Свч-аттенюатор

 

СВЧ-АТТЕНЮАТОР, содержащий линию передачи и полупроводниковые диоды, включенные в нее параллельно , отличающийся тем, что, с целью уменьшения неравномерности амплитудно-частотной характеристики , введены элементы связи. каждый из которых включен в разрыв линии передачи и выполнен в виде двух резисторов, включенных последовательно , к внешним выводам которых подключен реактивный элемент, выполненный , например, в виде отрезка линии передачи, электрическая длина которого равна 5-20 эл.град. для верхней частоты рабочего диапазона , а к общей точке соединения двух резисторов подключены полупроводниковые диоды, расположенные симметрично или попарно-симметрично относительно входа и выхода СВЧ- аттенюатора и число которых составляет 10-30% общего ЧИСЛА полупроводниковых диодов.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (19) (И) (59 4

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ

H ABTOPCH0MV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Я

1 ТЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3663805/24-09 (22) 21,11.83 (46) 30.12.85. Бюл. У 48 (72) Г.Б.дзехцер и С.А.Панфилов (53),621 ° 372.852.3(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 866618, кл. Н 01 P 1/22, 18.01.80.

Авторское свидетельство СССР

N 967722, .кл. Н 01 P 1/22, 05 01.78. (54)(57) СВЧ-ATTEHIOATOP, содержащий линию передачи и полупроводниковые диоды, включенные в нее параллельно, отличающийся тем, что, с целью уменьшения неравномерности амплитудно-частотной характеристики, введены элементы связи, каждый из которых включен в разрыв линии передачи и выполнен в виде двух резисторов, включенных последовательно, к внешним выводам которых подключен реактивный элемент, выполненный, напрнмер, в виде отрезка линии передачи, электрическая длина которого равна 5-20 эл.град. для верхней частоты рабочего диапазона, а к общей точке соединения двух резисторов подключены полупроводниковые диоды, расположенные симметрично или попарно-симметрично относительно входа и выхода СВЧаттенюатора и число которых составляет 10-30Х общего числа полупроводниковых диодов.

1201928

R (i)+R/2=R (i) 55

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для регулирования проходящей СВЧ-мощности в линиях передачи приемопередающей и измерительной радиоаппаратуры.

Цель изобретения — уменьшение неравномерности амплитудно-частотной характеристики СВЧ-аттенюатора.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема СВЧаттенюатора.

СВЧ-аттенюатор содержит линию передачи 1, в которую параллельно включены полупроводниковые диоды

2-8 ° В разрыв линии передачи 1 включен элемент связи 9, выполненный в виде двух резисторов 10 и 11, включенных последовательно, к внешним выводам которых подключен реактивный элемент 12, выполненный, например, в виде отрезка линии передачи, электрическая длина которого равна 5-20 для верхней частоты рабочего диапазона, а к общей точке соединения двух резисторов 10 и 11 подключен полупроводниковый диод 5, расположенный симметрично относительно входа и выхода

СВЧ-аттенюатора. Разделительные конденсаторы 13 и 14 включены в линию передачи ll на входе и выходе

СВЧ-аттенюатора, В цепях управления СВЧ-аттенюатора включены резисторы 15-18 и блокировочные конденсаторы.19-24.

В режиме пропускания, когда ток через полупроводниковые диоды 2-8 не протекает, сопротивление их велико и СВЧ-сигнал распространяется по линии передачи 1 через реактивный элемент 12 с минимальным затуханием. В качестве реактивного элемента, кроме отрезка линии передачи, может быть также использован и конденсатор„- сопротивление которого в рабочем диапазоне частот должно быть много меньше волнового сопротивления линии передачи 1.

В режиме регулирования СВЧ-мощности через все полупроводниковые диоды 2-8 протекает ток. На низких частотах электрическая длина меж-ду точками подключения элемента связи 9 близка к нулю и СВЧ-аттенюатор имеет малую неравномерность амплитудно-частотной характеристики. Сопротивление резисторов IO u!

О

l1 выбираются равными, при этом выполняется условие где В (i) — зависящее от тока i сопротивление полупроводникового диода 5;

R — сопротивление резисторов 10 и 11;

R,„ (i) — оптимальная величина импеданса, обеспечивающего минимальную неравномерность амплитудно-частотной характеристики СВЧаттенюатора, С ростом частоты реактивная составляющая импеданса полупроводниковых диодов 2-8 увеличивается.

При этом эквивалентная схема подключения полупроводникового диода 5 может быть представлена как включение двух полупроводниковых диодов с удвоенным импедансом на расстоянии 8 друг от друга, что приводит к увеличению вносимого затухания.

Следовательно, при подключении полупроводникового диода 5 к линии передачи 1 через элемент .связи

9 создается подъем амплитудно-частотной характеристики СВЧ-аттенюатора в области верхних частот, компенсирующий завал этой характеристики, вызванный влиянием реактивностей полупроводниковых диодов

2-8.

При подключении конденсатора к внешним выводам резисторов 10 и 11, величина их сопротивления выбирается разной, при этом появляется возможность улучшения симметрии

СВЧ-аттенюатора, поскольку токи через полупроводниковые диоды 2-4 со стороны входа СВЧ-аттенюатора и токи через диоды 6-8 со стороны выхода СВЧ-аттенюатора могут быть подобраны независимо.

Между резисторами 10 и Il u реактивным элементом 12 имеется зазор, заполненный диэлектриком, для уменьшения паразитной емкости между ними и для снижения, тем самым, влияния на амплитуд-. но-частотную характеристику СВЧ-аттенюатора.

Число полупроводниковых диодов, подключенных к линии передачи 1 через элементы связи 9, составляет !

О-30 от общего числа полупровод120!928

Составитель В.Рощин

Редактор М.Товтин Техред О.Ващишина Корректор А.Обручар

Заказ 8098/54 Тираж 637 Подписное

8HHHIlH 1 осударственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 никовых диодов в СВЧ-аттенюаторе, при этом используются полупроводниковые диоды, включенные симметрично или попарно-симметрично относительно входа н выхода СВЧ-аттенюато ра,