Решетки лазеров с лучеиспускающей поверхностью (H01S5/42)
H Электричество(232322)
H01S Устройства со стимулированным излучением(2374)
H01S5 Полупроводниковые лазеры(186)
H01S5/42 Решетки лазеров с лучеиспускающей поверхностью(4)
Изобретение относится к лазерной технике. Лазерный прибор содержит матрицу лазеров поверхностного излучения с вертикальным резонатором (VCSEL), расположенных на одной и той же полупроводниковой подложке (101).
Группа изобретений относится к лазерной полупроводниковой технике. Лазерный прибор (100) содержит от двух до шести меза-структур (120), обеспеченных на одном полупроводниковом чипе (110).
Изобретение относится к области лазерной техники и касается полупроводникового многоканального лазерного излучателя. Полупроводниковый многоканальный лазерный излучатель включает в себя корпус, активные элементы и элементы питания.
Устройство инфракрасного лазерного освещения // 2672767
Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается устройства освещения для освещения трехмерной компоновки в инфракрасном спектре длин волн. Устройство включает в себя первую и вторую группы лазерных устройств.
Лазерный прибор с регулируемой поляризацией // 2659749
Изобретение относится к лазерному прибору с регулируемой поляризацией. Лазерный прибор (10) содержит матрицу (50) лазерных излучателей (100) и блок (200) управления.
Группа изобретений относится к проекционной технике. Лазерный прибор для проецирования структурированной картины освещения на сцену сформирован из нескольких матриц лазеров VCSEL, причём каждая матрица расположена на отдельном кристалле VCSEL и содержит нерегулярное распределение излучающих областей полупроводниковых лазеров.
Изобретение относится к лазерной технике. Лазерный модуль содержит несколько подмодулей (1), размещенных вдоль первой оси (10) бок о бок на общем носителе, причем каждый из упомянутых подмодулей (1) содержит область (8) лазера, образованную одной или несколькими матрицами полупроводниковых лазеров (5) на поверхности подмодулей (1), и при этом лазерное излучение, испускаемое упомянутыми полупроводниковыми лазерами (5), образует распределение интенсивности в рабочей плоскости, обращенной к упомянутой поверхности подмодулей (1).
Изобретение относится к физике полупроводниковых структур. Способ усиления мощности радиочастотно-модулированного терагерцового излучения 30-периодной слабосвязанной полупроводниковой сверхрешетки GaAs/AlGaAs заключается в том, что соединяют параллельно активные модули, каждый из которых представляет собой меза-структуру упомянутой слабосвязанной сверхрешетки с шириной барьеров >4 нм, и смещают упомянутые активные модули в режим генерации автоколебаний тока.
Изобретение относится к лазерной технике. Матрица VCSEL содержит несколько VCSEL, расположенных рядом друг с другом на общей подложке (1).
Изобретение относится к матрицам лазерных диодов, которые могут быть использованы как самостоятельные источники излучения, так и в качестве системы накачки твёрдотельных лазеров. Матрица светодиодов содержит теплопроводящее основание с нанесенной толстопленочной металлизацией, выполненной в виде дискретных контактных элементов, установленных на противоположных сторонах основания, и токоподводящих элементов, расположенных симметрично на противоположных сторонах основания.
Линейка лазерных диодов // 2166823
Изобретение относится к полупроводниковым лазерам и может быть использовано в волоконно-оптической связи, медицине, при обработке материалов. .
