Полевой транзистор

Авторы патента:

H01L29/784 - Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L 31/00-H01L 47/00,H01L 51/00 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; резисторы

Полевой транзистор с изолированным затвором, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в которой сформированы области стока и истока второго типа проводимости, затвор, подзатворный диэлектрик, к которому сформированы два контакта, расположенные по обе стороны от затвора, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования сопротивления и повышения стабильности, в подзатворном диэлектрике сформирована дополнительная область, примыкающая к двум контактам и содержащая катионные примеси концентрацией 10¹¹ - 10^-3 см^-3, отношение толщины дополнительной области к толщине подзатворного диэлектрика составляет 0,2-0,5, при этом дополнительная область удалена от поверхности подложки на расстояние, превышающее толщину туннелирования неосновных носителей заряда подложки.

Источник потенциала // 940614

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для питания высокоомных цепей, имеющих емкостный характер

Устройство ввода // 936757

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для ввода сигналов в устройствах на основе приборов с зарядовой связью

Управляемый магнитным полем пороговый переключатель // 911656

Способ капсулирования деталейрадиоэлектронной аппаратуры // 796958

Линейный формирователь сигналов изображения // 740085

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к конструкциям формирователя сигналов изображения (ФСИ)

Приемник изображения // 696904

Полупроводниковый прибор // 633396

Двухоперационный тиристор // 457421

Способ изготовления мдп-структур на основе арсенида галлия // 444507

Конструкция силового полупроводникового прибора // 2201016

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике

Монокристаллический алмаз, полученный методом химического осаждения из газовой фазы, и способ его получения // 2288302

Изобретение относится к технологии получения алмаза для использования в электронике

Мощный свч полевой транзистор с барьером шотки // 2307424

Изобретение относится к электронной технике

Устройство для регулирования физиологических процессов в биологическом объекте // 2341851

Изобретение относится к устройствам для электромагнитного воздействия на биологический объект и может быть использовано в медицине и ветеринарии для изменения биологической активности биологических объектов

Твердотельный источник электромагнитного излучения // 2344528

Гетероэлектрик // 2391743

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к материалам, воздействующим на электромагнитные поля с целью управления ими и их преобразования, и может быть использовано при создании гетероэлектриков с наперед заданными оптическими, электрическими и магнитными характеристиками

Способ определения заданного уровня тока // 2413233

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для определения заданного уровня тока в диапазоне от 150 мА и выше

Сополимеры на основе производных замещенного циклопентанонбитиофена и способ их получения // 2423392

Изобретение относится к области химической технологии высокомолекулярных соединений

Интегральная схема высоковольтного выпрямителя // 2006103

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к интегральным устройствам, работающим непосредственно от сетевого напряжения 220 В

Высоковольтная интегральная схема // 2006104

Изобретение относится к области производства ИС, в частности, к конструированию и технологии высоковольтных ИС на подложке КСДИ