и условиях воздействия сильных помех, Известны устройства для измерения статического коэффициента передачи тока транзистора в режиме импульсного ритания, Одно из известных устройств содержит источник импульсного напряжения, источник постоянного напряжения,эмиттерный и базовый резистоРы, усили- 15 тель и регистратор. Недостатком этого устройства является низкая точность измерения из-эа влияния неуправляемого обратного тока коллектора, создающего дополнительное падение напряжения на базовом резисторе при воздействии в процессе испытаний различных дистабилизирующих факторов (1).

Второе иэ известных устройств также содержит импульсный стабилизатор 25 тока эмиттера, базовые резисторы,управляемый источник коллекторного напЪ ряжения, усилитель импульсов, детектор и индикатор. Благодаря наличию управ-. ляемого источника коллекторного нап- Зр ряжения в этом устройстве обеспечивается более высокая точность измерения за счет компенсации падения напр яжения на базовом резисторе от неупраьляемого обратного тока коллектора (2).

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является устройство, которое содержит как и данное, источник напряжения, импульсный источник тока и базовый токосъемный резистор, соединенные линией связи с клеммами для подключения исследуемого транзистора, последовательно соединенные усилитель, конденсатор и амплитудно-временной преобразователь, причем вход усилителя соединен с базовым резистором, ключ, включенный между входом амплитудно-временного преобразователя и общей шиной устройства(3) °

Недостатком известного устройства является низкая помехоустойчивость при дистанционных измерениях,. так как на линию связи, соединяющую клемму для подключения базы транзистора с базовым токосъемным резистором могут наводиться значительной величины помехи., вызванные мощными источниками.

Целью изобретения является повьыение помехоустойчивости при дистанционных измерениях.

779940

Поставленная цель достигается тем, что в устройство введены последовательно соединенные формирователь импульсов, схема регулируемой задержки и схема И, выход которой подключен к управляющим входам импульсного ис) точника тока и амплитудно-временного преобразователя, инвертор, включенный между выходом схемы И и управляющим входом ключа и триггер, выход которого соединен со вторым входом схемы И,,один из входов — с выходом схемы И, причем другой вход триггера служит для запуска устройства, а ко входу формирователя импульсов подключен источник сигнала помехи.

На фиг. 1 представлена блок-схема предлагаемого. устройства; на фиг. 2 приведены временные диаграммы, поясняющие его работу..

Устройство состоит из источника напряжения 1, импульсного источника Я(} тока 2, включающего в себя источник напряжения 3, ключ 4 и преобразователь .напряжения в ток 5, исследуемого транзистора б, токосъемного резистора 7 в цепи базы транзистора б,,ли- д5 нии связи 8, соединяющей, исследуемый транзистор 6 с источником напряжения

1, источником тока 2 и токосъемным резистором 7; усилителя 9, выход ко торого через конденсатор 10 соединен со вхоцом амплитудно-временного преобразователя 11 и ключом 12, формирователя импульсов 13,выход которого через регулируемую задержку 14 соединен с одним входом схемы И 15 триггера 16, выход которого соединен с другим входом схемы И 15, и"инвертора 17, через который схема Й 15 соединена с управляющим входом ключа 12, кроме этого выход схемы И 15 соединен с управляющим входом амплитудно-временного пре- 40 обраэователя 12 и управляющим входом ключа 4.

На временных даиграммах фиг, 2 обозначено: вх, 13 — напряжение сигнала помехи на входе формиРователя им- 45 пульсов 13; вых. 13 — импульсы на входе формирователя 13; вых. 14 — импульсы на входе схемы регулируемой задержки 14; вых ° 15 — импульсы на выходе схемы И 15 Пуск — им" пульсы запуска, по которым проводится измерение; вых. 16 — импульсы на выходе триггера 16 Uy — напряжение на токосъемном резисторе 7, которое равняется сумме наряжений сигнала поме хи и импульсного напряжения в цепи базы транзистора 6; вх, 11 — импульсное напряжение на измерительном входе амплитудно-временного преобразователя 11.

Устройство работает следующим об- щ разом.

На вход формирователя импульсов 13 -йодается напряжение сигнала помехи или

" переменное напряжение, частота которого равна, частоте сигнала помехи (вх. 13), Формирователь импульсов 13. в момент пересечения входным напряжением нулевого значения формирует импульсы требуемой длительности, которые подаются на схему регулируемои задержки 14 (вх. 13). Перед началом измерений в схеме регулируемой задержки

14 подбирают задержку импульсов таким образом, чтобы на ее выходе импульс появлялся тогда, когда напряжение помехи меньше всего изменяется в течение всей длительности импульса (вых, 14). Задержанные импульсы подаются на первый вход схемы И 15, но через нее они не проходят.

При появлении импульса пуск триггер 16 перебрасывается в состояние 1 и на его выходе появляется напряжение, которое подается на второй вход схемы И 15, Напряжение на втором входе схемы И 15 присутствует до тех пор, пока через нее не пройдет импульс с первого ее входа (вых. 16 и вых. 15) „

С выхода схемы И 15 импульс поступает в импульсный источник тока 2 на ключ 4, На выходе импульсного источника тока формируется импульс тока, который подается по линии связи 8 в эмиттер транзистора б.

В базе транзистора 6 появляется импульс тока, который подается по линии связи 8 на токосъемный резистор 7. Однако, кроме импульса тока с базы транзистора на этом резисторе наводится напряжение помехи, которое суммируется с этим импульсом (U7) °

Суммарное напряжение с токосъемного резистора 7 через усилитель подается на конденсатор 10, который совместно с ключом 12 выделяет из суммарного напряжения импульсное, пропорциональное току базы транзистора 6. Так как в момент прохождения импульса напряжения сигнала помехи практически не изменяется, то отсутствует искажение плоской вершины импульса (вх.11), что обеспечивает высокую точность измерения статического коэффициента передачи тока транзисторов при дистанционных измерениях в условиях воздействия помех с частотой питающей испытательное оборудование сети.

Формула изобретения

Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзистора, содержащее источник напряжения, импульсный источник тока и базовый токосъемный резистор, соединенные линией связи с клеммами для подключения исследуемого транзистора, последовательно соединенные усилитель, конденсатор и амплитудно-временной преобразователь, причем вход усилителя соединен с базовым токосъемным резистором, ключ, включенный между эх >лом

779940!

О амплитудно-временного преобразователя и общей шиной устройства, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения помехоустойчивости при дистанционных измерениях, в него введены последовательно соединенные формирователь импульсов, схема регулируемой задержки и схема И, выход которой под-. ключен к управляющим входам импульсного источника тока и амплитудно-временного преобразователя, инвертор, включенный между выходом схемы И и управляющим входом ключа, и триггер, выход которого соединен со вторым

I ьходом схемы И,один иэ входов — с выходом схемы И, причем, другой вход триггера служит для запуска устройства, а ко входу формирователя импульсов подключен источник сигнала помехи.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

М 504990, кл, G 01 R 31/26, 1976.

2. Авторское свидетельство СССР

9 387305,, кл. G 01 R 31/26, 1973.

3. Авторское свидетельство СССР

М 548814, кл. G 01 R 31/26, 1977 (прототип).

Юм. 13

Юмк. О дик 14 луск Ь х, lб дфп. 75

Вк.11

Составитель Ю.Брызгалов

Редактор Н.Коляда Техред М.Рейвес Корректор О. Ковнн ская .

Заказ 9333/12 Тираж 1019 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Филиал ППП Патент, г, ужгород ул. Проектная, 4

Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзистора Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзистора Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзистора Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзистора 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим

Устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзистора

Наверх