Способ очистки бескислородных газов от арсина
СПОСОБ ОЧИСТКИ БЕСКИСЛОРОДНЫХ ГАЗОВ ОТ АРСИНА контактированием с твердым материалом с температурой до 200°С, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки, очищаемый газ предварительно нагревают до 280-610.с, а в качестве твердого материала используют металлическую медь.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
„,SU„„1119720 A
3(58 В 01 D 5700 В Ol D 5302
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ
f - —., / pq
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ /
CO
М
М
С0
К А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3559401/23-26 (22) 03.03.83 (46) 23.10.84. Бюл. № 39 (72) В. В. Рыбаков, В. И. Андреев, Л. И. Теплов и С. Я. Пивоварова (53) 66.074.3 (088.8) (56) 1. Патент США № 3833498, кл. С 10 G 17/00, 1974.
2. Патент США № 3789581, кл. В 01 D 53/
04, 1974. (54) (57) СПОСОБ ОЧИСТКИ БЕСКИСЛОРОДНЫХ ГАЗОВ ОТ АРСИНА контактированием с твердым материалом с температурой до 200 С, отличающийся тем, что, с целью повышения степени очистки, очищаемый газ предварительно нагревают до
280-610. С, а в качестве твердого материала используют металлическую медь.
1119720
4,37
1 20
2 50
3 100
12,6
5,0
3,65
5,0.27,0
56,3
2,18
5,0
1,86
150 5,0
200 5,0
250 5,0
278 5,0
280 а 5а0
62,8
74,1
1,29
1,02
79,6
0,58
88,4
О, 001
99,99
99,99
350
5,0
0,001
Изобретение относится к способу очистки газов от арсина и может быть использовано в электронной, химической, нефтеперерабатывающей и других отраслях народного хозяйства.
Известен способ очистки газов от AsH контактированием с активным углем, полученным из битуминозного угля, содержащим кобальт, никель, молибден, ванадий или титан (1) .
Однако этот способ не обеспечивает полной очистки.
Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является способ очистки бескислородных газов от АзНз контактированием с окислами меди или свинца, нанесенными на окись алюминия, имеющими температуру 10—
200 С (2) .
Однако известный способ обеспечивает степень очистки от AsH>, равную 99,80%.
Целью изобретения является повышение степени очистки.
Поставленная цель достигается тем, что согласно способу очистки бескислородных газов от AsH> контактированием с твердым материалом с температурой до 200 С, очищаемый газ предварительно нагревают до 280-610 С, а в качестве твердого материала используют металлическую медь.
Технология способа состоит в следующем.
Очищаемый от AsHs газовый поток, не содержащий кислорода, подают в электрообогреваемый трубчатый реактор, где газ нагревается до 280-610 С и в результате пиролиза AsH образуется мышьяк. Далее на охлаждаемой медной подложке, установленной навстречу потоку, с температурой не выше 200 C происходит конденсация мышьяка. Часть арсина, неразложившегося в
10 результате пиролиза, взаимодеиствует с медью с образованием интерметаллических соединений.
Пример 1. Отходящие арсинсодержащие газы производства полупроводниковых при15 боров с концентрацией арсина 5,0 мг/нм направляют в трубчатый реактор пиролиза на очистку. Степень очистки газового потока от арсина в интервале темпетатур 20-278 С составила 12,6 — 88,4%
Пример 2 Арсинсодержащий газовый поток с концентрацией арсина 5,0 мг/нмз направляют в реактор пиролиза на очистку.
Степень очистки газового потока от арсина в интервале темпетатур 280-610 С составила 99,99%.
25 Пример 8. Газовый поток с концентрацией арсина 5,0 мг/нм направляют на очистку в реактор пиролиза. Степень очистки газового потока от арсина при температурах 615800 С составила 96,5-72,0%. Результаты испытаний приведены в таблице.
1119720
Продолжение таблицы
5,0
5,0
5 0
96,5
0,17
5,0
90,0
0,5
5,0
82,3
0,88
5,0
15 700
16 800
1,4
72,0
5,0 до 99,99% против 99,80% в известном способе.
Составитель Г. Винокурова
Редактор А. Шишкина Техред И. Верес Корректор О. Тигор
Заказ 7508/6 Тираж 681 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП «Патент», r. Ужгород, ул. Проектная, 4
10 400
11 500
12 610
13 615
14 650
Результаты приведенных анализов показывают, что предлагаемый способ позволяет повысить степень очистки от AsH> с
О, 001
О, 001
О, 001
99,99
99,99
99,99
