Детекторная секция

 

ДЕТЕКТРРНАЯ СЕКЦИЯ, содержащая короткозамкнутый на одном конце отрезок прямоугольного волновода , внутри которого пардиплельно узкой стенке расположен отрезок щелевой линии, на одной поаврхности диэлектрической подложки которой между первым проводящим слоем, гальванически соединенным с одной из широких стенок отрезка прямоугольного /« волновода, и изолированным от нее вторым проводящим слоем включен полупроводниковый диод, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения неравномерности амплитудночастотной характеристики, на второй поверхности диэлектрической подложки напротив второго проводящего слоя нанесен проводник и гальванически соединен с другой широкой стенкой отрезка прямоугольного волновода, при этом оба проводящих слоя вьшолнены с плавными скосами, смещенными относительно друг друга на четверть длины волны в отрезке прямоугольного волновода, а вдоль узкой стенки установлен поглотитель с плавным скосом. § к незамкнутому концу отрезка прямоугЪльного волновода. S М М

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (19) (Н) (5Н G 01 R 21/12

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

H АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3446982/18-09 (22) 31.05.82 (46) 23.07.83. Бюл. Р 27 (72) М.А. Силаев и Б.A. Фурлендер (53) 621. 314(088. 8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

9 832487, кл. G 01 R 21/12, 1981 (прототип) . (54) (57) ДЕТЕКТОРНАЯ СЕК1(ИЯ содер жащая короткозамкнутый на одном конце отрезок прямоугольного волновода, внутри которого параллельно узкой стенке расположен отрезок щелевой линии, на одной поверхности диэлектрической подложки которой между первым проводящим слоем, гальванически соединенным с одной из широких стенок отрезка прямоугольного волновода, и изолированным от нее вторым проводящим слоем включен полупроводниковый диод, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью уменьшения неравномерности амплитудночастотной характеристики, на второй поверхности диэлектрической подложки напротив второго проводящего слоя нанесен проводник и гальванически соединен с другой широкой стенкой отрезка прямоугольного волновода, при этом оба проводящих слоя выполнены с плавными скосами, смещенными относительно друг друга на четверть длины волны в отрезке прямоугольного волновода, а вдоль узкой стенки установлен поглотитель с плавным скосом. р

Ф

М к незамкнутому концу отрезка прямоугольного волновода.

1030740

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к технике СВЧ.

Известны детекторные секции, в которых полупроводниковый диод устанавливается на диэлектрической подложке в зазрре щеленой линии, а подложка крепится н пучности напряженности злектрического поля по.централь. най оси отрезка прямоугольного волнонада, замкнутого с одной стороны короткозаглыкающим поршнем. Одна из 10 проводящих линий, образующих щелевую линию, изолирована от широкой стенки отрезка прямоугольного валновода и гальванически соединена с токосъемником (1 . 15

Недостатком известной детекторной

J секции является наличие утечки СВЧ мощности н зазоре между широкой стенкой волновада и изолированным ат нее проводником щеленой линии, что принадит к неравномерности амплитудна-частотной характеристики детекторной секции. цель - уменьшения неравномерности аглплитудно-частотной характеристики.

Цель достигается тем, что н детекторной секции, содержащей короткоаамкнутый на одном конце отрезок прямоугольного волнанада, внутри. которого параллельно узкой стенке расположен отрезок щелевой линии, на одной поверхности диэлектрической подложки которой между первым проводящим слоем, гальванически соединенным с одной из широких стенок отрезка прямоугольного валнонода, и изолированным от нее вторым проводящим слоем нключен полупроводниковый диод на второй поверхности диэлектрической подложки напротив второго про- 40 водящего слоя нанесен проводник и гальванически соединен с другой LIHpU кай стенкой отрезка прямоугольного нолнонода, при этом оба проводящих. слоя выполнены с плавными скосами, 45 смещенными относительно друг друга на четверть длины волны в отрезке прямаугальнага волновода, а вдоль узкой стенки установлен поглотитель с планным скосом к незамкнутому кан" цу отрезка прямоугольнога волновода.

На фиг.1 представлена конструкция предлагаемого устройствами на фиг.2 разрез АжА на фиг.l; на фиг.З график зависимости V>> y = К I) /О, детекторная секция выполнена н виде отрезка прямоугольного волновода 1, B котором установлена диэлектрическая подложка 2, имеющая на одной поверхности проводящие слои 3 и 4, образующие щелевую линию. На второй понерхности диэлектрической подложки напротив второго проводящего слоя 3 установлен проводник 5, повторяющий конфигурацию проводящего слоя 3, Первый проводящий слой 4 и проводник 5 гальванически соединены с широкой стенкой волнонода, Между первым и вторым проводящими слоями- щеленой линии расположен полупроводниковый диод б, Вдоль узкой стенки отрезка прямоугольного волновода устанонлен объемный поглотитель 7, имеющий плавный скос к внешней нагрузке волновода.

Проводящие слои 3 и 4 на подложке также имеют скосы, начала которых н щелевой линии. смещены друг относительно друга на четнерть длины волны, распространяющейся в волноводе.

Вывод прадетектированного сигнала асущестнляется через токасъемник 8.

Устройства работает следующим образом.

СВЧ мощность поступает из ннешней высокочастотной линии передачи через конусные переходы в щеленой линии на полупроводниковый диод б, продетектираванный сигнал снимается с токосъемника 8. СВЧ колебания не распространяются между проводящим слоем

3 и широкой стенкой волновада иэ-за наличия блокировочной емкости, образованной проводящим слоем 3 и провод1 ником 5, замкнутым на широкую стенку волновода. Активное и реактивное сопротивление диода согласовано плавными скосами в целевой линии и в объемном поглотителе.

Детекторная секция (фиг, 1) с раз-! мерами b/à = 0,44; ал /а = О, 37;

Ь /а = 0,21; 8л/а =. 0,38; 3 /а

= 0,78; РЗ/a = .2,4; P4/а = 1,4;

h4/а = 0,035, h /à = Q,ll, t/а=

0,00 7, w/а = 0,07. имеет амплитудно-частотную характеристику, изображенную на фиг,3. В

Ней использован полупроводниковый диод типа ЗА 112А при подаче на него постоянного смещения О, 55 В и входной мощности СВЧ Р8,г = 20 мВт.

Из фиг. 3 следует, что в диапазоне длин волн порядка 433 неранномерность амплитудно--частотной характеристики не пренышаег 0,8 дБ.

1030740

М М 1 s8 фИ8.4

2 15 1

««

Заказ 5206/4б Тираж 7l0 Подпис ное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

l 1 30 35, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.й/5

«««» «« филиал ППП Патент, r. ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель И. Беэлюдова

Редактор H. Лаэаренко ТехРед М.Тепер Корректор А. Ильин