Приемник излучения

Авторы патента:

H01L49/02 - тонкопленочные или толстопленочные приборы

Приемник излучения, содержащий рабочий элемент с вводом и выводом, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измерений, рабочий элемент выполнен в виде структуры из двух размерно-квантованных пленок толщиной , разделенных диэлектриком с коэффициентом туннельной прозрачности 10^-2 - 10^-4.

Патент 415734 // 415734

Rc-структура с неоднородными распределенными параметрами // 361474

С-структура с распределенными параметрами // 337829

Тонкопленочная rc-структура с распределенными // 282486

Способ нанесения пленок // 2102814

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ изготовления интегрального датчика // 2123220

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интегральным датчикам, использующим в качестве чувствительного элемента поликремниевые поверхностные микромеханические структуры

Полупроводниковый термопреобразователь сопротивления // 2145135

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к полупроводниковым термопреобразователям сопротивления

Способ детектирования газовых смесей // 2146816

Изобретение относится к способам анализа смесей газов с целью установления их количественного и качественного состава и может быть использовано в газовых сенсорах

Пленка из поли ( ,,,- тетрафторпараксилилена), способ ее получения и полупроводниковый прибор с ее использованием // 2218364

Изобретение относится к изолирующим пленкам, которые применяются в области электроники и электронных приборов, к процессу получения этих пленок и к полупроводниковому прибору, в котором эта пленка применяется

Пористая пленка из полипараксилилена и его замещенных, способ ее получения и полупроводниковый прибор с её использованием // 2218365

Изобретение относится к получению пористых пленок из полипараксилилена и его замещенных, имеющим низкую диэлектрическую константу и высокую термостойкость, и полупроводниковому прибору, в котором эта пленка используется в качестве изолирующего слоя

Электролюминесцентное устройство // 2295175

Изобретение относится к электролюминесцентным устройствам

Структура диэлектрической пленки, пьезоэлектрический исполнительный элемент, использующий структуру диэлектрического элемента пленки, и печатающая головка для струйной печати // 2335826

Изобретение относится к пленочным элементам и устройствам на их основе

Способ изготовления тонкопленочной микросхемы // 1816170

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве гибридных интегральных схем

Датчик теплового излучения и способ его изготовления // 2595306

Использование: для тепловой изоляции детекторов теплового излучения. Сущность изобретения заключается в том, что прибор для теплового детектирования инфракрасного излучения включает в себя пиксель на полупроводниковой подложке, пиксель включает в себя первую секцию и вторую секцию, первая секция находится на поверхности полупроводниковой положки и включает в себя электрические цепи, вторая секция отделена от первой секции и находится непосредственно над ней, вторая секция является планарной и включает в себя ножки, микро-мембрану и расположенный на ней температурный детектор, вторая секция поддерживается колоннами, одна из ножек имеет один конец интегрально соединенный с микро-мембраной и другой конец интегрально соединенный с одной из колонн, другая из ножек имеет один конец, интегрально соединенный с микро-мембраной, и другой конец, интегрально соединенный с другой из колонн, ножки обеспечивают электрическое соединение температурного детектора с электрическими цепями через соответствующие колонны и термоизоляцию температурного детектора и микро-мембраны от полупроводниковой подложки, одна из ножек включает в себя первую часть первого диэлектрического слоя, первую часть второго диэлектрического слоя, часть электропроводящего слоя, данная часть электропроводящего слоя обеспечивает вышеупомянутое электрическое соединение, первая часть первого диэлектрического слоя граничит с первой поверхностью электропроводящего слоя и первая часть второго диэлектрического слоя граничит со второй поверхностью электропроводящего слоя, первая и вторая поверхности электропроводящего слоя являются противолежащим поверхностями части электропроводящего слоя, часть электропроводящего слоя является источником механических напряжений, вызывающим напряжения растяжения в первой части первого диэлектрического слоя и напряжения растяжения в первой части второго диэлектрического слоя. Технический результат: обеспечение возможности снижения теплопроводности диэлектрических слоев. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 24 ил., 2 табл.