Патенты принадлежащие Иовдальский Виктор Анатольевич
Гибридная интегральная СВЧ- и КВЧ-схема // 2004036
Изобретение относится к электронной технике и обеспечивает улучшение электрических и массогабаритных характеристик, а также улучшение условий теплоотвода, что достигается тем, что посадочная площадка расположена в углублении, выполненном на лицевой поверхности платы, при этом глубина углубления обеспечивает расположение поверхностей контактных площадок кристалла полупроводникового прибора в одной плоскости с поверхностью топологического рисунка металлизации платы, а расстояние между боковой поверхностью углубления в плате и кристаллом полупроводникового прибора составляет 1-150 мкм.
ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ ДИАПАЗОНА // 2183367
