Перестраиваемый по частоте резонатор объемных акустических волн

 

ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЙ ПО ЧАСТОТЕ РЕЗОНАТОР ОБЪЕМНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН, содержащий регулируемый источник постоянного магнитного поля. пьезопреобразователь с электродами , выполненный в виде пластины и размещенный между разноименными полюсами магнитов источника п остоянного магнитного поля, и слой магнитного материала, отличающийся тем, что, с .целью увеличения диапазона перестройки частоты резонатора, слой магнитного материала выполнен в виде пластины 2-среза монокристалла гематита, размещенной на нижней грани пьезопреобразователя , при этом полярная ось пьезопреобразователя перпендиS кулярна торцам магнитов источника постоянного магнитного поля и кол (Л линеарна кристаллографической оси X монокристалла гематита. 00 IND Oi tc |

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (51)4 Н ОЗ Н 9/15

ОПИОАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3655531/40-23 (22) 19. 10.83 (46) 30.09.85. Бюл. У 36 (72) А .Н. Алексеев, В.А.Ермолов, М.В.Злоказов и А.Л.Проклов (71) Московский ордена Трудового

Красного Знамени инженерно-физический институт (53) 621.372.412(088.8) (56) Патент Англии У 1.277.455, кл. Н 3 И, 1972.

IEEE Transaction on sonics and

ultrasonics V.SU-12 Р 2, р.59, 1965. (54)(57) IIEPECTPAHBAEMblA ПО ЧАСТОТЕ

РЕЗОНАТОР ОБЪЕМНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ

ВОЛН, содержащий регулируемый источник постоянного магнитного поля, „„SU„„1182627 А пьезопреобразователь с электродами, выполненный в виде пластины и размещенный между разноименными полюсами магнитов источника постоянного магнитного поля, и слой магнитного материала, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью увеличения диапазона перестройки частоты резонатора, слой магнитного материала выполнен в виде пластины

Я-среза монокристалла гематита, размещенной на нижней грани пьезопреобразователя, при этом полярная ось пьезопреобразователя перпендикулярна торцам магнитов источника постоянного магнитного поля и коллинеарна кристаллографической оси Х монокристалла гематита.

1182627

Составитель В. Литвинов

Редактор M. Бандура Техред H.Êóçüìà

Корректор N. Самборская

Заказ 6117/53 Тираж 871

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к пьезореэонаторам объемных акустических волн, и может быть использовано для часто ной селекции сигналов . или в качестве частотозадающего, элемента высокостабильных автогенераторов.

Целью изобретения является увеличение диапазона перестройки частоты резонатора.

На чертеже представлена конструкция перестраиваемого по частоте резонатора объемных акустических волн.

Перестраиваемый по частоте резонатор содержит слой магнитного материала в виде пластины Р -среза монокристалла гематита 1 пьезопреобразонатель 2 с электродами 3, 4 и регулируемый источник 5 постоянного магнитного .поля.

Устройство работает следующим образом.

При приложении переменного электрического напряжения к электродам

3, 4 пьезопреобразователя 2 через него протекает электрический ток, величина которого зависит от частоты и максимальна на частоте, совпадающей с частотой механического резонанса перестраиваемого на час.тоте резонатора. Последняя зависит от упругих свойств пьезопреобразователя 2 и пластины монокристалла гематита, а также от соотношения их геометрических размеров.

При изменении величины внешнего магнитного поля, создаваемого регу" лируемым источником 5 постоянного магнитного поля, происходит изменение упругих свойств гематита, что в свою очередь приводит к изменению частоты резонанса перестраиваемого

10 по частоте резонатора. При этом благодаря ориентации полярной оси пьезопреобразователя 2 перпендикулярно торцам магнитов источника 5 постоянного магнитного поля и колли l5 неарно кристаллографической оси пластины монокристалла гематита 1 в перестраиваемом по частоте резонаторе возбуждаются колебания сдвига в плоскости монокристалла ге?0 матита с направлением смещения частиц вдоль оси. Резонансная частота этих колебаний определяется модулем упругости С пластины монокристалла гематита 1. Выбор направления

25 внешнего магнитного поля параллельно оси Х кристалла гематита обеспечивает максимальное изменение модуля упругости С от величины поля и обеспечивает увеличение диапазона перестройки частоты резонатора.

Изменение внешнего магнитного поля в диапазоне 500-3000 Э обеспечивает изменение резонансной час35 тоты на 20Ж.