Способ химического травления монокристаллов на основе окиси бериллия
СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ОКИСИ БЕРИЛЛИЯ, включающий химическую полировку и селективное травление , отличающийся тем, что, с целью выявления дефектов струк-. туры монокристаллов хризоберилла, , химическую полировку ведут в расплаве метафосфата натрия при 9001000°С в течение .30-40 мин, а селективное травление проводят в раст плаве едкого калия при 360-400 с в течение 5-20 мин.
СОЮЗ СООЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСН ИХ
РЕСПУЬЛИН
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ
Н ARTOPCKOMV (ВИДЮЙЛЬСТВУ е
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР .
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ,(21) 2772677/23-26. (22) 31. 05. 79 (46) 23.03.83. Бюл. 9 11 (72) E.Ã. Цветков и В .Н. Матросов (71) Институт геологии и геофизики
Сибирского отделения АН СССР (53) 621.315.592(088".8) .(56) 1. Austerman 5.8.Е.tching studies
of. beryllium oxide crystals. — J.Hat.
Sci„ 1967, 2, 9 4, р. 378-387 (прототип).
„„SU;„, I 006552 А ( (54) (57) СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ
ОКИСИ БЕРИЛЛИЯ, включающий химическую полировку и селектнвное травление, отличающийся тем, что, с целью выявления дефектов структуры .монокристаллов хризабернлла, химическую полировку ведут в расплаве метафосфата натрия при 9001000оС в течение 30-40 мнн, а селективное травление проводят в рас-, -плаве едкого калия при 360-400 С в течение 5-20 мин.
1006552
Изобретение относится к исследованиям реальной структуры кристаллов, в частности монокристаллов хризоберилла (Ве Лl>0+), методом химического травленйя и позволяет выявлять и идентифицировать различные дефекты кристаллической структуры — двойниковые, блоковые и малоугловые границы, отдельные дислокации и т.д.
Монокристаллы хризоберилла являются новым перспективным материалом, представляющим интерес для технологии полупроводников, квантовой электроники, рентгеновской доэиметрии и других отраслей науки и техники.
Высокие требования к структурному. совершенству монокристаллов, предъявляемые их использованием, обуславливают необходимость выянления и контроля реальной структуры кристаллических материалов.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ химического травления монокристалпов Ве0, включающий химическую полировку поверхности монокристалла распланом смеси молибдата лития и метафосфата натрия, взятых в мольном соотношении 1:1, при температуре свыше 1100 С в течение 1 ч и последующее селективное травление распланом смеси молибдата лития и буры при 800оС в течение 10 мин (13.
Недостаток известного способа— невозможность выявления дефектов структуры монокристаллов хризоберилла.
Цель изобретения — выявление дефектов структуры монокристаллов хризоберилла.
Поставленная цель достигается тем, что химическую полировку ведут н расплаве метафосфата натрия при 900-1000 С в течение 30-40 мин, а селективное травление проводят в расплане едкого калия при 360400 С в течение 5-20 мин.
I1 р и м е р 1. Выявляют дефекты кристаллической структуры монокристалла хризоберилла, выращенного о в направлении $010) .
Образцы в виде пластин толщиной
1,0-1,5 мм, вырезанных из этого кристалла, в направлении, перпендикулярном оси вытягивания, т.е. в
15 плоскости (010), повергают химической полировке в расплаве метафосфата натрия при 900 С в течение 30 мин.
Высокое качество полировки дает ровную, гладкую поверхность пластин.
Затем в течение 10 мин проводят селектинное травление в расплане КОН при 360 С. Травители содержат н платиновых тиглях, образцы погружают н травители с помощью держателей, иэg5 готовленных иэ платиновой fIpoB0310KR
Требуемой. температуры травителей достигают с помощью электропечи сопротивления. Получают ямки травления оптимальных размеров. Их изучают под оптическим -микроскопом и фотографируют.
Примеры, приведенные н таблице, обосновывают выбор температур и времен травления.
Производят оценку плотности дис.. локаций (ямок травления).выращенных монокристаллов хризоберилла: почти все разнообразие плотностей дислокаций укладывается н один порядок—
40 n""10 Э см 2, где п = 1-10.
1006552
Х Х» I
ZIZÕZ
9 th 9 Ill 3 О»
2 а»б хек хэ а,бас
z2! неон ех 2weU цхкао иох Imo хцхн= оь б оэе но оххнххх
1»ихмХЭ
ОО»бЦZeU х ц а !» »б е о
K L I» m l4 Ц Х
9
Ц
6\ ф
0 н к
Х 1
Х 1
Ю
Ю
cl
Ю
СО
Г Ъ
Х 1 х м
СС С Ц
2хае 1
1 х ! e
1 Ц ! в ! u
I г
1
I
1
1 и.
9 б
z о а х
Ц о
И н
9 н
А
Ц
Р»
C о
М
Xz а5
Ю
С 1
Ю
РЪ
Ю
СЧ
1
1 Ю
»» Ъ
I и о., »
Ю
C)
Ю
»-!
Ю
C)
»-»
»-»
1 1
Я»б М
:> 0 1
0НФ х
Ц U ха
° CO -» ГМ
1 Ф
1
I а
r»
l х
Ф
Ф и н
9 н
»б
Ц
Э а
I х х 9 х Е о и аи н
Хээ ц хц оох
R 0
И о х
Щ с
Н Э 9 иоц
ФХХ
Р Pl 9 эха
4б х н
ЯМЭФ фе Х Ц
Я 9ФХ
;лице
Ц -дх
Ф I <б ц або иЯннz
° ЭЦ»б оеооа х ах z»n
ХФХОО эихаo агонии о
1 О9
onн хни хиох хоЦ2 н — z х эхе» х 2 ах еххыО. иех а чхо,э х б! Ях % х»б а б» л
2 0,9 о а жнх на о
gI ° О нж со
UQ ИЮ (б Х с-»
Н ъ сы эц
»б
U Х
oo
ХОФ хво аале
Эни и 9 охх й»бх
НИХ
ХЯХХ
»б е х о
Х б» 0, Цэ Ех
»б Я Х Ц анхо
Г-» о z a
1 ХР\
I!I Z O
ХХ0
НФФ х ц
Э х !»!
Ц (б»б еаа, U Н х хо2 х !» ц
2о9 х
I 1
IXI х!! е
О l 2ец ах
0»NФХNЭХI»9 х к и ц х е ц х»б и ц»бошэхиххэ
ОХ eа ХЭ иб оазис 82m ххнхмо»б»а
zI 9 оахако
»бОХ Л Z>mz>C
ХЦЦН Н9OКО иеоххмаийхх эzgаа»ахх
-zaeоеa-ее х н иоххеа
Е -moeéиZOÍ хм -ехеенn»бe ххсЕхнциихн
Д
ooz аЦР х х цен охх и е н ц е5й
ы о их! во а»б х и
Е х хааа
Х И
2e! о
ХЕхй. Эо
;: и янаи
99О йнэх и ах
ZO 0, Ф Х Ф х б! хиио
Ф Н Ф Й
Ц Я б мххох ецz40 ахеоц нкххи
1006552
I 1
ОН) оех о э а, „F33
I yern! кйа
) I Ю сч
OI
0 е е ц
«d x о
Рхо ь (сЪ 1
I
I ! ь и о с ч
Ю Ф
ГЧ ь (Ч,1
"1
I
I ж
Е х анхо е х)". яэп3е
O ttt m It."
)" .н о о ое х к еи э а е хАн х хнха
Ю м
Оъ
Ю
1 Ю
1 сп
CO
Х 1
ue а м и и хх но
A 4
):о а и с
1 й
o l
1 6l
)В)
earn+ хзх цme" эхае онн "
1 1
5о х а х х н о
Ц
e g
): о ь Х е е с4 х хл д о. о а х п1 ц х о ц
)" о
I О
1 а-Е н о
u x е о
y u е я
Х ш
1 I
)))И! Н) х tn o.e
nIO ttt X е х ах х х х):л
n)5хam о, )еаю аюхда) оiо он х e vo йэй г н t." н-к ж ее я,ое мн х ).. н
1шхе х эх о агьиако е а х RI3 í цн ца, хе
Х 1 I й>1
tc а9 мах о хоо ф g н
BAY
o t о
Rj5F
I ItI о
3С
Й Й о хн м э н ) э 3 <б х
mon,e
3
В
О 1Я I ое х а
1006552
Составитель В. Рыцарев
Редактор Н. Егорова Техред 0 ° Неце Корректор Е. Рошко
Заказ 2059/44 Тираж 368 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4
Предлагаемяй способ пригоден для использования в заводских условиях при внедрении в промышленное
1 . производство нового перспективного материала — монокристаллов хризоберилла.
