Способ изготовления полупроводникового преобразователя

 

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕШ, заключающийся в том, что изготавливают промежуточные фотошаблоны тензорезисторов преобразователя в виде полос с участками для корректировки номиналов тензорезисторов и выводными контактами,изготавливают по ним пробный преобразователь, измеряют сопротивления полученных тензорезисторов, изменяют конфигурацию участков для корректировки номиналов тензорезисторов в соответствии с величиной отклонения результатов измерения сопротивлений от номинала и изготавливают преобразователь по измененному фотошаблону , отличающийся тем, что, с целью повышения точности за счет снижения разброса сопротивлений тензорезисторов, выполняют участок корректировки номинала каждого тензорезистора в виде полосы, ширина которой в 2-5 раз превышает ширину полосы самого тензорезистора , а концы соединены с выводным контактом и с одним из концов тензорезистора, а изменение конфигурации участков осуществляют с S выполнением на этих участках на промежуточном фотошаблоне с учетом его масштаба прорезей, ширина которых превышает двойную ширину бокового легирования при формировании тензорезисторов, а длина пропорциональна отклонению соответствующего сопротивления тензорезистора от номинала.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТ ИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН (19) (11) (50 4 G 01 В 7/20

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3789921/25-28 (22) 11.07.84 (46) 15.12.85. Бюл. В 46 (72) С.А. Козин (53) 531. 781. 2 (088. 8.) (56) Авторское свидетельство СССР

М 691682, кл. G 01 В 7/18, 1978.

Авторское свидетельство СССР

9 769370, кл. С 01 L 1/22, 1978. (54) (57) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ, заключающийся в том, что изготавливают промежуточные фотошаблоны тензорезисторов преобразователя в виде полос с участками для корректировки номиналов тензорезисторов и выводными контактами,изготавливают по ним пробный преобразователь, измеряют сопротивления полученных тензореэисторов, изменяют конфигурацию участков для корректировки номиналов тензорезисторов в соответствии с величиной отклонения результатов измерения сопротивлений от номинала и изготавливают преобразователь по измененному фотошаблону, отличающийся тем, что, с целью повышения точности за счет снижения разброса сопротивлений тензорезисторов, выполняют участок корректировки номинала каждого тенэореэистора в виде полосы, ширина которой в 2-5 раз превышает ширину полосы самого тенэореэистора, а концы соединены с выводным контактом и с одним из концов тензорезистора, а изменение конфигурации участков осуществляют выполнением на этих участках на промежуточном фотошаблоне с учетом

его масштаба прорезей, ширина которых превышает двойную ширину бокового легирования при формировании тензорезисторов, а длина пропорциональна отклонению соответствующего сопротивления тензорезисто. ра от номинала. Изобретение относится к измерительной технике, а именно к способам изготовления полупроводниковых тензометрических преобразователей, и может быть использовано при создании тензометрическнх преобразователей повышенной точности, изготавливаемых методами интегральной микроэлектронной технологии.

Цель изобретения - повышение точности преобразователя за счет снижения разброса сопротивлений тензореэисторов.

На чертеже представлен пример преобразователя, изготавливаемого по предлагаемому способу, вид в плане.

Способ осуществляют следующим образом.

Изготавливают промежуточные фотошаблоны тензорезисторов 1-4 преобразователя в виде полос, образующих решетку тензорезисторов, с . участками 5-12 для корректировки номиналов тензорезисторов 1-4, также выполненными в виде полос, ширина которых в 2-5 раз превышает ширину полосы самого тензорезистора, а концы соединены с выводным контактом и с одним иэ концов тензорезистора, и выводными контактами 13-17, изготавливают по ним пробный преобразователь, измеряют сопротивления полученных тенэорезисторов 1-4, подключая измеритель сопротивлений поочередно к выводным контактам

13 и 17, 13 и 14, 15 и 16, 16 и 17.

По этим результатам измерения определяют отклонения сопротивлений тензорезисторов 1-4 от номинала, а также геометрические размеры про1198374 . резей, выполняемых на корректировочных участках 5-12 для подгонки номинала сопротивления каждого тензорезистора 1-4.

5 Затем на промежуточном фотошаблоне методами эрроэионной или лазерной обработки тонких пленок на корректировочных участках 5-12 выполняют прорези 18-25, ширина

10 которых превышает (с учетом масштаба фотошаблона) двойную ширину бокового легирования при формировании тензорезисторов, а длина пропорциональна отклонению соответст15 вующего сопротивления тенэорезистора от номинала.

После описанного изменения конфигурации участков 5-10 корректиров20 ки номиналов тензорезисторов приступают к изготовлению рабочих фотошаблонов, а по ним - партии полупроводниковых преобразователей. При соединении тензореэисторов 1-4 в

25 мост- разбаланс такого моста будет близок к нулю, что .обеспечивает повышение точности измерений за счет снижения погрешностей ухода начального уровня сигнала от моста до дестабилизирующих факторов. При данном способе изготовления преобразователей обеспечивается также их вэаимозаменяемость, поскольку все они имеют одни и те же номиналы и минимальный разбаланс.

Точность изготовления тензорезисторов повышается в 3-5 раз, а трудоемкость корректировки фотошаб40 лонов при применении данного способа снижается на 20-30Х.

1198374

Составитель Н. Тимошенко

Техред А.Бабинец Корректор Л. Патай

Редактор M. Петрова

Тираж 650 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 7712/41

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4