Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик

 

1. Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий импульсный нагрев образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных путем осуществления однородного нагрева поверхностных слоев и исключения деформаций образцов, проводят предварительный нагрев от 150 К до температуры, соответствующей максимальной проводимости полупроводника, но не превышающей температуру, при которой происходят необратимые изменения основных параметров полупроводника, а импульсный нагрев образцов производят импульсом СВЧ-излучения, помещая образцы в максимум переменного магнитного поля, причем деятельность импульса СВЧ-излучения выбирают не более 10-5с, основную частоту излучения определяют по формуле где - магнитная проницаемость полупроводника; - его проводимость; d - толщина нагреваемого слоя, плотность поглощенной энергии импульса оценивают по формуле E c (Tн - Tn)d, Дж/см2 где с - теплоемкость полупроводника; Тн - температура, до которой предварительно нагревают образец; d - толщина нагреваемого слоя.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что структуру антимонид индия - двуокись кремния предварительно нагревают до 550 - 600 К, а импульсный нагрев поверхностных слоев полупроводника производят импульсом СВЧ-излучения длительностью 10-5 - 10-9с, основной частотой СВЧ-излучения 130 - 140 ГТц, плотностью поглощенной энергии импульса 0,1 - 0,12 Дж/см2.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что структуру арсенид индия - двуокись кремния предварительно нагревают до температуры 750 - 820 К, а импульсный нагрев поверхностных слоев полупроводника производят импульсом СВЧ-излучения длительностью импульса 10-5 - 10-9с, основной частотой СВЧ-излучения ~ 300 - 330 ГГц, плотностью поглощенной энергии импульса 0,08 - 0,12 Дж/см2.

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что образец фосфида индия предварительно нагревают до 150 - 180 К, а импульсный нагрев поверхностного слоя полупроводника производят импульсом СВЧ-излучения длительностью 10-5 - 10-9 с основной частотой СВЧ-излучения ~ 500 - 530 ГГц, плотностью поглощенной энергии импульса ~ 1,3 - 1,5 Дж/см2.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении высокотемпературной сверхпроводниковой (ВТСП) толстопленочной схемы

Изобретение относится к области полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении n p-переходов для производства фотоприемников (ФП) инфракрасного (ИК) излучения

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов и позволяет улучшить электрофизические параметры обрабатываемых структур, их воспроизводимость, а также повысить технологичность способа за счет того, что термообработку полупроводниковых соединений А3 B5 проводят в проточной неокислящей атмосфере до 450-550o в открытом контейнере, а дальнейшую термообработку - в герметичном контейнере в присутствии равновесных паров летучего компонента В5

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при отжиге имплантированного арсенида галлия
Наверх