Способ изготовления интегральных полупроводниковых схем

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К ПАТЕНТУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Il,)912065 (61) Дополнительный к патенту

1 (22) Заявлено 15.11.77 (21) 2542550/18-25 (51) М. Кл, (23) Приоритет — (32) 16 11.76

Н 01 1 21/82

1ооударстаеиый коиитет

СССР по лелаи изобретеиий и открытий (31) Р 2652103, 9 (33) ФРГ

Опубликовано 07.03;82. Бюллетень № 9 (53) УДК 621.382 (088.8) Дата опубликования описания 07.03.82

Иностранцы

Хорст Х. Бергер и Зигфрид Курт Видманн (ФРГ) (72) Авторы изобретения

Иностранная фирма

"Интернэшнл бизнес машинз корпорейшн" (США) (71) Заявитель (54) СПОСОБ, ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СХЕМ

Изобретение относится к электронике, а именно к способам изготовления инжекционных интегральных схем.

Известен способ изготовления интегральных схем путем создания двух легированных областей через общее отверстие в маске (1).

Недостаток такого способа . заключается в невозможности создания интегральных схем

I с. инжскционшям питанием.

Наиболее близким к предлагаемому является способ изготовления интегральных схем, - включающий нанесение на попложку первого маскирующего покрытия, фотолитографию всех окон, нанесение второго защитного покрытия, вскрытие требуемых окон в первом защитном покрытии, легирование базовых, эмнттерных и коллекторных областей и металлизацню (21 .

Недостаток известного способа заключается и невозможности создания интегральных схем с инжекцнонным питанием, в которых контакт к базовой области осуществляется через области присоединения базы, Пель изобрегенн» упрощение способа

Н Щ)ВЬННЕНИЕ IUIOI1Ï)(. ГН ЪЧИКОВКИ ЭЛЕМЕНТОВ.

Поставленная цель достигается тем, что в спосппс изготовления интегральных полупроводниковых схем, включающем нанесение .на подложку первого маскирующего покрытия, фотолитографию всех окон, нанесение второго защитного покрытия,. вскрытие требуемых окон .в первом защитном покрытии, легирование базовых, эмиттерных и коллекторных областей и металлизацию, легирование при1р месью первого типа приводимости для создания областей управления. базовой, базовых областей и областей подключения базы осуществляют после фотолитографии всех окой в первом маскирующем покрытии.

1я Пример. На кремниевой подложке 1 (фиг. 1) с эпитаксиальной пленкой 2 наносят первое диэлектрическое покрытие 3, например . из двуокиси кремния толщиной 0,5 мкм.

Затем проводят вскрытие всех окон 4

20 (фиг. 2) методом фотолитографии дпя создания областей базы, областей управления базой и областей подключения базовых областей, т.е. инжекторы, вторичные инжекторы. Далее проводят легировайие примесью р-типа, например рб бором 5 .(фиг. 3) методом диффузии или

Фиг Х

Тираж 758

ffft! IflIff1 Заказ 1179/54

Подписное. 1 л щал 1!П1! "1!люсии", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 з 9f20r ионного легирования, создавая области Р1, Р2 и РЗ. !!оследующим окислением выращивают окиссл 6 в окнах толщиной порядка 0,1 мкм, вновь наносят изолирующее покрытие 7 (фиг.4), в котором вскрывают фотолитографией окно

8,.некритичное по своим размерам (так называемая черновая маска). Через эт маску удаляют тонкий окисел над областью РЗ путем жидкостного травления. Затем маску 7 удаляют, проводят легирование примесью 1О п-типа, например диффузисй фосфора и повторным травлением удаляют тонкий окисел

HBFj областями Р1 и Р2 (фиг. 5).

Предлагаемый способ позволяет упоостить известный за счет одновременного создания областей первого типа проводимости и снижения требований к совмещению, имеющем место при многократных фотолитографических операциях. В свою очередь, единая маска позволяет максимально приблизить элементы интегральных схем, позволяя существенно повысить плотность компановки, а следовательно, и степень интеграции.

Некритичная по размерам маска для вскрытия эмиттсрных или коллекторных областей позволяет осуществлять фотолитографию без точного совмещения, что даже упрощает способ, а слецовательно, снижает затраты на изготовление интегральных полупроводниковых схем с инжекционным питанием.

Формула изобретения

Способ изготовления интегральных полупроводниковых схем, включающий нанесение на подложку первого маскирующего покрытия фотолитографию всех окон, нанесение второго защитного покрытия, вскрытие требуемых окон в первом защитном покрытии, легирование базовых, эмиттерных и коллекторных областей и метилизацию, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения плотности упаковки элементов, легирование примесью первого типа проводимости для создания областей управления базой, базовых областей, и областей подключения базы осуществляют после фотолитографии всех окон в первом маскирующем покрытии.

Источники информации, принятые во внимаиие при экспертизе

1, Патент ФРГ N 1789055, кл. 21 q 11/02, опублик. 1978.

2. Заявка ФРГ N 2419817, кл. 21 q 11/02, опублик. 1974 (прототип) .