Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора

Авторы патента:

H01L21/265 - с внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки H01J 37/30)

Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора, включающий легирование путем облучения ионами расположенных над массивными областями базы и покрытых слоем окисла кремния участков поверхности сформированной транзисторной структуры и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных транзисторов путем уменьшения тока утечки через переход база - коллектор, легирование проводят ионами фосфора в слой окисла на глубину проецированного пробега, равную 0,6-0,8 толщины слоя, дозой 10¹² - 10¹⁵ см^-2, а отжиг проводят при температуре 573-723 K в течение 6·10²- 3,5·10³ с.

Способ получения черни для поглотителей излучения // 1162341

Способ изготовления проводящих покрытий на полупроводниковых структурах // 1151149

Способ изготовления вч-транзисторных структур // 1145838

Установка ионного легирования // 1144560

Способ изготовления биполярных интегральных транзисторов // 1135378

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области производства интегральных схем (ИС)

Способ получения слоев тройного полупроводникового соединения // 1123467

Способ получения тонких магнитных пленок в полупроводниках // 1114246

Способ создания к-моп интегральных схем с самосовмещенным поликремниевым затвором // 1106350

Способ изготовления интегральных схем // 1098456

Способ геттерирующей обработки подложек кремния // 2134467

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов

Способ формирования твердотельных наноструктур // 2141699

Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении

Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками // 2164718

Изобретение относится к электронной и вакуумной технике

Способ образования кремниевой наноструктуры, решетки кремниевых квантовых проводков и основанных на них устройств // 2173003

Изобретение относится к способам образования квазиодномерных твердых кремниевых наноструктур

Способ получения кремниевых наноструктур // 2192689

Способ ионного легирования твердых тел // 2193080

Изобретение относится к области легирования твердых тел путем облучения ионами фазообразующих элементов и может быть использовано для ионной модификации структуры и физико-механических свойств металлов, полупроводников и сверхпроводников

Способ формирования нанорельефа на поверхности пленок // 2204179

Способ ионно-лучевого легирования кристаллов // 2258977

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для формирования в кристаллах областей с различным типом и величиной электропроводности с помощью имплантации ионов средних (10-5000 кэВ) энергий

Способ формирования высокосовершенных кремниевых эпитаксиальных структур со скрытыми n+-слоями // 2265912

Изобретение относится к области микроэлектроники

Способ многоэлементной ионной имплантации (варианты) // 2285069

Изобретение относится к области легирования твердых тел путем их облучения пучком ионов из фазообразующих атомов и может быть использовано для структурно-фазовой модификации твердых тел, например для улучшения их физико-механических, коррозионных и других практически важных свойств