Излучательная полупроводниковая многопроходная гетероструктура

 

Излучательная полупроводниковая многопроходная гетероструктура, содержащая излучательный узкозонный слой, расположенный между двумя широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью снижения пороговой плотности тока лазерного излучения и увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения, между широкозонными слоями расположен дополнительный слой с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем в излучательном слое, толщина дополнительного слоя по крайней мере в два раза меньше толщины излучательного слоя и меньше обратной величины коэффициента поглощения квантов света, возникающих в излучательном слое, а разница ширин запрещенных зон Δ на гетеропереходе между излучательным и дополнительным слоями удовлетворяет условию

где L₀ - диффузионная длина неосновных носителей в дополнительном слое;

d₀ - его толщина;

ξ - величина порядка длины Дебая в области излучательной рекомбинации;

К - постоянная Больцмана;

Т - абсолютная температура.