Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы

 

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, содержащее вертикальный корпус, подпожкодержатель с приводом вращения и экраном, нагреватель и блок подачи газов, о тличающееся тем, что, с целью повышения качества покрытий и снижения потерь реагентов, оно снабжено перфорированной тарелкой со штоком, заполненной пористым инертным материалом, например стекловатой , нагревателем дпя подогрева газаносителя в блоке подачи газов и приспособлением для ввода газа-реагента, выполненным в виде полого перфорированного кольца, расположенного внутри экрана соосно с подложкодержателем.

СОЮЭ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (S1)5 С 23 С 16/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 3678473/02 (22) 23. 12. 83

:(46) 23.07.91. Бюл. У 27 (72) И.Г.Ларионов, С.В.Земсков, И.К.Игуменов, Г,Ким, Г.А.Луговой, С.В.Билибин, В,А,Алексеев, В.И,Ямпольский и А.g.Äðîáoò (53) 621. 793. 16 (088. 8) (56) Патент США У 3921572, кл. 118-49. 1, 1974.

Патент Франции 11-. 2271535, кл. С 23 С 11/02, 1974.

Патент США У 3916822, кл. 118-49, 1974.

Изобретение относится к области нанесения оптических и защитных пок, рытий иэ газовой фазы и касается уст1 ройства для нанесения тонких пленок на подложки, в частности устройств для получения зеркальных покрытий с высокой отражательной способностью и механической прочностью, используемых в качестве оптических элементов лазеров, Целью изобретения является повышение качества покрытий и снижение потерь реагентов.

На фиг, 1 схематично изображено предложенное устройство, продольный разрез, на фиг,2 — разрез А-А на фиг. 1.

Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы содержит герметич„„Я0„„1194042 А 1

2 (54) (57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПО

КРЫТИЙ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, содержащее вертикальный корпус, подложкодержатель с приводом вращения и экраном, нагреватель и блок подачи газов, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения качества покрытий и снижения потерь реагентов, оно снабжено перфорированной тарелкой со штоком, заполненной пористым инертным материалом, например стекловатой, нагревателем для подогрева газаносителя в блоке подачи газов и приспособлением для ввода газа-реагента, выполненным в виде полого перфорированного кольца, расположенного внутри экрана соосно с подложкодержателем. ный корпус 1, верхнюю крышку 2, закрепленный в ней блок 3 с нагревателем 4, на который через шарикоподшипники 5 опирается массивный подложкодержатель 6 с подложкой 7 и

I цилиндрическим экраном 8, установленным с возможностью вертикального перемещения. Через центральное отверстие в блоке 3 пропущен вал 9,свя занный с подложкодержателем 6 для передачи ему вращательного движения.

Сооснб.с подложкой 7 установпено приспособление для ввода газа-реагента,. выполненное в виде. полого перфорированного кольца 10, расположенного внутри экрана 8 и сообщенного с наружной трубкой 11 для подачи газа.реагента. В нижней крышке 12 соосно с подложкой 7 установлен вертикаль1194042 пературных режимов проводят процесс нанесения другого покрытия, При необходимости процесс можно повторить необходимое .число раэ. После остывания в инертной атмосфере корпус 1 разгерметизируют и подложку 7 с нанесенным покрытием извлекают.

Использование устройства позволит снизить расход ценных реагентов при обеспечении высокого качества покрытий за счет сокращения потерь с отводящими газами и при осаждении паров на металлические элементы конструкции благодаря сокращению пути движения вещества покрытия от тарелки до певерхности подложки; улучшить качество покрытий и расширить область применяемых для покрытия веществ, т.е. на одном оборудовании применять как низкокипящие, так и высококипящие вещества, при этом с широким диапазоном регулирования толщины наносимых слоев, в том числе в многослойных покрытиях, что достигается благодаря вводу вещества покрытия непосредственно под подложку раздельно от газа-реагента, воэможности изменения навески вещества и дозированной подачи газа-реагента, соответствующих толщине получаемого слоя и оптимальной скорости его наРащивания, ный цилиндрической формы блок 13 по- дачи газов с встроенным в него нагревателем 14, К нижнему торцу блока 13 подведена трубка 15 для подачи газа-носителя, а на верхний торец ограниченный горизонтальной кольцевой поверхностью, поставлена перфорированная тарелка 16, заполненная ,пористым материалом типа стекловаты 1ð с нанесенным на него веществом для"

Iпокрытия. Сопрягаемые поверхности, .. блока 13 и тарелки 16 взаимно пришлифованы, Тарелка 16.вставлена в кольцевой захват 17, связанный со штоком

18, пропущенным через уплотненное отверстие в камере-шлюзе 19, имеющей направляющую 20 для движения тарелки 16 и задвижку 21 для закрывания полости во время зарядки тарелки 16 веществом для покрытия, В крышке 2 закреплена трубка 22 для отвода отработанных газов. К наружному концу штока 18 присоединен привод продольного перемещения (не показан). В кор- 25 пус 1 вставлено смотровое окно 23 для наблюдения за процессом.

Устройство работает след1)ющим образом. К подложкодержателю 6 крепят подложку 7 и устанавливают экран 8, затем крьппку 2 устанавливают на место и корпус 1 герметиэируют. Исходное вещество равномерно наносят на пористый материал, которым заполнена перфорированная тарелка 16 и устанавливают, ее в камеру-шлюз 19 и захват 17. Камеру-шлюз 19 герметизируют и посредством задвижки 21 сообщают с полостью корпуса 1, Устройство вакуумируют до остаточного давления

1 мм рт.ст,, затем напускают инертный газ до атмосферного давления, камеру-шлюз 19 посредством задвижки

21 изолируют от корпуса 1 и в дальнейшем в нее и в корпус 1 постоянно подают аргон для создания небольшого избыточного давления, После установления соответствующих режимов расхода газа-носителя включают нагреватель 4 подложки 7 и нагреватель 14 газа-носителя. При достижении заданной температуры подложкой 7 и газомносителем включают вращение подломкодержателя 6, которое передается от внешнего привода (не показан). через

55 вал 9, при этом нагреватель 4 остается неподвижным. Через полое перфо3 рированное кольцо 10 под цилиндрический экран 8 подают необходимое для реакции количество газа-реагента.

I, Затем открывают задвижку 21 и посред-! ством штока 18 и захвата 17 перфорироI

;ванную тарелку 16 с нанесенным исход ным веществом по направляющей 20 ус- танавливают на шлифованную поверх, ность блока 13, обеспечивая герметичность соединения под собственным весом. Нагреваемое горячим газом-носителем исходное вещество испаряется и переносится на поверхность нагретой подложки 7, где происходит разложение исходного вещества, и с участием газа-реагента образуется материал покрытия, осаждающийся на подложке, а продукты разложения удаляют с потоком инертного газа через трубку 22 в крышке 2. По окончании процесса нанесения слоя покрытия тарелку 16 посредством штока 18 выдвигают в камеру-шлюз 19, задвижку 21 закрывают, камеру-шлюз 19 разгерметизируют и использованную тарелку 16 извлекают и заменяют. Камеру-шлюз 19 герметизируют, промывают инертным газом и после установления соответствующих тем1194042

Редактор Е. Гиринская Техред Л.Сердюкова Корректор Н. Ревская

Заказ 3128 Тираж 566 Подпис ное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-И, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r, Ужгород, ул. Гагарина, 101

Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии химической инфильтрации в газовой фазе и может быть использовано для уплотнения пористых подложек, преимущественно для изготовления изделий из композитных материалов посредством уплотнения волокнистых подложек веществом-матрицей

Изобретение относится к области уплотнения пористых субстратов путем инфильтрации газовой фазой

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии, к области тонкопленочного материаловедения, а именно к устройствам для нанесения тонких пленок и диэлектриков

Изобретение относится к получению изделий сложной конфигурации, в частности крупногабаритных тиглей из вольфрама

Изобретение относится к способам и устройствам для получения тонких пленок координационных соединений

Изобретение относится к технологии производства гетероэпитаксиальных структур карбида кремния на кремнии, которые могут быть использованы в качестве подложек при изготовлении элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур

Изобретение относится к источнику твердого или жидкого материала для реакторов для осаждения из газовой фазы, устройству для установки источника в реакторе для осаждения из газовой фазы и способу установки источника в реакторе
Изобретение относится к химическому нанесению покрытий осаждением паров металлических соединений, используемых в микроэлектронике

Реактор // 2405063
Изобретение относится к реактору для послойного атомного осаждения
Наверх