Способ изготовления полупроводниковых структур

Авторы патента:

(19)SU(11)1178263(13)A1(51) МПК ⁶ _H01L21/208(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина:

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления оптоэлектронных приборов с применением жидкостной эпитаксии. Цель изобретения улучшение качества структур за счет снижения плотности дислокаций в эпитаксиальном слое. Примеры реализации способа. На подложках InAs (III) B и (III) A выращивают эпитаксиальные пленки InAs_0,78Sb_0,07P_0,14 (состав на гетерогранице) по режимам, представленным в таблице, где Х_In^l, X_As^l, X_Sb^l, X_P^l соответственно атомные концентрации индия, мышьяка, сурьмы и фосфора в расплаве. Время выдержки и скорость охлаждения соответственно составляют 30 мин и 0,24^оС/мин. Плотность дислокации N определяют путем подсчета ямок травления, полученных при обработке образцов в смеси: 2 мл H₂O, 8 мг AgNO₃, 1 г CrO₃, 1 мл НF (АВ травитель). Как видно из таблицы, выбор режимов за пределами указанных интервалов приводит к ухудшению качества эпитаксиальных структур InAs_1-x-ySb_xP_y.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
InAs InAs₁_-_x_-_ySb_xP_y
методом жидкофазной эпитаксии, включающий приготовление раствора-расплава, содержащего индий, мышьяк, сурьму и фосфор, приведение его в контакт с буферной пластиной арсенида индия при температуре начала эпитаксиального наращивания, изотермическую выдержку в течение 30 45 мин, приведение раствора-расплава в контакт с подложкой арсенида индия и последующее наращивание согласованных на границе с подложкой слоев твердого раствора путем принудительного охлаждения системы, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества структур за счет снижения плотности дислокаций в эпитаксиальном слое, вводят в раствор-расплав фосфор в количестве 0,11 0,19 мас. а температуру начала эпитаксиального наращивания устанавливают в диапазоне 700 730^oС.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000

Извещение опубликовано: 27.12.2000

Способ получения p-n структур соединений типа aiiibv // 1094511

Способ изготовления гетеролазерных структур на основе gaas- algaas // 1091766

Способ изготовления монокристаллов // 1083840

Способ получения p-n-структур арсенида галлия // 1009242

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках // 999872

Способ изготовления многослойных p-n структур соединений типа aiiibv // 990016

Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы // 940603

Способ получения структур с @ - @ -переходом на основе полупроводников типа @ // 928942

Способ получения селективных эпитаксиальных структур // 919540

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных эпитаксиальных структур // 2102815

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Способ эпитаксиального наращивания ограниченно растворимого амфифильного вещества // 2137250

Изобретение относится к прикладной физике и микроэлектронике и может быть использовано при получении моно- и мультислойных структур низкомолекулярных и высокомолекулярных соединений, преимущественно ограниченно растворимого амфифильного вещества (ОРАФВ) из жидкой фазы

Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры на основе соединений a3b5 методом жидкофазной эпитаксии // 2297690

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых структур из соединений А3В 5 методами эпитаксии

Способ локальной жидкостной эпитаксии // 2072584

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем

Гетероструктура на основе арсенида - антимонида - висмутида индия и способ ее получения // 2035799

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) двухслойных гетероструктур: арсенид-антимонид-висмутид индия/антимонид индия (InAs1-x-ySbxBiy/InAs1-x-ySbxBiy/InSb) для фотоприемных устройств ИК-диапазона, соответствующего ширине запрещенной зоны (Еg) эпитаксиального слоя (ЭС) менее 0,165 эВ при 77К (или положению края собственного оптического поглощения с>7,5 мкм при 77К)

Способ молекулярно-лучевой эпитаксии // 2038646

Способ изготовления локальных металлических зон // 1181461

Способ изготовления кремниевых p-n-переходов // 1382303

Способ изготовления n-p+- и p-p+-структур кремниевых непланарных приборов // 1424631

Способ изготовления структур с p-n-переходом в системе inas - ingaas // 1433324

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении оптоэлектронных приборов с применением техники жидкостной эпитаксии