Устройство для градуировки тензорезисторов

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (И) (ю4601 В 7 18

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTMA (21) 3800428/25-28 (22) 10.10.84 (46) 23. 11.86. Бюл. Ф 43 (72) Н.П. Вашеткин, В.Н. Горшихин, M.È. Мальгун, Е.В. Патокин, Г.Г.Смирнов и М.Д. Соболев (53) 531. 781. 2 (088. 8) (56) Авторское свидетельство СССР

Р 391385, кл. С 01 В 7/18, 1971

Авторское свидетельство СССР

В 485334, кл. (* 01 В 7/18, 1973. (54)(57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГРАДУИРОВКИ

ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ, содержащее основание с четырьмя шарнирными опорами, две идентичные градуировочные балки, каждая из которых установлена на двух шарнирных опорах так, что продольные оси балок параллельны одна другой, четыре тяги, каждая из которых соединена соответственно с одним из концов одной из балок, нагружающий механизм, соединенный со всеми тягами, и измеритель деформации градуировочной балки, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью повышения точности градуировки, оно снабжено двумя подпружиненными вставками, установленными между двумя балками перпендикулярно их продольным осям, и двумя уголковыми отражателями, каждый из которых закреплен в середине соответствующей вставки, а измеритель деформации градуировочной балки выО полнен в виде лазерного интерферомет- g ра, предназначенного для взаимодействия с уголковыми отражателями.

Составитель Н. Тимошенко

Редактор Т. Иванова Техред И.Попов р Корректор О. Луговая

Заказ 6497/3 Тираж 670 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий .

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r, Ужгород, ул. Проектная, 4

1 12269

Изобретение относится к измерительной технике и может быть исполь зовано для прецизионной градуировки тензорезисторов, закрепляемых на градуировочной балке. 5

Целью изобретения является повышение точности градуировки.

На чертеже представлена кинематическая схема устройства.

Устройство для градуировки тен- !О эорезисторов содержит основание 1 с четырьмя шарнирными опорами 2-5; две идентичные градуировочные балки 6 и 7, каждая из которых установлена на двух шарнирных опорах (например, опоры 2 и 3 — для балки 6 и опоры 4 и 5 — для балки 7), четыре тяги 8-11, каждая иэ которых соединена соответственно с одним концом одной из балок 6 или 7, нагружаю- 2О щий механизм (на чертеже не показан), соединенный со всеми тягами 8-11, две подпружиненные вставки 12 и 13, два уголковых отражателя 14 и 15, каждый иэ которых закреплен в середи1 25

1 не соответствующей вставки 12 или

13, и лазерный интерферометр (на чертеже не показан), предназначенный для взаимодействия с уголковыми отражателями 14 и 15. 30

Балки 6 и 7 установлены на опорах

2-5 так, что их продольные оси параллельны одна другой. Вставки 12 и 13 установлены между балками 6 и 7 перпендикулярно их продольным осям.

Устройство работает следующим образом.

59 2

При деформации балок 6 и 7 одинаковым изгибающим моментом, создаваемым тягами 8-11, точки контакта ба-. лок 6 и 7 и вставок 12 и 13 перемещаются в пространстве так, что точки, принадлежащие разным балкам, сближаются, сжимая подпружиненные вставки 12 и 13, а точки, принадлежащие одной балке, расходятся одна от другой на величину линейной деформации, созданной на обращенных одна к другой поверхностях балок 6 и 7. Это расхождение вызывает такое же по величине взаимное перемещение уголковых отражателей 14 и 15, измеряемое по обычной схеме лазерным интерферометром.

Предлагаемое устройство позволяет измерять непосредственно линейную деформацию градуировочных балок в абсолютных единицах измерения и с высокой точностью. Для перехода к значениям относительной деформации используют отношение измеренной абсолютной деформации к начальному расстоянию между точками контакта двух вставок 12 и 13 с одной и той же балкой 6 или 7. Разрешающая способность устройства составляет около

0,01 мкм. Использование этого устройства для градуировки опытных партий разрабатываемых тензорезисторов позволит более точно контролировать отклонения абсолютной чувствительности тензореэисторов в партии и тем; самым повысить качество выпускаемых тензорезисторов.