Способ формирования скрытого изображения на фотографическом носителе

 

1. СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СКРЫТОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ФОТОГРАФИЧЕСКОМ НОСИТЕЛЕ, включающий его экспонирование и воздействие на него электрическим полем, отличающийся тем, что, с целью -упрощения способа путем осуществления возможности временного разделения операций экспонирования и воздействия полем, проэкспонированный носитель равномерно засвечивают в спект . ральном диапазоне поглощения света на ловзппках электронов в ползтроводнике с одновременным воздействием на него электрическим полем, вызывающим лавинное размножение электронов ,, высвобожденных с ловушек засветкой . 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что экспозиционная доза равномерной засветки составляет не менее 10 Дж/см.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

WOW °

РЕСПУБЛИК

„„SIJ „„112821 7

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТЗФ (21) 3607467/28-12 (22) 15,06.83 (46).07.12.84. Бюл. Р 45 (72) В.M. Уланов (7.1) Тульский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт (53) 772.93(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

В .189304, кл. G 03 С 5/00, 1980. (54) (57) 1. СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ

СКРЫТОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ФОТОГРАФИЧЕСКОМ НОСИТЕЛЕ, включающий его экспонирование и воздействие на него электрическим полем, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью -упрощеpe С 03 G 17/00 С 03 С 5 00 ния способа путем осуществления возможности временного разделения операций экспонирования и воздействия полем, проэкспонированный носитель равномерно засвечивают в спект. ральном диапазоне поглощения света на ловушках электронов в полупроводнике с одновременным воздействием на него электрическим полем, вызывающим лавинное размножение электронов,> высвобожденных с ловушек засветкой.

2. Способ по п. 1„ о т л и ч аю шийся тем, что экспозиционная доза равномерной засветки составляет не менее 10 Дж/см .

7 2 граница неактиничной засветки, однако для всех современных фотографических материалов излучение с энергией менее 1,2 эВ является неактиннчным. Нижняя граница энергии квантов неактиничного излучения должна составлять не менее 0,77 эВ, что связано с глубиной ловушек, из которых происходит освобождение электронов в микрокристаллах. Экспозиционная доза неактиничного излучения должна составлять не менее

10 Дж/см . Приложение в момент неактнничной засветки. импульса электрического поля приводит к лавинообразованию. Вследствие этого мелкие частицы серебра вырастают и приводят к последующему проявлению недоэкспонированныхмикрокристаллов.

Таким образом, отпадает необходимость в использовании аппаратуры, осуществляющей приложение электрического поля непосредственно в момент экспонирования, поскольку неактиничное освещение и приложение электрического поля можно осуществлять после экспонирования уже в лабораторных условиях.

Напряженность электрического поля в фотографическом носителе должна составлять 1-3 ИВ/см. Нижняя граница напряженности обусловлена необходимостью начала процесса размножения электронов, а верхняя — свя.зана с вуалирующим действием электрического поля, возникающим в результате срыва электронов с различных дефектных мест на поверхности .микрокристаллов.

Пример . Пленку PM-1 экспонируют световой вспышкой длительностью 100 нс. После этого в лабораторных условиях засвечивают неактиничным светом через фильтр КС-14 с одновременным приложением электрического поля. Экспозиционная доза неактиничного излучения состав- ляла 8 10 Дж/см . Чувствитепь-5 ) ность пленки Ри-1 повышалась в. 9,0;

8,6; 8,4 раза соответственно для напряженности поля 3,0 2,0, 1,0 NB/см. Изменение длительности импульса электрического поля от

0,1 до 1,0 мкс не изменяло величины эффекта.

При использовании предлагаемого способа отпадает необходимость в эксплуатации транспортных средств для перевозки высоковольтных генераторов, 20

1 112821

Изобретение относится к фотографии и может быть использовано для повышения чувствительности фотографических материалов.

Известен способ формирования

5 скрытого изображения на фотографическом носителе ° включающий его экспонирование и воздействие на него электрическим полем „1 ).

Недостатком известного способа является сложность процесса.

Цель изобретения †. упрощение способа путем осуществления возможности временного разделения операций экспонирования и воздействия полем.

Для достижения поставленной цели согласно способу формирования скрытого изображения на фотографическом носителе, включающему его экспонирование и воздействие на него электрическим полем, проэкспонированный носитель равномерно засвечивают в спектральном диапазоне поглощения света на ловушках электронов в полупроводнике с одновременным воздействием на него электрическим полем, вызывающим лавинное размножение электронов, высвобожденных с ловушек засветкой.

Причем экспозиционная доза равномерной засветки составляет не менее

1P Дж/см .

Способ осуществляется следующим образом. фотографический носитель после экспонирования актиничным освещением 35 подвергают последующей в лабораторных условиях неактиничной засветке с одновременным приложением импульсного электрического поля. Механизм действия электрического по- 4О ля сводится к следующему. При кратковременных экспозициях фотографического носителя актиничным излуче нием происходит образование мелкодисперсного серебра внутри микро- 45 кристаллов, которое не может вызвать их проявления. Под действием длинноволнового — неактиничного света электроны с этих частиц серебра переводятся в зону проводимос- 50 ти микрокристалла — полупроводника.

Неактиничная засветка.не приводит сама по себе к увеличению оптической плотности проявленного изображения.

Для различных фотографических материалов, в соответствии с их спектральной чувствительностью, несколько различна и спектральная