Запоминающее устройство

 

ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО , содержащее элементы памяти, один вывод каждого из которых соединен со словарной , а другой - с опорной шинами, генератор тока хранения, один вывод которого подключен к опорной шине, а другой - к шине нулевого потенциала, генератор тока разряда и блок разряда, состоящий из двух п-р-п-транзисторов, база первого из которых подключена к щине опорного напряжения, а эмиттер второго - к первому выводу генератора тока разряда, второй вывод которого подключен к шине нулевого потенциала, отличающееся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности и повышения быстродействия устройства, в блок разряда введен р-п-р-транзистор, эмиттер которого подключен к опорной щине, коллектор и база - соответственно к базе и коллектору второго п-р-п-транзистора, эмиттер и коллектор первого п-р-п-транзистора подключены соответственно к базе р-п-р-транзистора и к щине питающего напряжения , дополнительный эмиттер второго п-р-п-транзистора подключен к опорной щине.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5ц4 G 11 С 8 00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ 2

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3650169/24-24 (22) 30.09.83 (46) 07.08.85. Бюл. № 29 (72) M О. Ботвиник, Ю. Н. Еремин и И. В. Черняк (53) 681.327.66 (088.8) (56) JEEE Journal of Solid State Circuits, чо1 SC-13, N 5, October 1978, рр. 651 — 655. (54) (57) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРО11 СТВО, содержащее элементы памяти, один вывод каждого из которых соединен со словарной, а другой — с опорной шинами, генератор тока хранения, один вывод которого подключен к опорной шине, а другой — к шине нулевого потенциала, генератор тока разряда и блок разряда, состоящий из двух п-р-п-транзисторов, база

„„SU „, 1171848 А первого из которых подключена к шине опорного напряжения, а эмиттер второго— к первому выводу генератора тока разряда, второй вывод которого подключен к шине нулевого потенциала, отличающееся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности и повышения быстродействия устройства, в блок разряда введен р-п-р-транзистор, эмиттер которого подключен к опорной шине, коллектор и база — соответственно к базе и коллектору второго п-р-п-транзистора, эмиттер и коллектор первого п-р-п-транзистора подключены соответственно к базе р-п-р-транзистора и к шине питающего напряжения, дополнительный эмиттер второго и-р-п-транзистора подключен к опорной ш и не.

1171848

Изобретение относится к вычислительной технике и может найти применение при построении микросхем памяти большой информационной емкости.

Цель изобретения — снижение потребляемой мощности и повышение быстродействия устройства.

На чертеже изображена электрическая схема запоминающего устройства.

Запоминающее устройство содержит элементы 1 памяти, один вывод каждого из !О которых соединен со словарной шиной 2, а другой — с опорной шиной 3. Один вывод генератора 4 тока хранения подключен к опорной шине 3, а другой — к шине нулевого потенциала. Генератор 5 тока разряда и блок разряда, который состоит из двух и-р-и-транзисторов 6 и 7, база транзистора

6 подключена к шине опорного напряжения, а эмиттер транзистора 6 подключен к первому выводу генератора 5 тока разряда, второй вывод которого подключен к шине нулевого потенциала. В блок разряда введен р-и-р-транзистор 8, эмиттер которого подключен к опорной шине 3, коллектор и база — соответственно к базе и коллектору второго и-р-и-транзистора 7, эмиттер и коллектор первого п-р-п-транзистора 6 подклю- 25 чены соответственно к базе р-п-р-транзистора 8 и к шине питающего напряжения, дополнительный эмиттер второго р-и-р-транзистора 7 подключен к опорной шине 3.

Запоминающее устройство работает следующим образом. 30

При повышении напряжения на словарной шине 2 выше уровня «невыбранной строки» через открытое плечо элемента 1 памяти протекает ток заряда емкости опорной шины 3, что приводит к росту напряжения на ней и быстрому включению р-и-ртранзистора 8 и и-р-п-транзистора 7 за счет наличия цепи положительной обратной связи (база транзистора 8 соединена с коллектором транзистора 7, а коллектор тран- 40 зистора 7 соединен с базой транзистора 8).

Включение транзисторов 8 и 7, приводит к появлению дополнительного разрядного тока, словарной 2 и опорной 3 шин, определяемого генератором 5 тока разряда. При достижении словарной шиной 2 напряжения, равного напряжению «невыбранной строки», транзисторы 7 и 8 включаются за счет прекращения тока через переход эмиттер-база р-и-р-транзистора 8, вызываемого превышением напряжения, формируемого на базе р-и-р-транзистора 8 эмиттерным повторителем 6, на базу которого подано постоянное напряжение, равное напряжению на опорной шине «невыбранной строки». Это вызывает прекращение коллекторного тока р-и-ртранзистора 8, и, как следствие, прекращение базового тока и запирание и-р-и-транзистора 7. При этом большая скорость запирания обеспечивается протеканием коллекторного тока транзистора 7, задаваемого эмиттерным повторителем 6. Запирание транзисторов 8 и 7 обеспечивает отсутствие постоянного расхода мощности схе-, мы разряда, т. е. снижается потребляемая мощность запоминающего устройства.

Для повышения быстродействия по включению разрядной цепи один (или более) дополнительный эмиттер п-р-п-транзистора 7 подключен к эмиттеру п-и-р-транзистора 8, что обеспечивает емкостной ток в базу и-р-и-транзистора 7, при повышении напряжения на опорной шине 3 через емкость обратносмещенного перехода эмиттер-база.

Генератор 4 тока хранения обеспечивает протекание постоянного тока через элементы 1 памяти.

Таким образом, предлагаемая схема обеспечивает существование повышенного тока разряда емкости ранее «выбранной строки» только в то время, когда напряжение на словарной и опорной шинах выше, чем напряжение на словарной и опорной шинах «невыбранной строки», т. е. только во время переходного процесса, что приводит к снижению потребляемой мощности и повышению быстродействия.

Составитель А. Дерючин

Редактор С. Патрушева Техред И. Верес Корректор Е. Рошко

3a к аз 487 /44 Тираж 584 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и оз крытий! !3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», r. Ужгород, ул. Проектная, 4