Устройство управления процессом плазмохимической обработки полупроводниковых пластин

 

УСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ ПЛАЗМОХЙМИЧЕСКОЙ ОВРАВОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, содержа:щёе первый фотоэлектрический преобгрАзователь и компаратор, о т Л и , . 14 а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности фиксаций момента .окончания плазмохимической обработ-: ;ки, в .него дополнительно введены вто -рой фотоэлектрический преобразователь , интегратор, генератор, источник постоянного напряжений, а также модулятор, -первый разделительный конденсатор, сумматор, регулируемый усилитель, второй разделительный кон денсатор и демодулятор, последовательно включенные между выходом первого фотоэлектрического преобразова .теля и входом компаратора, выхрд ; генератора соединён с входами управления модулятора и демодулятора выход интегратора подсоединен к управI ляющему входу регулируемого усилителя , а первый вход - к выходу регули- (П руемого усилителя, второй фотоэлектрический преобразователь соединен с вторым входом сумматора, а на второй вход интегратора подсоединен источник постоянного напряжения.

„.ЯО„;,; 199151

СОЮЭ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ . РЕСПУБЛИК

А1 (g1)g Н QE: L 21/302

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ .:

Il0 ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

К А ВТОРСИОМЪГ СВИДЕТЕЛЬСТВУ.

2 (21) 3765181/22-02 .: .. ;:;окончания плазмохимической обработ-. 1(22) 12.07.84 .. < !ки, в него дополнительно введены вто-", (46) 30! 11.90. Бюл. У 4:: .. рой фотоэлектрический преобразова(72) А.C.Хаййацкий, Н;П1Кохан, ... тель, интегратор,:генератор, источВ,М.Долгополов, -В.А.Сологуб, : : :: ник постоянного напряжения, а также

Б;В.Рогачев и В.И.Иванов модулятор, - первый разделительный (53) 621.04 .80 {088.8) . . ., . конденсатор, сумматор, регулируемый усилитель, второй разделительный кон

,(56) Авторское свидетельство СССР :.: .денсатор и демодулятор, последова:В 924660, кл. G 05 В -,11/01, 1982, ; : тельно включенные между выходом пер-, 31.11 В. Optical, emission andi " вого фотоэлектрического преобразоваpoint detecting for;monitoring :. .теля и входом компаратора, выход oiygen plasma photoresist strippin : генератора соединен с входами управ, - Solid State Technology, 1977, М 9, :ленни модулятора и демодулятора, выр.: 51-55, . " ход интегратора подсоединен к управ(54)(57):.:УСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ ляющему входу регулируемого усилите-: а

ПРОЦЕССОМ ПЛАЗМОХИЙИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ."ля, а первый вход - к выходу регулиПОЛУПРОВОДНИКОВЬИ ПЛАСТИН, содержа-: . руемого усилителя, второй фотоэлек-

:щее йервый фотоэлектрический преоб- ; трический преобразователь соединен с разователь и компаратор, .о т л и -.,:, вторым входом сумматора, а на второй. pg а ю щ е е с я тем, что, с целью . вход интегратора подсоединен источник .:повышения. точностй фиксации момента:.: -: постоянного напряжения.

Ф

Изобретение относится .к области. : :.-,: Устройство содержит первый фото Изготовления полупроводниковых нри-. - ::. - электрический преобразователь 1 и.ком:- .боров и может найти применение,в обо-.. паратор 2, между который последова рудовании для производства интеграль- :-, : тельно включены модулятор 3, раздели-! ных микросхем:; .-- ",-::::: "., ." .„ тельный конденсатор 4, сумматор 5,,Цель изобретения - повышение точ-, . Qerysmpyem>H усилитель:6, разделиности фиксации момента окончания. плаз-, .. тельный у онденсатор 7 и демодулятор биохимической обработкй; " : .:-. :;;-8.. К входам управления модулятора 3 .

На фиг.1 показана функциойальная :; . — и демодулятора 8 подключен выход .гене: схема описываемого устройства; на : ратора 9, - выход второго фотоэлектри . фиг.2 - диаграмма изменения напряже . ческого преобразователя 10 подклю ния с выхода различных элементов усг-.. чен к второму входу сумматора 5. Перройства. . "- вый вход интегратора 11 соединен с

119915) выходом усилителя 6,на второй вход подается постоянное напряжение U Ä, а выход соединен с входом регулировки усиления усилителя 6. Перед работой настраивают максимумы спектраль- ных характеристик преобразователей

1 и 10 так, что преобразователь 1 регистрирует составляющую излучения, интенсивность которой изменяется в процессе обработки (кривая А на фиг.2}. а преобразователь 10 регистрирует составляющую, интенсивность которой не изменяется в процессе обработки кривая Б на фиг.2 . При этом флуктуации давления и мощности влияют на интенсивность выбранных составляю- щих примерно одинаковым образом, так же как и изменение прозрачности стекла в смотровом окне установки. 20

Чтобы уменьшить погрешность определения момента окончания процесса обработки из-за флуктуаций давления и мощности, в предлагаемом устройстве сигнал с преобразователя 10 исполь- 25 зуется для калибровки тракта усиления (модулятор-демодулятор) сигналов с преобразователей 1 и 10. При этом медленно изменяющееся напряжение .с преобразователя 10 (кривая Б íà 3р фиг.2) сразу подается в тракт усили- . теля (сумматор 5, усилитель 6), а напряжение с преобразователя 1.(кри- :: вая А на фиг.2) модулируется модуля- . тором 3 частотой 1 кГц и также по- 35 дается на тракт усилителя, Если постоянная составляющая выходного напряжения усилителя 6 отли чается;. от Uo,, то интегратор 11 изменяет коэффициент усиления усилителя

6 (при уменьшении выходного нанряже= ния увеличивает коэффициент усиления и наоборот) . Например, если напряже4. ние с преобразователя 10 уменьшается на 12%, то коэффициент усиления увеличивается примерно на 12%.

Сигнал с преобразователя 1 прохо" дит тот же тракт усиления. Кроме того влияние флуктуаций давления и мощности на его выходной сигнал таков же, как на преобразователь 10, поэто, 1 му уменьшение выходного напряжения преобразователя 1 на 12% будет ском" .

I пенсировано увеличением коэффициента усиления усилителя 6 на 12%. В этом случае при изменении напряжения с. преобразователя 1 по кривой А, а с преобразователя 10 - по кривой Б выходное напряжение демодулятора 8 (кри- вая В на фиг.2) практически не будет содержать составляющих, обусловленных флуктуациями давления и мощности, За счет этого будет исключена погреш ность (Qt на фиг.2) определения момен- та окончания процесса отработки., Устройство позволяет уменьшить

Погрешность фиксации момента оконча-: ния плазмохимической обработки с 10- ..15 с до 3-4 с.

Таким образом, введение модулятора, сумматора, регулируемого усилите-. ля, двух разделительных конденсаторой,. демодулнтора, генератора, интегратора и второго фотоэлектрического преобразователя позволяет повысить точность фиксации момента окончания про- цесса в условиях флуктуаций давления, и мощности в реакторе. . 1199151

1, Редактор О.Филиппова Техред ц.-Пидык Корректор М.Шароши

:;Заказ 4341 Тираж 464: Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета йо изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-)5, .Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Устройство управления процессом плазмохимической обработки полупроводниковых пластин Устройство управления процессом плазмохимической обработки полупроводниковых пластин Устройство управления процессом плазмохимической обработки полупроводниковых пластин 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение технологичности процессов механической обработки, выхода годных пластин, в частности, из материалов группы A3B5 в случае получения пластин с допуском диаметра 0,3 мм и менее

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных газовых датчиков с тонкими мембранами /1- 5 мкм/, а также мембран для рентгеновских фотошаблонов

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых структур, получаемых:- путем механического утонения структур с нерабочей стороны структур до фиксированной толщины, например до толщины 6-20 мкм;- путем термического соединения (сварки через окисел) двух пластин разной проводимости, легирования и кристаллографической ориентации и механического утонения одной из пластин до фиксированной толщины, например до толщины 6-10 мкм;- путем механической или химико-механической доводки структур для выравнивания планарного рельефа, удаления дефектов с использованием Stop-процесса

Изобретение относится к способам термохимического травления тугоплавких химически стойких материалов, в частности к методам локального травления их поверхности, например, с использованием локального лазерного облучения

Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано для формирования многоуровневых межсоединений СБИС, в частности, для планаризации поверхности межслойного диэлектрика, межуровневого диэлектрика, для получения вертикальных проводников, диффузионно-барьерных слоев и адгезионных слоев на операциях подготовки поверхности пластин, например, при химико-механической полировке с последующей отмывкой их (гидромеханической, мегазвуковой и др.)

Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к фотошаблонным заготовкам (ФШЗ), предназначенным для формирования рисунка микроизображения при изготовлении интегральных схем

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении пластин из слитков или булей монокристаллов, например, сапфиров

Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано, например, на операциях очистки полупроводниковых пластин с помощью щеток и мегазвука
Наверх