Контейнер для выращивания кристаллов из расплава и способ получения углеродсодержащей облицовки на кварце
1. Контейнер для выращивания кристаллов из расплава, выполненный из кварца с углеродсодержащей облицовкой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения смачивания стенок контейнера расплавом и обеспечения возможности наблюдения за процессом кристаллизации, облицовка выполнена из -карбида кремния в виде пленки с шероховатой поверхностью.
2. Способ получения углеродсодержащей облицовки на кварце путем термического разложения CH3SiCl3 в потоке водорода, отличающийся тем, что, с целью получения облицовки в виде оптически прозрачной шероховатой пленки, осаждение ведут при концентрации CH3SiCl3 в водороде 0,05-0,5 об.%, перемещая зону нагрева со скоростью 0,125-2,0 м/ч вдоль направления газового потока при его скорости 4,66-7,56 м/ч.
Похожие патенты:
О п и с хтги е изобретения(ц)408509 // 408509
Патент 161707 // 161707
Тигель для выращивания монокристаллов // 811884
В. и. ульянова // 185492
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано в конструкции плавильного устройства для выращивания кристаллов из расплава, преимущественно кремния
Изобретение относится к устройству для выращивания кристаллов и способу выращивания кристаллов
Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов объемных монокристаллов сапфира и направлено на повышение срока службы элементов конструкции
Изобретение относится к технологии получения кристаллов веществ с температурой плавления, превышающей температуру размягчения кварца, например кремния, для полупроводниковой промышленности методом Чохральского
Устройство для непрерывного группового выращивания ориентированных слоев кремния на углеродной ткани // 2258772
Изобретение относится к области выращивания из расплава поликристаллических слоев кремния и может найти применение в производстве солнечных элементов (фотопреобразователей)
Способ подготовки тигля для выращивания монокристаллического слитка кремния по методу чохральского // 2286407
Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов
Резервуар для приема расплавленного кремния или для плавления кремния и способ его изготовления // 2303663
Изобретение относится к созданию резервуара для хранения расплавленного кремния и способа его изготовления