Способ травления кристаллов висмута

 

СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ .ВИСМУТА в растворе, содержащем, .об.ч. . Азотная кислота (плотность 1,36) 2,5 - 5,0. Уксусная кислота (ледяная) 7-9, Плавиковая кислота

СОЮЗ COBETCHHX

0 Н

РЕаЪЬЛИН (l 9) (! 1) А (Sl)4 С 30 В 33/00 29/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPGHOlNY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДФРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 367967.1/23-26 (22) 23.12..83 (46) 30.08.85 Бюл. У 32 (72) И.М.Багай (71) Черновицкий ордена Трудового

Красного Знамени государственный университет (53) 621.315.592(088.8) (56) 1. Иаскольская М.П. и др. 0 возникновении дислокаций при распространении и слиянии трещин в ионных кристаллах. — Кристаллография, т.6, вып. 4, 1961, с. 605-613.

2. Авторское свидетельство СССР по заявке У 3584370/26, кл. С 30 В 33/00, 29/02, 1983. (54) (57) СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ .ВИСМУТА в растворе, содержащем,, об.ч.

Азотная кислота (плотность 1,36)

2,5 — 5,0.

Уксусная кислота (ледяная) 7 — 9, Плавиковая кислота (50X-ная)

0,02 — 0,16 при заданной температуре и времени, отличающийся тем, что, с целью увеличения четкости изображения дислокационных ямок травления в вершинах трещин кристаллов, травление ведут при -5 — +4 С в течение 30-40 мин.

Ф

77

7,0-9,0

1/601 1/30р

1/12;

1/6; 1/3; 2-3

16

Во всех шести опытах нет четкости — сплошная канавка

Нет четкости — сплошная канавка

Имеется четкость, но не на всех ямках травления

20

1 1)759

Изобретение относится к исследоцанию физических.и химических свойств веществ, в частности к избирательному травлению и полированию кристаллов висмута в процессе их подготовки для металлографического иссле дования, например, процессов разрушения методом изучения дислокационной структуры вершины трещин.

Известен способ выявления дислока-!О ционной структуры вершины трещин в ионных кристаллах, заключающийся в том, что, например, кристаллы

LiF H NaF TpasRx v pacTaope FeCI> . а кристаллы NaC1 травят в чистом 15 метиловом спирте 1 1).

Однако этот способ не позволяет выявлять дислокационную структуру вершины трещин в кристаллах с ковалентной или металлической связью.

Наиболее близким к предлагаемому является способ (2 ) травления кристаллов висмута состоящий в том, что исследуемые плоскости полируют и избирательно травят при помощи трави- 25 теля, содержащего ингредиенты в следующих количествах, Ьб,ч.:

Азотная кислота (плотность 1,36)

2,5-5 0

Уксусная кислота

ЗО (ледяная)

Плавиковая кислота (50X-ная) 0,02-0, 16

Р

Травление проводят при 16-18 С.

Этот способ также не позволяет

35 выявлять дислокационную структуру вершины трещин в кристаллах висмута.

Необходимо обеспечить возможность проведения металлографических исследований процесса разрушения кристал40 лов путем изучения дислокационной структуры вершины трещин в кристаллах висмута.

Целью изобретения является увеличение четкости изображения дислокационных ямок травления в вершинах трещин кристаллов висмута.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу травления кристаллов висмута в растворе, содержащем об.ч.:

Азотная кислота (плотность 1,36) 2,5- 5,0

Уксусная кислота (ледяная) 7,0-9,0

Плавиковая кислота (50%-ная) 0,02-0,16 при заданной температуре и времеd ни, травление ведут при (-5) — (+4) С в течение 30-40 мин.

Травление при температуре менее

-5 C и времени более 40 мин не приводйт к выявлению на вершинах трещин в кристаллах ямок травления. о

При температуре более +4 С и времени менее 30 мин в вершине трещин вытравливается сплошная канавка и нет четкости дислокационных ямок травления.

Проводят исследования монокристаллических слитков висмута, содержащих трещину, получаемую путем неполного скола кристалла вдоль плоскости распространения трещин (IH). В качестве исследуемых берут плоскости, содержещие трещину и составляющие с плоскостью (Ш) угол, близкий к прямому (например опасность типа (1011, получаемые электроискровым разрезанием слитков ° После тонкого механического шлифования этих плоскостей их подвергают травлению (см.таблицу). изображения дислокационных ямок в вершине трещин

Продолжение таблицы

1175977

30

Четкость

Имеется четкость, но она не всегда воспроизводится; наличие четкости отмечается в трех опытах из пяти.

Четкость

40

60

Местами легкое растравливание

12

Имеется четкость, но не на всех участках трещин

13

Четкость.40

60

Имеется четкость, но на некоторых участках нет ямок травления

П р и м е ч а н и е : Охлаждение травителя и стабилизация температуры проводят при помощи специально изготовленного терморегулирующего устройства, помещенного в мороэильник бытового холодильника. Травление целесооб1 разно проводить при температуре тающего льда, поскольку при этом нетнеобходимости применять терморегулирующие приспособления;

Как видно из данных, приведенных в таблице (опыты — 7,9, 10, 13, 14), предложенный способ позволяет выявлять дислокационную структуру вершины трещин путем травления исследуемых плоскостей известным травителем в течение 30-40 мин при температуре, близкой к температуре тающего льда (-5) — (+4) С и тем самым обеспечивается воэможность проведения металлографических исследований процесса разрушения кристаллов висмута.

Составитель В.Голованов

Редактор Т.Веселова Техред Т.Дубинчак Корректор В.Синицкая

Заказ 5315/31 Тираж 357 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород,. ул.Проектная, 4

Способ травления кристаллов висмута Способ травления кристаллов висмута Способ травления кристаллов висмута 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой и сверхпроводниковой электронике, преимущественно к способам изготовления функциональных устройств на основе фуллеренов

Изобретение относится к области получения поликристаллических тел из газовой фазы и может быть использовано для получения изделий из металлов, в частности из кальция или магния, имеющих высокое давление паров

Изобретение относится к способу очистки галлия методом направленной кристаллизации

Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности для получения наночастиц Ga

Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании трубчатых кристаллов вольфрама электронно-лучевой вертикальной зонной плавкой с использованием кольцевого затравочного кристалла

Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании бикристаллов переходных металлов и их сплавов
Наверх