Тара-спутник

Авторы патента:

H01L21/77 - изготовление или обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее

Союз Сееетскнх

Социаюктических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

<и> 362271 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 020879 (21) 2816388/18-21 с присоединением заявкм ¹â€” (23) ПриоритетвЂ”

Опубликовано 070981, Бюллетень № 33 (53)М. Кл.

Н 01 l 21/70

Государстееииый комитет

СССР ао делам изобретений и открытий (53) УДК 621. 3. 049.. 75 (088. 8) Дата. опубликования описания 070981

A.Ã. Шеревеня, Б.В. Березин, И.А. Тучийскйй-"-.------.-",.=... и В.Е. Стиканов (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54).Т РА-СПУТНИ

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструированию носителей с системой выводов для интегральных схем.

Известен носитель с системой выводов, в котором кроме основных отверстий выполнены дополнительные отверстия, используемые лишь на последних операциях изготовления, в частности, при совмещении кристалла, собранного с системой выводов с монтажной панелью или печатной платой. Такое техническое решение позволяет повысить точность совмещения на последних технологических операциях (1) .

При многократном фиксировании носителей на различных технологических операциях отверстия разбиваются по диаметру, что приводит и потере точности совмещения, увеличения брака на данных операциях.

Известна тара-спутник, преимущественно для интегральных схем, в виде гибкого основания, в котором выполнены отверстия с фиксирующими выступами на стенках (2).

У этой тары тот же недостаток.

Цель изобретения вЂ” расширение функциональных воэможностей тарыспутника

Достигается тем, что в тареспутнике, преимущественно для интегральных схем, в виде гибкого осно вания, в котором имеются отверстия с фиксирующими выступами на стенках, фиксирующие выступы каждого отверстия выйолнены разновысокими, причем каждая группа одновысоких выступов образует фиксирующий контур одного размера. !

5 На фиг. 1 вЂ” тара-спутник с отверстиямиу на фиг. 2 вЂ” тара-спутник в момент фиксирования на штырь..В гибком основании из полиимид2О ной пленки с группами металлических выводов расположены по периметру отверстия. Они могут быть любой формы, например, прямоугольными и круглыми. На стенках каждого отверс25 тия выполнены разновысокие фиксирую щие выстуПы. При этом каждая группа одновысоких выступов образует фиксирующий контур одного размера.

На фнг. 1 изображена тара-спутник

ЗО,с системой выводов в виде ленты из

862271 полиимидной пленки 1 с группами металлических выводов, ограниченных на рисунке пунктирным контуром 2, и с расположенными по периметру отверстиями 3,4. Отверстия могут быть любой формы, например, прямоугольными и круглыми. Каждое отверстие имеет внутренние выступы дифференцированной длины, групны которых образуют посадочные контуры различных диаметров, соответствующие диаметру шп црей.

Фиксирующий контур диаметром d4 ограничен фиксирующими выступами 5, контур диаметром d вЂ” фиксирующими выступами 6, контур диаметром 6 в фиксирующими выступами 7., Если отверстия имеют прямоугольную форму, фиксирующие контуры образуются фиксирующими выступами 8, 9 и основанием 10.

На фиг. 2 показана тара-спутник .с системой выводов в момент повтор.наго фиксирования на штырь 11 технологической оснастки 12 по фиксирующему контуру, ограниченному фиксирующими выступами 13.Фиксирующие выступы 14, ограничивающие контур предыдущего фиксирования., отогнуты по штырю 11. При этом они защемляют .штырь.

При первоначальном фиксировании тары-спутника размер штырей соответствует. фиксирующему контуру диаметра d<. На последующих технологических операциях он увеличивается в соответствии с диаметром отверстия д, Й 3. Фиксирующие выступы, ранее ограничивающие меньшие диаметры отгибаются при установке тары-спутника с системой выводов на штырь

6oazmего д ме- ра.

Такая форма отверстий сохраняет при многократном фиксировании необходимую точность совмещения;что. в свою очередь повышает производительность труда на сборочных операциях, снижает количество брака и расширяет функциональные возможности тарыспутника.

15 Формула изобретения

Тара-спутник, преимущественно для интегральных схем, в виде гибкого .основания, в котором выполнены ото верстия с фиксирующими выступами на стенках, о т л и ч а ю.щ а я с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, фиксирующие выступы каждого отверстий выполнены разновысокими, причем каждая группа одновысоких выступов образует фиксирующий контур одного размера.

Источники информации, принятые so внимание при экспертизе

30 1. Патент CQlA 9 3868724, кл 357-68, 25.02.75.

2. Заявка Японии Р 51-3376, кл. 59 G 4,,03.02.76 (прототип).

862271

Тираж 784 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 6628/50

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель Л. Гришкова

Редактор Б. Федотов Техред M. Коштура Корректор М. Шароши

Кассета для микросхем // 851554

Устройство для сортировки микросхемпо электрическим параметрам // 828268

Изобретение относится к произ- •водству изделий электронной техникии может^быть использовано для сортировки микросхем в плоских корпусах с двухрядным симметричным расположением выводов по электри.ческим параметрам

Кассета // 809436

Кассета // 801146

Устройство для ориентации подложек // 790041

Устройство для загрузки плоских изделий // 788228

Тара для полупроводниковых пластин // 783888

Кассета для сборки бескорпусных микросхем // 720574

Устройство для маркировки торцев цилиндрических изделий // 712872

Способ изготовления тонкопленочных многоуровневых плат для многокристальных модулей, гибридных интегральных схем и микросборок // 2459314

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ изготовления микросистемы контроля трех компонент вектора магнитной индукции // 2470410

Изобретение относится к технологии микро- и наноэлектроники и может быть использовано в производстве гибридных микросистем анализа слабого магнитного поля

Устройство для демонтажа интегральных схем с печатной платы // 868892

Устройство для съема крышек спутников-носителей, преимущественно в установках для сборки микросхем // 871259

Устройство для контроля подложки микросхемы,преимущественно при анодировании в ванне с электролитом // 871260

Устройство для ориентированной подачи деталей // 871358

Кассета для химической обработки,преимущественно подложек микросхем // 902111

Кассета для интегральных схем // 1008823

Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона // 2537695

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона многоцелевого назначения. Технический результат - улучшение электрических характеристик за счет улучшения теплоотвода, повышение технологичности при сохранении массогабаритных характеристик. Достигается тем, что способом изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона изготовливают отдельные диэлектрические слои заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки, по меньшей мере, с одним сквозным отверстием, наносят заданное металлизационное покрытие топологического рисунка на каждый из отдельных диэлектрических слоев и экранную заземляющую металлизацию на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки. Формируют заданную последовательность многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с одновременным совмещением их сквозных отверстий с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного отверстия в многослойной диэлектрической подложке, далее спекание и отжиг, распологают и закрепляют многослойную диэлектрическую подложку экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящем основании, распологают и закрепляют в каждом сквозном отверстии многослойной диэлектрической подложки активный тепловыделяющий компонент, с обеспечением расположения их лицевых сторон в одной плоскости, соединяют электрически контактные площадки активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия многослойной диэлектрической подложки. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Способ изготовления микроэлектронного узла на пластичном основании // 2597210

Изобретение относится к технологии производства многокристальных модулей, микросборок с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - уменьшение трудоемкости изготовления, расширение функциональных возможностей и повышение надежности микроэлектронных узлов. Достигается тем, что в способе изготовления микроэлектронного узла на пластичном основании перед установкой бескорпусных кристаллов и чип-компонентов соединяют круглую пластину по внешней ее части с опорным металлическим кольцом, наносят тонкий слой кремнийорганического полимера. Устанавливают бескорпусные кристаллы чип-компоненты, ориентируясь на ранее сформированный топологический рисунок, герметизируют кремнийорганическим полимером, достигая толщины полимера равной высоте кольца. Удаляют основание - круглую металлическую пластину, закрепляют дополнительную круглую металлическую пластину с обратной стороны микроэлектронного узла. Проводят коммутацию методом вакуумного напыления металлов или фотолитографией. Наносят слой диэлектрика, второй слой металлизации, защитный слой кремнийорганического полимера. Наносят паяльную пасту на выходные площадки микроэлектронного узла, удаляют дополнительную круглую металлическую пластину с кольцом - проводят вырезку микроэлектронного узла из технологической оснастки. 1 ил.