Способ измерения разрешающей способности электрофотографических слоев

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (1)959028 (61)Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 25.09.80 (21) 2985849/28-12 с присоединением заявки М (31)М Кл з

G 03 С 15/04

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет (53) УДК 772 . 9 3 (088. 8) Опубликовано 15.0982 Бюллетень Й934

Дата опубликования описания 15.09.82 (72) Авторы изобретения

Г. Н. Ганчо, Э.Б. Моцкус, В.А. Пернаткин (7i ) Заявитель

Научно-исследовательский институт элек (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ РАЗРЕША10ЩЕИ СПОСОБНОСТИ

ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИХ СЛОЕВ с от °

K=» с+ т

Изобретение относится к электрографии и может быть использовано для определения разрешающей способности электрофотографических слоев (ЭФС), В процессе разработки электрофотографических способов воспроизведения информации выбор необходимых электрофотографических слоев производится по одной из основных характеристик слоев — разрешающей способности (РС) . Правильное определение РС имеет большое значение.

Известен способ измерения PC электрофотографических слоев, заключающийся в зарядке слоя, экспонировании на слой испытательной миры с группами элементов изображений различной пространственной частоты, проявлении скрытого изображения и расчета PC.

Известные испытательные миры, как правило, содержат группы из периодически чередующихся светлых и темных штрихов. Группы штрихов с одинаковой пространственной частотой сведены в элементы. Набор элементов с различными пространственными частотами, размещенный на прозрачной и непрозрачной основе, и представляет собой испытательную миру. Различие между применяемыми для определения

РС мирами состоит в конструктивном расположении элементов, их геомет5 рии и диапазоне перекрываемых пространственных частот. В зависимости от того, на светлом или темном фоне размещены элементы миры, различают два типа мир — позитивные и негатив1О ные.

Контраст штрихов в элементах миры, как правило, близок к единице, т.е. где К вЂ” контраст штрихов; с, т— коэффициенты светопропускания светлых и темных штрихов элемента миры, соответственно (с. 1; -"„ О).

Коэффициент светопропускания фоновых участков миры для позитивных мир обычно близок к единице, а для негативных — к нулю.

Средний по площади коэффициент светопропускания групп штрихов (13. т с+ т

Недостаток известного способа состоит в том, что применение в спо959028

На слой экспонируют изображение испытательной миры (контактным или проекционным способом) .

Проявляют скрытое зарядное изображение.

Рассчитывают величину разрешающей способности электрофотографического слоя по формуле сп R ax где R сп разрешающая способность электрофотографического слоя ", кратность увеличения при экспонировании, V собе известных испытательных мир приводит к значительной погрешности измерений РС, вызванной искажениями при проявлении.

Цель достигается тем, что в способе измерения разрешающей способности электрофотографического слоев, заключающемся в зарядке слоя, экспонировании на слой испытательной миры с группами элементов изображений различной пространственной частотой, проявлении скрытого изображения и расчета разрешающей способности при проявлении экспонируют испитательную миру со средним коэффициентом светопропускания фоновых участков в пределах от 80 до 120% от значения среднего коэффициента светопропускания групп элементов изображения миры, причем используют миру с растированными фоновыми участками и с окантовкой в виде темной и светлой линий вокруг групп из элементов изображения.

Сущность способа заключается в исключении искажений при проявлении за счет устранения в зарядном изображении скачков средней плотности заряда, для чего средние экспозиции слоя на фоновых участках и группах элементов миры выравнивают соответствующим выбором коэффициентов светопропускания фоновых участков и групп элементов испытательной миры.

На фиг. 1 показано распределение заряда на электрофотографическом слое при использовании известных (фиг.1а, б) и предлагаемой (фиг.1в) испытательных мир; на фиг. 2 (а, б) схематично показан пример выполнения элементов предлагаемой миры, имеющей фоновые участки с хаотическим растром, на фиг. 3 — то же, с окантовкой.

Предлагаемый способ измерения разрешающей способности электрофотографических слоев содержит следующие операции.

Электрофотографический слой заряжают до рабочего потенциала.

R — максимальная пространственная частота тех групп элементов испытательной миры, которые воспроизводятся на слое в виде различи5 мых элементов.

Зарядку электрофотографического слоя осуществляют путем осаждения на его поверхность в электрическом поле ионов, генерируемых, например, скОрОтрОнОм. Экспонирование производят либо проецированием на поверхность ЭФС при помощи оптической системы изображения испытательной миры, либо освещением миры, наложенной непосредственно на слой.

Проявление полученного после экспонирования скрытого зарядного изображения производят путем смачивания поверхности слоя жидким электрофоретическим проявителем.

После проявления изображения миры рассматривают при увеличении и определяют те группы элементов миры, в которых еце можно различить направле2 ""

Варианты исполнения фоновых участков могут быть различны. Необходимое значение среднего коэффициента светопропускания фоновых участков миры можно достигнуть: путем равномерного вуалирования фоновых участков, а также путем нанесения окантовок в виде темных и светлых линий вокруг группы штрихов, либо вокруг элементов миры (либо вокруг всей миры, если элементы миры расположены компактно).

Конкретное выполнение фоновых участков миры не является критичным и выбор следует производить из сооб40 ражения простоты технологии изготовления миры. При изготовлении мир обычно используют высококонтрастные процессы и поэтому равномерное вуалирование трудно осуществимо. В этой

45 связи растирание фоновых участков технологически проце.

Уменьшение погрешности определения

PC электрофотографических слоев достигается следуюцим образом.

При экспонировании на ЭФС описанной миры слой разряжается на фоновых участках примерно до уровня среднего заряда слоя на группах линии (фиг.1в) и потому на границах групп штрихов скачка средней плОтнОсти заряда не возникает, нет и эффекта перекрытия полей. Осаждение частиц тонера при проявлении происходит под действием только полей от самих штрихов, т.е. проявленное изображение полностью соответствует скрытому зарядному изображению штрихов (предполагается достаточно малый размер частиц тонера проявителя) .

Предлагаемая в способе мира может быть выполнена и на непрозрачной ос959028

30 нове. В этом случае все утверждения остаются справедливыми, только коэффициенты светопропускания, заменяются коэффициентами отражения.

Экспериментальную проверку способа проводят на органических элект- 5 рофотографических слоях из полиэпоксипропилкарбазола толщиной 3-5 мкм.

Слои заряжают до потенциала 200250 В и экспонируют на них миру через объектив "Орион-30" с уменьше- 10 нием 21" Миры выполняют на фотографической бумаге. Коэффициент. светопропускания фоновых участков миры вокруг групп штрихов варьируют в препределах ф = 0,1-0,9. Максимальный контраст проявленного изображения на пространственных частотах 80150 лин/мм достигают при среднем коэффициенте пропускания фоновых участков миры Г< 0,4-0,6. Полученная разрешающая способность проявленного изображения 40-45 лин/мм при использовании негативной миры и 130 лин/мм при использовании позитивной миры.

В соответствии с описываемым способом экспонирование миры с Г< 0,40,6 дает возможность найти объективное значение PC электрофотографического слоя, которая составляет

160 лин/мм, т.е. в 4 раза больше, чем измеренная по негативной мире, и на 25% больше, чем измеренная по позитивной мире.

Положительный эффект заключается в уменьшении погрешности измерений и получении объективных данных о качестве электрофотографических слоев.

Это особенно важно для электрографического микрофильглирования.

Формула изобретения

1. Способ измерения разрешающей способности электрофотографических слоев, заключающийся в зарядке слоя, экспонировании на слой испытательной миры с группами элементов изображений с различной пространственной частотой, проявлении скрытого изображения и расчета разрешающей способности, отличающийся тем, что, с целью уменьшения погрешности измерений путем исключения искажений при проявлении, экспонируют испытательную миру со средним коэффициентом светопропускания фоновых участков в пределах 80-1209от значения среднего коэффициента светопропускания групп элементов изображения миры.

2 ° Способ по п.1, о т л и ч а ю— шийся тем, что используют миру с растрированными фоновыми участками.

3. Способ по п.1, о т л и ч а ю шийся тем, что используют миру с окантовкой в виде темной и светлой линий вокруг групп из элементов изображения.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Ганчо Г.Н., Моцкус Э.Б. Об измерении разрешающей способности электрофотографических слоев. — Журнал научной и прикладной фотографии и кинематографии. 1977, Р 1, с. 19-21.

959028

° ° ° ° ° ° °

° Ф ° ° ° 11 1 ° ° ° ° ° 1 ° 1 °

° ° 11 ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° 1 ° 1 Ф ° ° ° °

° ° °

° ° Ф 1 ° ° ° ° ° 1 ° Ф ° ° ° 1 ° ° ° ° ° ° 1 ° 1 °

° ° 1 ° °

° °

° 1 ° ° 1 ° ° 11 ° 11 ° ° ° ° 1 ° ° ° 1 ° °

° ° ° ° ° ° ° 11 ° ° Ф Ф ° ° ° 1 ° ° ° ФФ 1 111 11

° ° ° Ф 1 ° Ф Ь ° ° ° 1 °

° ° 1 ° /

° ° °

° ° ° . ° ° ° 1 °

° ° ° 1 ° ° 11

° ° ° ° ° ° Ф ° ° ° °

1 ° ° ° ° ° 1 ° ° Ф °

1 ° ° 1 ° °

° Ф 1

Р1 ° ° ° ° °

° ° 1 ° Ф Ф ° °

° ° °

° °

° ° ° 1 ° ° ° ° ° 111 ° ° ° ° ФФ ° 1 ° Ф °

° ° 1 ° ° ° ° ° ° ° ° ° 111 ° ° ° 1 ° ° 1111 ° ° °

° °

° 1 11 ° ° ° ° ° ° ° ° ° ° ФФ 1 11 ° ° 1 ° 11

° ° 1 ° ° ° ° ° 1

11 ° ° ° ° ° ° ° ° ° 1 ° ° 11 ° 1 Ф ° ° °

° & 1 ° 1 ° ° ° ° ° ° 1 ° 1 11 ° ° ° 1 °

° ° ° ° ° ° 1 ° ° ° ° ° 1 ° ° ° ° ° ° °

° ° ° 11 ° ° °

1..111 ° ° е. ° ". ° ° ° ° 11 Ф Ф ° ° 1 ° 1

° ° 1 ° ° 1 ЕФФ ° ° ° ° ° 11 ° ° ° ° 1 °

° 1 °

° °

Auz. я

Составитель М.Волкова

Техред Т.Фанта Корректор Е.Рошко

Редактор Л.Авраменко

° ° ° °

° ° ° ° Ф

° ° ° ° °

° ° ° ° °

° ° ° ° 11

° 1 °

° 1 ° ° °

° ° °

° ° ° °

° ° ° 1 ° °

° °

° 1 ° °

° ° ° °

Заказ 7013/63 Тираж 488 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

° ° ° 1 °

° ° 11 1

° ° å

° ° ° °

° ° ° ° 1

° ° å ° °

4 :::.::::