Полупроводниковый магнитоэлектрический преобразователь

 

Союз Советскик

Соцмалмстмчесиик

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (ii)953685 (6I ) Дополнительное к авт. свил-ву (5l )M. Кл.

Н 01 L, 43/08

Н 03 К 21/00 (22) Заявлено 12.11.80 (2l ) 3230353/18-21 с присоединением заявки.%

Вауаарстааииый комитат

СССР (2;j ) Приоритет ио далам изоорвтаиий и открытий

Опубликовано 23 08 82. бюллетень №

Дата опубликования описания 23.08.82 (53) УД С21.371. . 32 (0 88.8) (72) Автор изобретения

B. И. Харизоменов (71) Заявитель (54) ПОЛ УПРСфОПНИКОВЫЙ МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИ11

П РЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Изобретение относится к импульсной технике и может использоваться для преобразования импульсных сигналов, в частности при проведении реверсивного счета импульс ов.

Известны полупроводниковые магнитоэлектрические преобразователи, содержащие полупроводниковую пластину, на краях ксггорой сформированы контактные площадки (1".1

Недостатком этого полупроводникового магнитоэлектрического преобразователя является ограниченность его функциональных возможностей.

Известен также полупроводниковый магнитоэлектрически и преобр азов атель, содержаший подложку, на которой сформирован полупроводниковый слой, на про,тивоположных сторонах которого сформированы контактные плошадки, первая из 20 которых соединена с первой шиной источника питания, вторая шина которого соединена через резистор с ггорой контактной плошодкой. и подложка с полупр..водпиковым слоем помешена между полюсами источников магнитного поля, силовые линии которого перпендикулярны плоскости подложки с полупроводниковым слоем P2)

Недостатком этого полупроводниковот о магнитоэлектрического преобразователя является ограниченность его функциональ ных возможностей.

Цель изобретения - расширение функциональных возможностей полупроводникового магнитоэлектрического преобразователя.

Поставленная цель достигается тем, что полупроводниковый магнитоэлектрический преобразователь, содержащий подложку, на которой сформирован полупроводниковый слой с отверстиями, на противоположных сторонах которого сформированы контактные площадки, первая из которых соединена с первой шиной источника питания, вторая шина которого соединена через резистор с второй контактной площадкой, а подложка с полу3 95368 проводниковым слоем помещена между полюсами ис гочиика магнитного поля, силовые пинии которого перпендикулярны плоскости подложки с полупроводниковым слоем, вторая контактная площадка соединена через конденсатор с упрввлякецим входом, в в полупроводниковом слое сформированы отверстия, которые распожикены на перпендикулярах к краям контвкгных площадок, а источник мвгнит- О ного поля выполнен реверсивным, а между первой контактной площадкой и ближайшими к ней отверстиями сформированы прорези, между которыми на полупроводниковом слое сформированы выходные контакты.

На чертеже показана струггурв полупроводникового магнитоэлектрического преобразователя.

Полупроводниковый магнитоалектричес-. 20 кий преобразователь содержит подложку

1, нв которой сформирован полупроводниковый слой 2, на противоположных с горонах которого сформированы контактные плотцадки, первая 3 из которых со- 25 единена с первой шиной 4 источника питания, вторая шина 5 которого соединена через резисгор 6 с второй контактной площадкой - 7. Подложка 1 с полупроводниковым слоем 2 помещена между полю- зо свми источника магнитного поля, силовые линии которого перпендикулярны плоскости подложки 1 с полупроводниковым слоем 2, вторая контактная площадка 7 соединена через конденсатор 8 с управляю- з> щим входом 9, а в полупроводниковом слое сформированы отверстия 10, которые расположены на перпендикулярах к краям контактных площадок 3 и 7, а источник магнитного поля выполнен ревер;4О сивным, а между первой контактной площадкой Э и ближайшими к ней отверстиями 10 сформированы прорези 11, между которыми нв полупроводниковом слое сформированы выходные контакты 12, Устройство работает следутощим обра зом. При пропусквнии тока и одновременном нвлсвкении магнитного поля Н гок проходит между рядами отверстий 10, т.е. в сектпсях счетчика, обрвзукицих разря- ды. Так как последовательно включен ре;зистор 6, ток досгигает максимального значения только в одной секции (на чертеже это 3 и ), При действии в полупроводниковом слое 2 перпендикулярнонаправленного магнитного поля электроны отклонлк тся, располагаясь бтиже K ряду

Я ф огверстий 10. При поступлении импульса через конденсатор 8 напряжение увеличивается, элек гроны огибатс г отверстия

10, вледствие чего удлиняется их путь и coïðîòèâëåíèå для тока 3н возрастает.

Одновременно с этим электроны прониквтаг в соседнюю секцию в виде заряда переноса Ян, создавая в ней пониженное сопротивление и тем самым вызывая увеличение тока. Это приводит к лавинообразному перемещению тока в соседнюю секцию, Для осуществления оеверсв направление магнитного поля Н следует изменить нв противоположное, при этом процесс протекает анвлот.ично описанному в противоположную сторону.

Б случае использования для создания магнитного поля управляющих катушек последние могут быть использованы также.и в качестве счетного входа. Для этого постоянная составляющая подмат» ничиввющего тока должна определять направление счета, а переменная явится считаемой информацией, причем один период вызовет перемещение максимума гока на одни разряд.

Использование предлагаемого полупроводникового мвгнитоэлектричес кого преобразователя позволяет осуществить рересивный счет импульсных сигналов.

Формула изобретения

П олупров одниковы и магнитоэлектричес кий преобразователь, содержащий подложку, на которой. сформирован полупроводниховый слой с отверстиями, на противсьположных сторонах которого сформированы контактные площадки, первая из которитх соединена с первой шиной источника пи- „ тания, вторая шина которого соединена через резистор с второй контактной площадкой, а подложка с полупроводниковым слоем помещена между полюсами источника магнитного поля, силовые линии которого перпендикулярны к плоскости подложки с полупроводниковым слоем, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможнос гей, вторая контактная площадка соединена через конденсатор с управляющим входом, а в полупроводниковом слое суммированы отверстия, которые расположены на перттендикулярвх к краям контам. гных площадок, ис гочник мвгнитнот о поля выполнен реверсивным, причем между первой контактной площадкой и ближайшими к ней отверстиями сформированы

958685

Составитель О, Скворцов

Редактор А, Козориз Техред М. Надь Корректор A. Дзатко

Заказ 6287/79 Тираж 761 П одписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-Э5, Раушская иаб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 чрорези, между которыми на полупровод:никовом слое сформированы выходные контакты.

Источники информации, принятые во внимание при эюсперги:зе

1. кл. кл. Н

5 тип) .

Патент СИ!А N 3204132, 03 Е3 7/00, 20.05.RO.

Заявка Японии % 55-8 1594, 01 Е. 43/08, 08.09.RO (прото

Полупроводниковый магнитоэлектрический преобразователь Полупроводниковый магнитоэлектрический преобразователь Полупроводниковый магнитоэлектрический преобразователь 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области магнитных наноэлементов на основе многослойных металлических наноструктур с магниторезистивным эффектом и может быть использовано для преобразования высокочастотного магнитного поля в электрический сигнал

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при измерении величины индукции магнитного поля в условиях криогенных температур

Использование: для создания новых элементов, необходимых для хранения, обработки и передачи данных. Сущность изобретения заключается в том, что чувствительный элемент на основе эффекта магнитоимпеданса включает немагнитную подложку, слой диэлектрика и контакты и имеет СРР геометрию, где в качестве подложки используют n-Si, в качестве диэлектрика используют SiO2 и металлические электроды в виде полос, нанесенных на SiO2 и нижнюю часть полупроводника n-Si, и поведение магнитоимпеданса обусловлено процессами перезарядки поверхностных состояний на границе диэлектрик/полупроводник при приложенном к структуре переменном напряжении. Технический результат: обеспечение возможности реализации большой величины МИ эффекта в МДП структуре при использовании СРР геометрии. 4 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и представляет собой сверхчувствительный интеллектуальный магнитометрический датчик (МИ датчик) с расширенным диапазоном рабочих температур области. Датчик включает магнитоимпедансный элемент (МИ элемент) с двумя катушками, выполненными одна над другой, аналоговый ключ, усилитель, температурный датчик, микроконтроллер, блок терморезистора. МИ элемент с двумя катушками позволяет расширять измерительную шкалу, проводить калибровку датчика. Микроконтроллер выполняет оцифровку данных, управляет всеми узлами датчика (МИ элементом, аналоговым ключом, усилителем), проводит математическую обработку данных. Температурный датчик и блок терморезистора обеспечивают работу датчика в широком температурном диапазоне. Техническим результатом является повышение функциональных возможностей МИ датчика (интеллектуализация), расширение пределов измерительной шкалы и диапазона рабочих температур, повышение точности измерений, получение дополнительной информации о температуре. 6 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой магниторезистивный преобразователь и может быть использовано в конструкции датчиков магнитного поля. Преобразователь содержит кремниевый кристалл с выполненными в нем по меньшей мере двумя заглублениями, в которых размещены планарные металлические концентраторы. Планарные металлические концентраторы выполнены длиной L и толщиной b, причем величина зазора между концентраторами h составляет примерно не более чем 2 толщины концентратора b и не менее чем 0,06 длины концентратора L. На поверхности кристалла в области между заглублениями размещен магниточувствительный элемент. Над магниточувствительным элементом размещена планарная катушка первого типа, выполненная с возможностью формирования магнитного поля вдоль оси легкого намагничивания магниторезистивных полосок, отделенная от магниточувствительного элемента первым слоем диэлектрика, над которой размещена планарная катушка второго типа, выполненная с возможностью формирования магнитного поля, перпендикулярного оси легкого намагничивания магниторезистивных полосок, отделенная от планарной катушки первого типа вторым слоем диэлектрика. Техническим результатом является увеличение относительной чувствительности к слабому магнитному полю (до 1 мТл) и повышение соотношения сигнал/шум. 7 з.п. ф-лы, 4 ил.

Полупроводниковый магнитоэлектрический преобразователь

Наверх