Способ измерения коэффициента остаточного поглощения в пассивных затворах на основе кристаллов lif с f-2 - центрами окраски

 

(19)SU(11)1220475(13)A1(51)  МПК ⁶    _G02F1/35(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина:

(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ОСТАТОЧНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В ПАССИВНЫХ ЗАТВОРАХ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ LIF С F^-₂ - ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано для отработки технологии изготовления и паспортизации пассивных затворов на основе кристаллов LiF с F₂^- центрами окраски. Целью изобретения является упрощение и удешевление способа. Физическая основа способа состоит в том, что остаточное поглощение в области 0,9-1,15 мкм обусловлено центрами, обладающими широкой полосой поглощения в области 0,9-1,4 мкм. Поэтому отношение коэффициента поглощения для любой длины волны в области спектра 1,15-1,4 мкм, где F₂^- центры не поглощают, к коэффициенту остаточного поглощения в области спектра 0,9-1,15 мкм примерно постоянно и зависит только от выбранных длин волн. Это постоянное отношение и определяет эмпирический коэффициент А.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ОСТАТОЧНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ В ПАССИВНЫХ ЗАТВОРАХ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ LIF С F^-₂ -ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ в спектральной области 0,9 1,15 мкм, включающий просвечивание кристалла излучением, измерение пропускания, отличающийся тем, что, с целью упрощения и удешевления способа, просвечивают кристалл излучением от стабилизированного источника, измеряют пропускание на длине волны 1,15 1,04 мкм, а коэффициент остаточного поглощения K_н определяют по формуле
K_н Al^-1lnT^-1,
где l длина кристалла;
A эмпирический коэффициент;
T период.