Способ изготовления катушек индуктивности первичных измерительных преобразователей

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ KATYDJEK ИНДУКТИВНОСТИ ПЕРВИЧНЫХ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, заключаюищйся В ТОМ, что наносят на диэлектрическое основание слой токопроводящего матариала , формируют маску из фоторезиста в форме витков катушек индуктивности и удаляют путем химического травления незащищенные фоторезистом участки токопроводящего материала, а также часть токопроводящего материала под фоторезистом в результате бокового химического травления, о т личающийс . я тем, что, с целью повышения чувствительности первичных измерительных преобразователей , после химического травления наносят на поверхность полученной структуры слой токопроводящего материала и удаляют фоторезистивную маску с нанесенным на нее в предшествующей операции токопроводящим материа-§ лом путем воздействия на полученную структуру органическим растворителем . С

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (19) (11) 1(51) 6 01 N 27/90

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ ГЕНИЙ

Н ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1

1 ! ! ,К)

М иг.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР по делАм изоБРетений и ОтнРытий (21) 3626187/25-28 (22) 26.07.83 (46) 15.09.84. Бюл. Р 34 (72) А.П.БУшмин и В.В. Хайрюэов (71) Кубанский ордена Трудового

Красного Знамени сельскохозяйственный институт (53) 620.179.14 (088.8) (56) 1.Авторское свидетельство СССР

9 700830, кл. G 01 N 27/90, 1978.

2.Аренков A.Á. Печатные и пленочные элементы радиоэлектронной àïïàратуры. Л., Энергия, 1971,с.238 (прототип) . (54)(57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КАТУШЕК

ИНДУКТИВНОСТИ ПЕРВИЧНЫХ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, заключающийся в том, что наносят на диэлектрическое основание слой токопроводящего матариала, формируют маску из фотореэиста в форме витков катушек индуктивности и удаляют путем химического травления незащищенные фоторезистом участки токопроводящего материала, а также часть токопроводящего материала под фоторезистом в результате бокового химического травления, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения чувствительности первичных измерительных преобразователей, после химического травления наносят на поверхность полученной структуры слой токопроводящего материала и удаляют фоторезистивную маску с нанесенным на нее в !предшествующей операции токопроводящим матерна- Я лом путем воздействия на полученную структуру органическим растворителем.

1113729

Изобретение относится к неразрушающему контролю и может быть использовано для изготовления первичных измерительных преобразователей, например вихретоковых или индукционных.

Известен способ изготовления катушек индуктивности первичных измерительных преобразователей, заключающийся в выполнении многослойных спиральных катушек индуктивности по технологии печатных плат 11. 10

Однако известный способ характеризуется недостаточной разрешающей способностью, что связано с невозможностью получения межвитковых расстояний менее 30 мкм, Это не позволяет обеспечить требуемую чувствительность первичных измерительных преобразователей с катушками индуктивности, полученными известным способом.

Наиболее близким к изобретению по те-нической сущности является способ изготовления катушек индуктивности первичных измерительных преобразователей, заключающийся в том, что наносят на диэлектрическое основание слой токопроводящего материала, 25 формируют маску из фоторезиста в форI ме витков катушек индуктивности и удаляют путем химического травления незащищенные фоторезистом участки токопроводящего материала, а также часть токопроводящего материала под фоторезистом в результате бокового химического травления, удаляют фоторезистивную маску и получают катушку индуктивности (23, Этот способ также не позволяет изготавливать первичные измерительные преобразователи с требуемой чувствительностью,так как межвитковое расстояние определяется не только з аданным40 на фоторезистивной маске,но и величиной бокового химического правления .

Цель изобретения — повышение чувствительности первичных измерительных преобразователей. 45

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления катушек индуктивности первичных измерительных преобразователей, заключающемуся в том, что наносят на диэлектрическое основание слой токопроводящего материала, формируют маску из фоторезиста в форме витков катушек индуктивности и удаляют путем химического травления незащищенные фоторезистом участки токопроводящего материала, а также часть токопроводящего материала под фоторезистом в результате бокового химического травления, после химического травле. ния наносят на поверхность получен-,.60 ной структуры слой токопроводящего материала и удаляют фоторезистивную маску с нанесенным на нее в предше ствующей операции токопроводящим. материалом путем воздействия на 65 полученную структуру органическим растворителем.

На фиг. 1-б показана последовательность операций изготовления катушек индуктивности; на фиг. 7 катушки индуктивности, общий. вид.

На диэлектрическое основание 1 наносят, например, методом вакуумного напыления слой 2 токопроводящего материала (фиг. 1) . В качестве материалов могут быть использованы Al, Cu Au In имеющие хорошую адгезию к поверхности диэлектрического основания и низкое удельное электросопротивление. На поверхность токопро-. водящего слоя 2 наносят слой фоторезиста 3 (фиг. 2) любым известным подходящим методом, например центрифугированием. Используя фотошаблон, осуществляют экспонирование фоторезиста и, проявляя его, получают фоторезистную маску в форме витков катушки индуктивности (фиг. 3) . Рисунок фотошаблона имеет вид спирали, а расстояние между ее витками рекомендуется выбирать равным ширине спирали. Путем химического травления удаляют незащищенные фоторезистом участки токопроводящего слоя (фиг ° 4) . Регулированием времени травления .добиваются необходимой величины бокового травления 4 (подтрава) . Время травления, необходимое для частичного удаления защищенной !

Фоторезистом пленки на заданное расстояние зависит от типа напыленного материала, концентрации растворителя и его температуры и может быть определено эмпирически. После необходимой очистки поверхности от остатков растворителя осуществляют дополнительное напыление слоя токопроводящего материала 5 на поверхность полученной структуры (фиг. 5) .

Фоторезистную маску с находящимся на ней токопроводящим материалом удаляют воздействием на полученную структуру органическим растворителем, который, проникая сквозь поры токопроводящей пленки в фоторезист, приводит к его набуханию и снятию.

В результате снятия фоторезистной маски получают индуктивный преобразователь с двумя спиральными индуктивностями, расположенными на диэлек-, трическом основании с расстоянием между витками, равным величине бокового травления 4 (фиг.б и 7) с выводами б и 7.

Предлагаемый способ изготовления катушек позволяет повысить чувстви тельность преобразователя практически в два раза за счет уменьшения межвиткового расстояния до величины бокового травления. Кроме того, способ не требует сложной технологической оснастки и может быть реализован на стандартном оборудовании для производства печатных плат.

1113729

1113729

Составитель П.Шкатов

Редактор А.Гулько Техред И. Асталош

Корректор A.Фоври

Филиал ППП Патент, г.Ужгород, ул.Проектная,4

Заказ 6612/37 Тираж 822 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5