Способ выращивания кристаллов и установка для осуществления этого способа
Класс 12с, 2 № 96144
СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
А. А. Штернберг
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ И УСТАНОВКА
ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ЭТОГО СПОСОБА
Заявлено 30 апреля 1952 г. за № А-1507/1.15031 в Министерство промышленности средств связи
Опубликовано в «Бюллетене изобретений» ¹ 10 за 1953 г.
Способы выращивания кристаллов из раствора путем его охлаждения известны. Выращивания кристаллических блокoB этими способами обычно основаны нл использовании температурной BBBBсимости растворимости вещества.
Выращивание осуществляется ци«лично, за счет изменении температуры раствэрл, 11ри этом «оличество кристаллизуемого вещества остается неизменным в течение всего процесса кристаллизации.
Кристаллы, выращивлсмыс полооными способами, вследствие их образования при различных температурах, как правило, неодн;1родны по строеник1 и имеют внутренние механические напряжения. Кроме того, для веществ, обладающих малой температурной зависимостью растворимости, способ выращивания, основанный на изменении температуры раствора, оказывается недостаточно производительным.
Предлагаемый способ выращивания кристаллов и установка для осуществления этого способа обеспечивают устранение выгнеупомянутых нсдостят«ов и позволяют повысить качест1!o выращиваемых
«ристяллов, Это достигается тем, что, с целью повышения «ачествл продукцци, прп выращивании «рпстяллов применяют местное (только в зоне роста кристалла) !Icpeoxлаждсние псдонлсыщспног0 в остальной массе раствора.
Установка для ос! Iii,ccTB, ICIIII51 прсдл глсмого cIIGcooà состоит из ба«я с раствором, в «оторэм расположены формы д.lH вы рв1 гцпвл н н51 кр5!стал. IQB. 1 1енрср1>1в51
На чертежс схематически предстлвл на конструкция предлагаемой установки в двух проекциях.
Выращивание кристаллов осуществляется в разборных формах 1, погруженных в бак 2 с ненасыщенным раствором 8. Для выращивания блоков заданного размера или пластинок определенной толщины
X 9б144
l(р ед м ст и зобретсния
Отв. редактор Г. А. Лапушкин
Стаидартгиа. Подп, и печ, 4/1-1957 г. Объем 0,125 и. л. Тираж 250. Цена 25 коп.
Гор. Алатырь, типография № 2 Министерства культуры Чувашской АССР. Зак. 399S формы 1 могут бьп ь разделены редкими или частыми пг регородкам11 н, Ячей! 11 4 и <7, 1 (и каждой формой размещак1тс трубчатые холодильники 17, по которым циркулирует охлаждающая жидкость; L м!!ература последне!! ниже темнс(атуры насыще !ия раствора. Холодильники посредством шлангов соединены с резервуаром 7 с охлаж; ающей жидкостью. ,Л.1я пополнения крис1аллизуемого вещества, расходуемого на рост кристаллов, в баке предусмотрены карманы 8 из llopIIcl..о(.о материала, в которые через бункеры-воронки 9 засыпается кристаллизуемое вещество. В баке на некотором расстоянии о! дна размещаются электронагреватсли И, позволяющие при помощи соответствующих регулирующих устройств поддерживать требуемую постоянную температуру раствора, Температура охлаждающей жидкости также поддер7кивается постоянной. ((о мере роста кристаллов в формах будет происходить растворение кристаллизуемого вещества в карманах, через поры которых более концентрпчный раствор будет поступать н бак, восполняя концен рацию раствора, уменьшающуюся вследствие роста кристаллов.
1. Способ выращивания кристаллов из раствора путем переохлаж;le« IIII последнего, о т л и ч а ю щ и йся тем, что, с цель|о повышения качества пр оду кции, приме ня ют местное (только в зоне роста кристалл!1) переохлаждение Heäoíàñûщенного в остальной массе раствора.
7. Установка для выращивания кристаллов по способу и. 1, состоя.пая из бака с раствором и системы устанавливаемых в этом баке форм для выращивания кристаллов, отличаю щаяся тем, что, с целью осу ществления непрерывной работы, каждая из форм снабжена охладителем для переохлаждения раствора внутри этой формы при неизменной температуре раствора в". баке.
