Содержащие только пассивные тонкопленочные или толстопленочные элементы, сформированные на общей изолирующей подложке (H01L27/01)
H01L27/01 Содержащие только пассивные тонкопленочные или толстопленочные элементы, сформированные на общей изолирующей подложке(8)
Использование: для изготовления полевого транзистора с пониженным значением токов утечек. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает формирование на пластинах кремния p-типа тонкого слоя оксида и слоя поликремния, при этом поликремний формируют со скоростью осаждения 8,5 нм/с при скорости потока газа-носителя аргона 2,7 см/с и скорости потока силана SiN4 1,0% от скорости потока газа-носителя при температуре подложки 800°С и последующей имплантацией ионами азота с энергией 12,5 кэВ и дозой 1*1017см-2 при температуре подложки 100°С и проведением отжига в атмосфере водорода в течение 15 минут при температуре 350°С.

Изобретение относится к области реализации моделей нейронных сетей, а в частности к системам связанных осцилляторов на базе оксидных структур с эффектом электрического переключения, представляющим собой осцилляторные нейронные сети, которые могут использоваться для распознавания образов.

Изобретение относится к области СВЧ радиоэлектроники и предназначено для работы в СВЧ устройствах при повышенном уровне мощности СВЧ сигнала в качестве нелинейного элемента в виде сегнетоэлектрического конденсатора с электрическим управлением номинала емкости.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве прецизионного набора резисторов в системах управления, автоматике, измерительной технике и других отраслях народного хозяйства.

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, в частности, к технологии формирования на подложках тонкопленочных рисунков с помощью лазерного луча и к устройствам, позволяющим реализовать такую технологию.

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в радиотехнических устройствах различного назначения в качестве элементной базы тонкопленочных интегральных высокочастотных узлов таких как разделительно-суммирующие устройства, радиочастотные мультиплексеры, фазовращатели, фильтры и другие.

Изобретение относится к тонкопленочным электрическим элементам, в частности к гибкому, микроминиатюрному, водонепроницаемому, биологически совместимому тонкопленочному интегральному модулю, который может быть составлен таким образом, чтобы действовать в качестве соединителя, воспринимающего элемента или другого электрического элемента.

Изобретение относится к электронной гехнике, к конструкциям и способам изготовления поликремниевых резисторов, допускающих возможность прецизионной токовой подстройки сопротивления, и может быть использовано в технологии изготовления аналоговых ИС с регулируемыми характеристиками.