Способ изготовления многослойного электрофотографического носителя

 

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОГО ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОГО НОСИТЕЛЯ, включакнций вакуумное напыление фотополупроводникового материала на подложку и последукяцее соединение ее с диэлектрической прозрачной пленкой, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда, и снижения стоимости исходных компонентов , одновременно с напылением на подложку производят напыпение фотополупроводникового материала на гибкую прозрачную диэлектричеслсую пленку, а соединение производят диффузионной сваркой в вакууме. 2. Способ ПОП.1, отличающийся тем, что. после напыления § один или оба напыленных слоя дополнительно подогревают на 10-30 0 (Л для приведения их в вязкотекучее состояние.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

Ш

РЕСПУБЛИК (19) (11) (у) Я 03 G 5/04

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 2499014/28-.12 . (22) 13.06. 77 (46) 15.10.84. БюлМ38 (72) А.А.Багдонавичюс, P.À.Балтрушайтис, P.Ã.Æèëåíàñ, В.А.Макарычев, И.Б.Сидаравичюс, С.А.Таурайтене и А.C.Òàóðàéòèñ (71) Научно-исследовательский институт электрографии (53) 772.93(088.8) (56) 1. Патент США @3769010, кл. 95-1, 5, 1973.

2, Патент Великобритании, @1385699, кл. Я 03 5 5/04, 1974 (прототип). (54) (57) 1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

МНОГОСЛОЙНОГО ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОГО НОСИТЕЛЯ, включающий вакуумное напыпение фотополупроводникового материала на подложку и последующее соединение ее с диэлектрической

:прозрачной пленкой, о т л и ч а юшийся тем, что, с. целью повышения производительности труда, и снижения стоимости исходных компонентов, одновременно с напылением на подложку производят напыпение фотополупроводникового материала, на гибкую прозрачную диэлектрическую пленку, а соединение производят диффузионной сваркой в вакууме..

2. Способ по п.1, о т л и ч а юшийся . тем, что. после напыления один или оба напыпенных слоя дополнительно подогревают на 10-30 С для приведения их в вязкотекучее. состояние.

1118955 3. Изобретение относится к электрографии, в честности к спо<Гобам йзготовления электрофотографических фотополупроводниковых носителей записи. $

Известен способ изготовления многослойных электрофотографических носителей, включающий напыление в вакууме 10 - 10 мм рт.ст. сплава

4е-Те толщиной 30 мкм на подложку, 1О нагретую до 65-80 С, и приклеиваиие полиэтилентерефталатной пленки эпоксидной смолой после процесса напыления вне вакуумной камеры 1 ).

Недостатком данного способа яв- 1$ ляется сложность автоматизации технологического процесса, в связи с тем, что часть процесса происходит в вакууме, а окончание — в воздушной среде, что вызывает использова- рО ние различного по характеру технологического оборудования.

Кроме того, недостатком является невозможность получения достаточной толщины слоя (больше 30 мкм) на гиб- 2$ кой подложке из-эа хрупкости стеклообраэного фотополупроводника.

Известен также способ изготовления многослойного электрофотографического носителя, согласно которому ЭО адгезионное соединение верхнего диэлектрического слоя с фотополукроводниковым слоем осуществляется с помощью промежуточного диэлектрического термореактивного слоя (2 ).

Э$

Недостатком известного способа является его многостадийность, а следовательно, низкая производитель. ность, в связи с тем, что после напыления в вакуумной камере фотопо- 4О лупроводниковый слой вынимают иэ нее и переносят в герметичную камеру, в которой наносят термореактивный слой и приклеивают диэлектрическую пленку. Кроме того, этот способ не- 4$ пригоден для изготовления структуры с аморфным фотополупроводником" по гибкой подложке, так как после охлаждения слой становится хрупким, что вызывает его растрескивание в процессе его дальнейшей технологической обработки.

Цель изобретения — повышение производительности труда и скорости из- $$ готовления многослойного носителя, а также снижение стоимости исходных компонентов.

Поставленная цель достигается путем применения диффузионной вакуумной сварки фотополупроводниковых материалов в сочетании с раздельным напылением аморфных фотополупроводниковых слоев на гибкие диэлектрические подложки.

В результате получается монолитный носитель, в котором аморфный фотополупроводник армирован с двух сторон диэлектрическими пленками, которые предотвращают когеэионное разрушение слоя аморфного фотополу« проводника при изгибах основы, Монолитность обеспечивается тремя адгеэионными соединениями, два из которых получают в результате вакуумного напыления фотополупроводника на гибкие упругие пленки, а третьевакуумной диффузионной сваркой, обеспечивающей, кроме прочности соединения, еще и прозрачность для носителей фототока.

Процесс изготовления многослойной структуры электрофотографнческого носителя заключается в следующем .

На предварительно обезжиренную подложку методом вакуумного испарения наносят один или несколько фотополупроводниковых слоев. В другой части вакуумной камере методом вакуумного напыления на прозрачную диэлектрическую пленку наносится необходимый фотополупроводник. Температура подложки и диэлектрической пленки в момент напыления поддерживается в необходимых пределах с целью получения фотополупроводниковых слоев с заданными параметрами .

Затем производитСя нагревание изготовленных структур до вязкотекучего состояния фотополупроводниковых слоев, совмещение их и прижим. После охлаждения полученный.многослойный электрофотографический носитель извлекают из камеры. Все описанные операции производятся в вакуумной камере и в один технологический прием.

В качестве гибких прозрачных пленок используют лавсановую пленку (толщина одной из них 20 мкм, толщина другой 70 мкм, причем другая имеет полупрозрачное платиновое покрытие) .

Пример 1. Селеновый слой толщиной 60 мкм напыпяли на лавсан

Составитель М. Волкова

Редактор Л. Пчелинская Техред Л.Коцюбняк Корректор В.Бутяга

Заказ 7448/33 Тираж 463 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-.35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 111895 с платиновым покрытием при темпера1 туре лавсана 72 С и скорости напыления 1-,3 мкм/мин. Тонкий селеновый слоЯ 1-2 мкм наносили на другую лав» сановую пленку меньшей толщины при тех же условиях. Затем температуру обоих слоев или только слоя большей толщины увеличивали на 13 С (доводили до 85 C) Поверхности слоев приводили в плотный механический 1п контакт до полного охлаждения. Полуяенный таким образом носитель обеспечивал при записи изорражения электростатический контраст 900 В при чувствительности 5 лкс в сине-зеленой части спектра. Носитель допускает изгиб на ролике диаметром 10 мм без когезионного разрушения слоя.

Пример 2. На тонкую лавсановую пленку напыпяли слой As áe >О

5 4 толщиной 3 мкм при температуре под- ложки 150 С и скорости напыпения

1 мкм/мин, Селеновый слой 50 мкм наносили в условиях примера 1.Перед диффуэиойной сваркой температуру селенового слоя доводили до 90-95 С. Получен контраст электростатического скрытого иэображения 600 В..Чувствительность одинаковая в синей и красной областях спектра 60 лк с (по .полуспаду).

Пример 3. Аналогично примеру

2 изготовили носитель.,в котором вместо Аз Ве напыпяли слой Я -Se- Э.

2.

Введение уменьшает температуру стеклования и делает слой более пластичным, улучшая тем самым условия диффузионной сварки.