Структуры с периодическим или квазипериодическим изменением потенциала, например сверхрешетки, квантовые колодцы (G02F1/017)
G02F1/017 Структуры с периодическим или квазипериодическим изменением потенциала, например сверхрешетки, квантовые колодцы(2)
Изобретение относится к полупроводниковым наногетероструктурам AIIIBV, используемым для изготовления радиационно стойких сенсоров магнитного поля. Технический результат предлагаемого изобретения направлен на получение поликристаллических высоколегированных нанослоев InAs высокого кристаллического качества на сапфировой подложке с низкой шероховатостью поверхности и низким удельным сопротивлением, пригодных для создания радиационно стойких сенсоров магнитного поля.
Изобретение относится к системам оптической двусторонней связи между подвижными и неподвижными объектами при помощи перестраиваемых фазовых оптических дифракционных решеток и может найти применение в сферах, критичных к передаче и приему информации.
Изобретение относится к технике генерации импульсов терагерцовой частоты. Генератор плазмонных импульсов терагерцовой частоты включает спазер в режиме пассивной модуляции добротности на основе активной среды, помещенной в резонансную структуру, образованную в тонкой пленке металла, размещенной на подложке, средства накачки активной среды, средства вывода генерируемых плазмонных импульсов.
Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к системам для модуляции излучения лазера в заданном спектральном диапазоне с помощью импульсного лазера, длина волны излучения которого лежит в другой спектральной области, и может быть использовано в многолучевых лазерах, применяемых для оптической связи, обработки материалов, дальнометрии, дистанционного зондирования атмосферы (двулучевые лидары), лазерной гравировки, спектроскопических исследованиях в криминалистике, медицине, биологии и т.д.