Спусковое устройство

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (51 4 Н 03 К, 3/284

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМ,К СВИДЕТЕЛЬСТБУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3751841/24-21 (22) 13. 06. 84 (46) 15.01.86. Бюл.Р 2 (72) В.И.Турченков (53) 621.373(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Р 197686, кл. Н 03 К 3/284, 1966, Авторское свидетельство СССР

В 515256, кл. Н 03 К 3/284, 1976. (54)(57) СПУСКОВОЕ УСТРОЙСТВО, содержащее первый, второй и третий транзисторы, коллектор первого транзистора соединен с выходной шиной устройства, а база первого транзистора через первый резистор — с коллектором второго транзистора, второй и третий резисторы и шину входного напряжения, о т л и ч а юÄÄSUÄÄ 1205256 A щ е е с я тем, что. с целью расширения области использования, дополнительно введены первый и второй пороговые элементы и диод, подключенный первым выводом к выходной шине и вторым выводом через второй резистор — к коллектору третьего транзистора, база которого через последовательно соединенные третий резистор и первый пороговый элемент соединена с входной шиной и эмиттером первого транзистора, эмиттер третьего транзистора соединен с базой второго транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор третьего транзистора через последовательно соединенные четвертый резистор и второй пороговый элемент — с выходной шиной.

1 1 205

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в аппаратуре автоматики и информационно-вычислительных систем.

Целью изобретения является расши5 рение области использования и увеличение надежности за счет сокращения числа источников питания.

Достижению поставленной цели изобретения способствует стабилизация порогов срабатывания и возврата спускового устройства с помощью пороговых элементов.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема спускоl5 вого устройства.

Спусковое устройство содержит первый 1, второй 2 и третий 3 транзисторы, первый 4, второй 5, третий 6 и четвертый 7 резисторы, входную шину 8, выходную шину 9, первый пороговый элемент 10 (например, стабилитрон), второй пороговый элемент 11 (например, стабилитрон), диод 12, Первый транзистор 1 р-и-р-проводимости, второй транзистор 2 р-п-р-проводимости эмиттером соединен с общей шиной, базой с эмиттером третьего транзистора 3 р-и-р-прово30 димрсти, база которого соединена с резистором 4, между базой первого транзистора 1 и коллектором второго транзистора 2 включен резистор 5.

К коллектору транзистора 3 подсоединен вывод резистора 6, а к эмиттеру — резистор 7, входная шина 8 соединена с эмиттером транзистора

1, коллектор которого соединен с выходной шиной 9, Стабилитрон 10 катодом соединен с эмиттером транзистора 1 и анодом с вторым выводом резистора 4, Стабилитрон 11 катодом соединен с коллектором транзистора

1 и анодом с вторым выводом резистора 7. Диод 12 анодом соединен с коллектором транзистора 1, а катодом с вторым выводом резистора 6, Спусковое устройство работает следующим образом.

При входном напряжении Ug на шине 8, меньшем по величине U<, рав-ной сумме напряжений — напряжения начала проводимости порогового элемента 10 (напряжение пробоя стабилитрона) и падения напряжения между базой транзистора 3 и эмиттером транзистора 2 (напряжение начала проводимости двух последовательно соеди256 2 ненных базо-эмиттерных переходов), транзисторы 1-3 заперты и U „ равно нулю.

В этом состоянии спусковое устройство практически тока не потребляет, что является достоинством данного устройства.

В момент времени t напряжение

U „ превышает величину U „, стабилитрон 10 пробивается и через него, резистор 4 и базо-эмиттерный переход транзисторов 3 и 2 протекает ток, при этом транзистор 3 насыщается, так как ток через его коллектор в момент времени t равен нулю. Как только через эмиттер транзистора 2 начнет протекать ток, то вследствие протекания тока через коллектор и базу транзистора 2 начнет протекать ток через коллектор транзистора 1. Этот ток создает на нагрузочном сопротивлении 13 падение напряжения, которое прикладывается к аноду диода 12.

При достижении на выходной шине

9.величины напряжения, превышающего суьыу напряжений начала проводимости диода 12 и напряжение начала проводимости коллектор — эмиттер транзистора 3 и база — эмиттер транзистора 2 через коллектор транзистора

3 течет ток, который вызывает релаксационный процесс, после которого транзистор 1 насыщается и напряжение на шине 8 практически все прикладывается к выходной шине 9. Происходит лавинообразный процесс изза наличия положительной обратной связи, осуществляемой через диод

12, резистор 6, эмиттер — коллектор транзистора 3, транзистор 1, диод 12, резистор 6 и т.д.

Таким образом, в момент времени на выходе 9 формируется импульс с крутым передним фронтом, амплитуда которого равна величине U< .

В дальнейшем напряжение Бц, „повторяет напряжение Uq> .

Напряжение проводимости порогового элемента 11, например, напряжение пробоя стабилитрона устанавливается меньшим напряжения проводимости порогового элемента 10, в связи с чем в момент времени t напряжение U>, превышае1 величину

У,, равную сумме напряжений пробоя стабипитрона 11 и падения напряжения на база-эмиттерном переходе транзистора 2, поэтому через базу транзистора 2 протекает ток, 1205256

1О

20

Составитель Г. Крапива

Редактор M.Öèòêèíà Техред Ж.Кастелевич КоРректор, А.Тяско

Заказ 8538/57 Тираж 871 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва. Ж-35, Раушская наб., д.. 4/5

Филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная, 4 равный сумме токов эмиттера транзитора 3 и тока через резистор 7, Величина сопротивления резистора 7 выбирается такой, чтобы ток через него при напряжении Uq> бли ком к величине напряжения П,p был достаточным для удержания тран зистора 1 в насыщенном состоянии.

В связи с этим, если и произойдет уменьшение напряжения П до велиЬ1 чины, меньшей Бо, что приводит к запиранию транзистора 3, транзистор 1 останется в насыщенном состоянии из-за тока, протекающего через резистор 7 в базу транзистора 2.

В момент времени t величина напряжения U>1,1>. устанавливается меньше величины Uq поэтому происходит релаксационный процесс, после которого транзистор 2 и 3 закрываются и напряжение Ugq скачком становится равным нулю, т.е. сформируется задний фронт выходного импульса.

Релаксационный процесс происходит из-за наличия положительной

1 обратной связи через пороговый элемент 11, резистор 7, транзистор 2, резистор 5, транзистор 1, шины 9, пороговый элемент 11.

Повторное срабатывание спускового устройства происходит тогда, когда величина напряжения U „ превысит величину Uq и т.д.

Таким образом, преимуществом заявленного технического решения является обеспечение после срабатывания спускового устройства повторения на выходе амплитуды входного напряжения, стабилизации порогов срабатывания и возврата спускового устройства, которые определяются в основном напряжениями начала проводимости пороговых элементов 10 и 11 и мало зависят при больших коэффициентах усиления транзисторов от параметров используемых активных элементов, и большей надежности спускового устройства в связи с отсутствием источников напряжения для задания пороговых уровней.