Способ выращивания пьезоэлектрических кристаллов однозамещенного фосфата аммония

 

П. Г. Поздняков

СНОС()Б ВЫР4И »i В ) СИЯ ПЬ).303,)«ЕК 1 РИЧЕ«.КИХ у р ):; » ) ., I);) rr)8 А@1«, ) Адц= (А.ц 1.1() д «р(-)»») А ) А А,!«)Моц ).1д 3; ", r» 6: .-.;-< 1!)5," т,:<:> ¹ Л-115,. - 32156 н Госте<ни),. СССР

;;.но н «., )С.т. стене нзоо()стеня)1)) ¹ 8 зн 1 )53 г, Прсчмет изобретения

7,, !5l ) (Г!: )i!; . i .;!, « С!!)ТОЧ!<Ь!. 1:0

:.:о!ц!)Ос) и;:. ч,: тви;.-.ь)i,!ñГ)! ) .,0;>, I(.!«l:->нчес)()!.; 1(0,1»ч(!)с —.с!1 11: л:.!См (!(! С!В !!Е

)IH(11<) )1)r!i Ч! i ." r!!P(".) ".. .Е IiO

O 1!! < Н)r) 1!1,()!." I !

1tpè;f H.. Ст::„: ..;!„с; .е и: >;l:ш)}) fl i l i i 5t 0 О, ) 1 ) ! ) " ; > :, . > д ! ".. . X I(р C r! !,!ОВ <1)осф; Г;1: .)мо!)1;51 !!)азii<.р;; l!0-!

)(.реч)1!(1:е,(1!!(1 .)!.5(и длн ) io

30(1 .)В)() )! 1; ",;!.i!!i(. <-,го .;-;:,(Ii<)l o

РЯС ГВОРЯ ->т<;., .-:;.,)!i ;;.)ОЦ<)(.(",) Pr>C!, и!) !!СТ)1, 1, IОВ H)1(.(. Г ri! С ГО яЗЛ "!! If(. БЫ! if l! I1ВЯ il!! и, . -Ч! ГС ) )<) -. Я - !! ГО<".СЯ В III)i В")ill 1(IIIIH;«!)}!CГЯ, f..)11 i!3 Г1P МЫ С

11()Ч1 11;) Hi!! i bi : )! 0<.1!О:) . i! !. \

М If;t)r.

Пр(! !ягясмый ci!ocr. о Выращивая}15(! IОЗВОГ!5(<. СТР})l)И i"*ý ЛВЛСНИЕ (.Нособ Выращивания пь<:зоьлектрическик крllст lл;1<)В < дно:lc.ме}ценНОГО фОСфЯТГ) }! М )!OH H è ИЗ il!-РЕСЪ( (це}нн)го рясп-;Оря .-Т<)Й с.)ли, о т л иЧ и 10 ЩИ) Ся тем. )то,: )Е.".:0 ПОВмяли;(нвя;!Ня В процессе 1>сс.:: крнСТЯ:!.10 В.

Эго достигается благодаря введсllHIO В НЯСЫIЦЕI! 1 1ЫИ РаСТВОР .) (1<)З(1мещенного фосфятя яммон-.*.я д< бавКИ двуК - ВМЕ<цСННОГО фосr!)r1 !11 !lb)МОния 1 <)}11, ) ., НРО, до п01 0.)ия

1)ейтр я. I I>I (0!I It;IH слабо I lie, !Очной реакции раствора.

Введение дву>,замещснного фгсфата аммония проще всего нр()! зводить дооавкой в раствор крис";:..: 108

З 011 CO. )И, B П!)И ОТС ТСТВ)1!! CC-- ПЯсьпцением маточного раствор I аммиаком (что менее удобно).

Предлагаемый способ )н>зволяст выращивать большие но рязчерам и правильные по форме од!<Ор >дные кристаллы. лучения б0,1ыпих Oz}topo,1H»!i кристаллов правильной формы, в раствор

Вводят добавку двухза мещенного ())осфата аммония.

Способ выращивания пьезоэлектрических кристаллов однозамещенного фосфата аммония 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к выращиванию кристаллов из водных растворов и может быть использовано для скоростного выращивания монокристаллов заданной формы и кристаллографической ориентации, например, кристаллов группы КДР

Изобретение относится к технике для выращивания кристаллов из водных растворов и может быть использовано для получения кристаллических заготовок оптических элементов, например, для нелинейной оптики

Изобретение относится к области биомедицины, конкретно к способам выращивания кристаллов кальцийфосфатов и может быть использовано в травматологии, ортопедии, стоматологии, клеточной инженерии, фармакологии

Изобретение относится к технике, связанной с выращиванием кристаллов из пересыщенных растворов типа КДР, ДКДР, ТГС и т.п

Изобретение относится к выращиванию кристаллов с заданными формой и кристаллографической ориентацией из водных растворов

Изобретение относится к технологии выращивания металлортофосфатов, в частности AlPO4 и GaPO4, которые могут быть использованы в пьезотехнике, а именно в резонаторах и фильтрах различного назначения

Изобретение относится к области выращивания кристаллов точечной группы 32

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов из водных растворов и может быть использовано для получения кристаллических заготовок оптических элементов для нелинейной оптики

Изобретение относится к области техники, связанной со скоростным выращиванием кристаллов типа КН2РО4 (KDP) при постоянной фильтрации раствора

Изобретение относится к кристаллогидрату полисиликата натрия и способу его получения, который может быть использован в качестве гелеобразующего компонента, например, при изготовлении теплоизоляционных материалов, при создании высококачественных минеральных уплотнительных слоев из связанных грунтов, в нефтедобывающей промышленности при гидроизоляции
Изобретение относится к области неорганической химии, а именно синтезу широкого класса высокочистых материалов, применяемых в лазерной и инфракрасной технике, а также в волоконной оптике и спецтехнике

Изобретение относится к способам искусственного синтеза монокристаллов алмаза с заранее заданными физическими свойствами, например, с полупроводниковыми, с определенными люминесцентными, с определенным цветом или бесцветные и т.п

Изобретение относится к изготовлению искусственно выращенных камней и может быть использовано в ювелирной промышленности и ювелирно-прикладном искусстве
Изобретение относится к технологии получения наноалмазов, имеющих большое промышленное значение в электронике в качестве высокотемпературных полупроводников, высокочувствительных счетчиков в сложных дозиметрических установках с мощным твердотельным лазером и т.д

 // 161690
Наверх