Устройство для проекционного экспонирования в микролитографии

 

Изобретение относится к проекционной литографии и может быть использовано в процессах изготовления интегральных, оптических, оптоэлектронных схем и оригиналов с субмикронными размерами элементов. Целью изобретения является улучшения качества изображения путем повышения разрешающей способности при уменьшении масштаба изображения оригинала , Ультрафиолетовьм поток от источника 1 света через прозрачные области. оригинала 2 попадает на устройство для изменения масштаба съемки, выполненное в виде набора усеченных полых конусов 3, внутренние стенки которых вьтолнены из материала, обладающего фотоэлектронной и вторичной электронной эмиссией. Под действием поЗтя между электродами 4 и 5 первичные.фотоэлектроны, вырвавшиеся из стенок конусов, многократно соударяются с этими же стенками, выбивая из них вторичные электроны. Экспонирование осуществляется потоком электронов, проникающих под действием источника 9 напряжения через электропроводящую пленку 8, 2 ил. (Л

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

К А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3699257/24-10 (22) 02.02.84 (46) 23.05.86. Вюл..Р 19 (72) Ю.Г. Аникиев, В.А. Горский, А.А.-О. Керимов, А.Е. Сычев, А.А.ТерМаркарян, Ю.А. Устинов и В.Ф. Фаловский (53) 778.588.3(088.8) (56) Электроника, 1981, Ф 22, с. 52-60.

Патент Франции N - 2487533, кл. G 03 В 27/50, опублик. 1982. (54) УСТРОЙСТВО ЛЛЯ ПРОЕКЦИОННОГО

ЭКСПОНИРОВАНИЯ В МИКРОЛИТОГРАФИИ (57) Изобретение относится к проекционной литографии и может быть использовано в процессах изготовления интегральных, оптических, оптоэлектронных схем и оригиналов с субмикронными размерами элементов. Целью изобретения является улучшения каG 03 B 27/50; С 03 F 7/20

Ф

/ ! чества иэображения путем повышения разрешающей способности при уменьшении масштаба изображения оригинала. Ультрафиолетовый поток от источника 1 света через прозрачные области, оригинала 2 попадает на устройство для изменения масштаба съемки, выполненное в виде набора усеченных полых конусов 3, внутренние стенки которых выполнены из материала, обладающего фотоэлектронной и вторичной электронной эмиссией. Под действием поля между электродами 4 и 5 первичные,фотоэлектроны, вырвавшиеся из стенок конусов, многократно соударяются с этими же стенками, выбивая из них вторичные электроны.

Экспонирование осуществляется потоком электронов, проникающих под"действием источника 9 напряжения через электропроводящую пленку 8. 2 ил.

Первичные злектроны

Тираж 436 Подписное

ВНИИПИ Заказ 27бб/47

Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к проекционной литографии и может быть использовано в процессах изготовления интегральных, оптических, оптоэлектронных схем и оригиналов с субмикронными размерами элементов.

Цель изобретения — улучшение качества изображения путем повышения разрешающей способности при уменьшении масштаба изображения оригинала.

На фиг. 1 изображено устройство, общий вид; на фиг. 2 — сечение полой трубки устройства.

Устройство содержит источник 1 света ультрафиолетового диапазона, оригинал 2, расположенный между источником 1 света и устройством изменения масштаба изображения оригинала 2, которое выполнено в виде конусов 3 со стенками из материала, обладающего фотоэлектронной и вторичной электронной эмиссией. На торцовые поверхности конусов 3 нанесены проводящие электроды 4 и 5, связанные с источником б напряжения. Пучек сужающихся конусов 3 расположен между оригиналом 2 и экспонируемой поверхностью 7 с нанесенной на нее электропроводящей пленкой 8, причем широкие торцовые поверхности набора конусов 3 обращены к оригиналу 2, а узкие — к экспонируемой поверхности 7. Положительный полюс источника 9 напряжения подключен к электропроводящей пленке 8, а отрицательный — к электродам 5, расположенным на узких торцовых поверхностях конусов 3.

Устройство работает следующим образом.

33П91 2

Ультрафиолетовый поток от источника 1 света через прозрачные области оригинала 2 попадает на широкую торцовую поверхность конуса 3, из стенок которых под действием света вырываются первичные фотоэлектроны (фиг. 2). Последние под действием поля между электродами 4 и 5 испытывают многократные соударения со стен10 ками трубки 3, выбивая из нее массу вторичных электронов. Под действием источника 9 напряжения поток электронов проникает через электропроводящую пленку 8, осуществляя экспони15 рование.

Таким образом, на экспонируемой поверхности 7 формируется уменьшенное изображение оригинала 2.

20Фор мула из обретения

Устройство для проекционного экспонирования в микролитографии, содержащее последовательно расположенные

25 источник света, средство для размещения оригинала, а также устройство для изменения масштаба съемки, выполненное в виде набора усеченных конусов, меньшее основание которых обра30 щейо к. экспонируемой поверхности, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью улучшения качества изображения путем повышения разрешающей способности при уменьшении масштаба изображения оригинала, усеченные конусы выполнены полыми, их внутренние стенки изготовлены из материала, обладающего фотоэлектронной и вторичной электронной эмиссией, а на торцах усеченных конусов расположены электроды.