Игнитрон

 

Класс 21е, 14оз

PPo f 1 ДЯЗ

СССР

4!.

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ—

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

В. М, Мантров

ИГНИТРОН

Заявлено 20 января 1958 г. за № 590193 в Комитет но делам изобретений и открытий нри Совете Министров СССР

Недостатком обычно применяемых игнитронов является то, что катодное пятно главного тока перегревает игнайтер и при больших разрядных токах быстро выводит его из строя.

В описываемой конструкции игнитрона указанный недостаток устранен применением вспомогательного катода, изолированного от главного катода. Зажигание катодного пятна осуществляется игнайтером, погруженным в ртуть вспомогательного катода. Это устраняет непосредственное воздействие катодного пятна на игнайтер, благодаря чему увеличивается срок его службы и повышается надежность работы игнитрона.

На фиг. 1 изображен разрез нижней части описываемого игнитрона; на фиг. 2 — схема включения цепей зажигания и подхватывающего анода; на фиг. 3 — заполнение ртутью описываемого игнитрона.

В ртуть вспомогательного катода 1, изолированного от главного катода 2, опущен игнайтер 8 (см фиг. 1). Цепь игнайтер 8 — вспомогательный катод 1 изолирована от цепи подхватывающий анод 4 — главный катод 2 и цепи главного тока (см. фиг. 2). Вспышка игнайтера 3 происходит на вспомогательном катоде 1, а катодное пятно появляется на главном катоде 2 и возбуждается дуга на подхватывающий анод 4. Таким образом, в игнитроне со вспомогательным катодом катодное пятно периодически появляется вдали от игнайтера, что значительно уменьшает тепловое воздействие главного катодного пятна и разрядного тока на игнайтер.

Появление катодного пятна на главном катоде 2 при поджиге игнайтера 8 на изолированном вспомогательном катоде 1 объясняется следующим образом. При вспышке игнайтера 3 на изолированном вспомогательном катоде 1 в игнитроне появляется плазма, ионы которой попадают на главный катод 2 и при наличии напряжения между главным катодом 2 и подхватывающим анодом 4 поджигают на главном катоде 2 катодное пятно.

В предлагаемом игнитроне катодное пятно на главном катоде, регулярно появляется при напряжении на подхватывающем аноде 4 порядИо 115623 ка примерно 30 — 40 в (по отношению к главному катоду); катодное пятно появляется на главном катоде через несколько микросекунд после вспышки игнайтера 3 на вспомогательном катоде 1, т. е. практически катодное пятно в этом случае возникает, одновременно со вспышкой игнайтера, Запыление изолятора 5, а также его смачивание загрязненной ртутью не ухудшают, а наоборот, облегчают появление катодного пятна на главном катоде 2. При механическом разрушении изоляции вспомогательного катода 1, игнитрон не выбывает из строя, а продолжает работу, как игнитрон обычной конструкции.

Описываемый игнитрон при изготовлении заполняется ртутью таким образом, чтобы главный катод 2 и вспомогательный катод 1 представляли одно сплошное зеркало ртути. При формовке часть ртути " катодов испаряется и остается на стенках нгнитрона, вследствие чего уровень ртути в игнитроне опускается, а главный и вспомогательный катоды становятся изолированными друг от друга (см. фнг. 3). При работе игнитрона мощное катодное пятно, возникающее на главном катоде 2, создает непрерывные волнообразные колебания поверхности ртути, вследствие чего ртуть из главного катода 2 заплескивается во вспомогательный катод 1, поэтому вспомогательный катод 1 при работе игнитрона всегда оказывается доверху заполненным ртутью.

Предмет изобретения

Игнитрон, о тл и ч а ю щи и с я тем, что, с целью повышения надежности его работы и увеличения срока службы игнайтера, в нем применен вспомогательный катод, изолированный от основного катода, и игнайтер погружен в ртуть вспомогательного катода с тем, чтобы плазма, возникающая при вспышке игнайтера, ионизировала разрядный промежуток между основным катодом и подхватывающим анодом, обеспечивая возникновение газового разряда.

Фиг 1

Игнитрон Игнитрон Игнитрон 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике формирования сильноточных электрических импульсов
Наверх