Способ обработки структур кремний-двуокись кремния

Авторы патента:

H01L21/263 - с высокой энергией (H01L 21/261 имеет преимущество)

Способ обработки структур кремний - двуокись кремния, включающий термообработку структур в интервале 200-300^oC и одновременное облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью пониженного избыточного положительного заряда в структурах, облучение осуществляют электронами энергией 0,18-3,5 Мэв дозой 10¹⁴-10¹⁵ элсм^-2.

Способ изготовления магнитодиодов // 972973

Способ обработки поверхностно-барьерных структур на основе соединений @ @ // 921378

Способ повышения стабильности характеристик кремния // 849928

Способ повышения радиационной стойкости кремния // 847839

Способ обработки эпитаксиальных слоев кремния // 736219

Способ маркирования участка поверхности полупроводникового кристалла,соответствующего объемному микродефекту // 728183

Способ изготовления термочувствительныхполупроводниковых элементов // 679025

Способ создания в кремнии слоев @ -типа проводимости // 649270

Способ определения глубины нарушенного слоя полупроводниковой пластины // 599662

Способ изготовления биполярных полупроводниковых приборов // 2100871

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Способ обработки лавинных диодов // 2100872

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Способ регулирования величины заряда обратного восстановления полупроводниковых приборов с заданной точностью // 2110113

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ легирования полупроводниковых пластин // 2111575

Изобретение относится к технике, связанной с процессами легирования и диффузии примесей в полупроводники и металлы, а именно к способам диффузионного перераспределения примеси с поверхности по глубине полупроводниковых пластин путем обработки в потоке электронного пучка, и может быть использовано в пространстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Способ формирования проводящей структуры // 2129320

Изобретение относится к технологии создания сложных проводящих структур с помощью потока заряженных частиц и может быть использовано в микроэлектронике для создания сверхминиатюрных приборов, интегральных схем, запоминающих устройств и оптических элементов

Способ получения кремниевых наноструктур // 2153208

Способ снижения концентрации радиационных дефектов в нейтронно-легированном кремнии при импульсном облучении // 2162256

Мощный полупроводниковый резистор и способ его изготовления // 2169411

Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния // 2193609

Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния // 2193610

Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования (НТЛ) кремния при промышленном производстве на энергетических реакторах типа РБМК, широко применяемого в технологии изготовления приборов электронной и электротехнической промышленности