Способ настройки магнитной линзы

 

СПОСОБ НАСТРОЙКИ МАГНИТНОЙ ЛИНЗЫ, включающий намагничивание до насыщения кольцевого магнита и частичное его размагничивание, отличающийся тем, что. с целью улучшения качества магнитной линзы и повышения процента выхода годных, частичное размагничивание объема .магнита осуществляют в области, ограниченной внешним радиусом и радиусом, не превышающим значение . Rfr а где R п внешний радиус кольцевого магнита, внутренний радиус кольцевого магнита. (Л с

СОЮЗ СОВЕТСКИХ .

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) (51) Н 01 Д 23/08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

К -г 1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OYHPblTHA

- (21) 3488692/18-21 (22) 03.09.82 (46) 07.04.84. Бюл.113 (72) А.И. Кудрявцев и 10.А. Иельников (53) 621.385.6(088.8) (56) 1. Патент США 92568668, кл. 313-84, опублик. 1951

2. Электронная техника, сер.1.

"Электроника СВЧ", .1977 ° вып.9, с.95 (прототип). (54)(57) СПОСОБ НАСТРОЙКИ МАГНИТНОЙ

ЛИНЗЫ, включающий намагничивание до насыщения кольцевого магнита и частичное его размагничивание, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества магнитной линзы и повышения процента выхода годных, частичное размагничивание объема .магнита осуществляют в области, ограниченной внешним радиусом и радиусом, не превышающим значение где Р— внешний радиус кольцевого магнита, г — внутренний радиус кольцевого магнита.

1084914

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам настройки фокусирующих систем элект-, ровакуумных приборов на заданный уровень поля. .5

Известен способ настройки магнитной линзы на заданный уровень осевого магнитного поля с помощью осесимметрйчного магнитомягкого шунта, перемещающегося но внутреннему рабочему ка" 10 нану линзы,(1) .

Однако при настройке указанным способом необходимо использовать дополнительные магнитомягкие элементы и арматуру для их установки и пере- . 1 5 мещения, усложняющие конструкцию линзы и повышающие ее стоимость. шунтирование магнитного поля приводит к уменьшению коэффициента полезного использования магнитотвердого мате- 20 риала линзы и увеличение ее габаритов.

Наиболее близким к предлагаемому является способ настройки магнитной линзы на заданный уровень магнитного 25 поля, включающий намагничивание до насыщения кольцевого магнита и частичное его размагничивание )2j .

При использовании способа применительно к наиболее современным магнитам из соединений редкоземельных элементов с кобальтом, неизбежно имеющих магнитотвердые фазы с различной величиной коэрцитивной силы, возникают дополнительные неоднород35 ности намагниченности в объеме магнитов. Эти неоднородности связаны с тем, что при размагничивании подобных магнитов происходит размагничивание объемов магнита, соответст- 4б вующих низкокоэрцитивной фазе. Неравномерность расположения этих микрообъемов в магните приводит к увеличению уровня поперечных полей в линзе, что ведет к росту числа забракованных магнитов по этому параметру.

Целью изобретения являет<у улучшение качества магнитной линзы и повьппение процента выхода годных при изготовлении.

Указанная цель достигается тем, что согласно способу настройки магнитной линзы, включающему намагничивание до насыщения кольцевого магнита и частичное его размагничивание, частичное размагничивание объема магнита осуществляют в области, ограниченной внешним радиусом и

-к радиусом,не превышающим значение

2 где К вЂ” внешний радиус кольцево4.о магнита, р — внутренний радиус кольцевого магнита.

На чертеже показана магнитная линза, поперечное сечение.

Линза состоит из аксиально-намагниченного кольцевого магнита 1 и магнитомягких полюсных наконечников 2.

При настройке магнитной линзы.-, на указанный уровень продольного. поля магнит намагничивают до насыщения, а частичному размагничиванию до необходимого уровня осевого магнитного поля подвергается, только наружная часть 3 магнита 1.

Внутренняя часть 4 магнита 1 поддерживается при этом в намагниченном состоянии. Граница-между наружной и внутренней частями магнита показана пунктирной линией. Соотношение между объемами наружной и внутренней частей магнита зависит от уровня варьирования величиной продольного поля, однако из-за возможности увеличения неоднородности магнитного поля желательно, чтобы граница между частями магнитов й+v проходила по радиусу Я > —à 2, Для частичного размагничивания кольцевых магнитов. могут быть использованы ленточные индукторы в виде кольца, примыкающего к торцам магнита, при этом внутренний диаметр кольцевого индуктора совпадает с границей между внутренней и наружной частями магнита. При прохождении тока по индикатору внешнее магнитное поле индуктора размагничивает наружную часть магнитов, а магнитное поле рассеяния из внутреннего канала индуктора, имеющее обратное направление относительно внешнего магнитного поля, подмагничивает внутреннюю часть магнита.

Технико-Экономические преимущества предложенного способа следующие.

Не увеличивая уровень поперечных полей в магнитной линзе, не привлекая шунтов, приводящих к увеличению ее массы и габаритов, не исключая характер распределения продольного магнитного поля в ее канале, удается в значительных пределах варьировать

Составитель В. Баклаков

Техред А.Ач Корректор А. Зимокосов.

Редактор A . Шандор

Заказ 2028/50 Тираж 683 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 з 1084914 4 величиной продольного магнитного предлагаемым способом увеличивается поля и настраивать магнитную линзу процент выхода годных магнитов, на требуемый уровень этого поля, бракуемых по уровню поперечных полей, За счет снижения неоднородностей маг- и экономятся дорогостоящие и дефинитного поля в линзах при настройке 5 цитные самарий и кобальт.

Способ настройки магнитной линзы Способ настройки магнитной линзы Способ настройки магнитной линзы 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электронной техники, в частности, к производству электровакуумных приборов (ЭВП) СВЧ, в которых фокусировка электронного потока осуществляется магнитными периодическими фокусирующими системами (МПФС)

Изобретение относится к магнитным системам для получения однородного постоянного магнитного поля, в частности малогабаритным магнитным системам, используемым в устройствах и приборах ЯМР и ЭПР-спектроскопии

Изобретение относится к области тонкой артерии

Изобретение относится к электротехническому оборудованию для мощных электронно-лучевых приборов СВЧ, в частности к магнитным фокусирующим устройствам с использованием длинного соленоида с жидкостным охлаждением

Изобретение относится к электротехнике, к измерительной технике и может быть использовано в устройствах и приборах ядерного магнитного резонанса (ЯМР)

Изобретение относится к элементам фокусирующих систем электронно-лучевых и СВЧ-приборов с поперечно-продольным взаимодействием и может быть использовано также в ускорительной технике и электронной микроскопии

Изобретение относится к электронной технике, в частности к конструкции коллектора многолучевого электронного прибора, например клистрона

Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к многолучевым приборам СВЧ О-типа (клистрон, ЛБВ и т.д.)

Изобретение относится к электровакуумным СВЧ приборам, в частности к элементам магнитной фокусировки электронных пучков в таких приборах

Изобретение относится к электронике СВЧ, в частности к электровакуумным приборам "0" типа с электронным пучком, фокусируемым системой с постоянными магнитами
Наверх