Катодная лампа с внешним подогревом

 

№ 493

/«i р

ПАТЕНТ HA ИЗОБРЕТЕНИЕ

ОПИСАНИЕ катодной лампы с внешним подогревом.

К патенту В. И. Коваленкова, заявленному 16 мая 1923 года (заяв. свид. № 76685).

0 выдаче патента опубликовано 31 июля 1925 года. Действие патента распространяется иа 15 лет от 15 сентября 1924 года.

ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ.

Предлагаемое изобретение имеет целью устройство мощной катодной лампы с внешним подогревом.

На чертеже лампа изображена схематически.

Катодная лампа имеет металлический анод 4 — 4 снаружи и сплошной металлический катод 3 — 3 внутри.

В колбу лампы впаяна, имеющая уширение, кварцевая трубка 1 — 1, наружная поверхность которой покрыта металлическим слоем 3 — 3, служащим катодом лампы. В трубку вводится горелка таким образом, чтобы пламя находилось в уширенной ее части; горелка ее служит для подогревания катода 3 — 3. Так как размягчение кварца происходит при температуре более высокой, чем температура красного каления, то металлизированная часть, служащая катодом, может быть безопасно раскалена выше красного каления. Для охлаждения анода имеется кольцо 2 — 2, по которому протекает жидкость или которое связано с выше находящимся сосудом с охлаждающей жидкостью.

Катодная лампа с внешним подогревом, характеризующаяся применением впаянной в колбу лампы кварцевой трубки 1 — 1, снабженной посередине уширением, наружная поверхность которого покрыта металлическим слоем 3 — 3, служащим катодом лампы, при чем внутри ушир ения этой трубки 1 — 1 помещается пламя горелки, служащее для подогревания катода 3 — 3.

Катодная лампа с внешним подогревом Катодная лампа с внешним подогревом 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области получения мощных ионных пучков (МИП) и может быть использовано в ускорителях, работающих в непрерывном и импульсном режимах

Магнетрон // 2115193

Изобретение относится к ионно-оптическим ускорителям ионов и может быть использовано в ионных двигателях
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления проводящих микроострий, которые могут быть использованы, например, в производстве вакуумных интегральных микросхем
Наверх