Матричное индикаторное устройство

 

Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к устройствам индикации данных и к цифровым запоминающим устройствам. Изобретение позволяет упростить устройство предназначенное для индикации и хранения данных, б,лагодаря выполнению магнитных элементов памяти на одноотверстных сердечниках И5 ферромагнитного материала с отрицательным коэффициентом сопротивления, причем на поверхность каждого сердечника нанесены две металлические обкладки и слой жидкого кристалла холестерического типа. 1 ил. to со 4 оо N(

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

ÄÄSU ÄÄ 1234874 д11 4 G 09 G 3 36, б 11 С 11 06

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ /"

К А ВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3484922/24-24 (22) 12.08.82 (46) 30.05.86. Бюл. № 20 (71) Горьковский исследовательский физико-технический институт Горьковского государственного университета им. Н. И. Лобачевского (72) М. Я. Эйнгорин и Е. Е. Евдокимов (53) 681.327.66 (088.8) (56) Грошев А. A. и Сергеев В. Б. Устройство отображения информации на основе жидких кристаллов. Л.: Энергия, 1977, с. 45 — 58, рис. 31.

Патент США № 3415991, кл. 250 — 83, опублик. 1968. (54) МАТРИЧНОЕ ИНДИКАТОРНОЕ УСТРОЙСТВО (57) Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к устройствам индикации данных и к цифровым запоминаюшим устройствам. Изобретение позволяет упростить устройство предназначенное для индикации и хранения данных, благодаря выполнению магнитных элементов памяти на одноотверстных сердечниках иь ферромагнитного материала с отрицательным коэффициентом сопротивления, причем на поверхность каждого сердечника нанесены две металлические обкладки и слой жидкого кристалла холестерического типа. 1 ил.

1234874

Формула изобретения

Изобретение относится к устройствам для индикации данных, а также к цифровым запоминающим устройствам.

Целью изобретения является упрощение устройства.

На чертеже приведена схема устройства, содержащего 32с 3 магнитных элементов памяти.

Матричное индикаторное устройство содержит магнитные элементы памяти 1, выполненные на одноотверстных сердечниках из ферромагнитного материала с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. Элементы 1 прошиты адресными обмотками 2 и находятся в тепловом контакте со слоем материала, отражающие свойства которого зависят от его температуры, например жидкого кристалла материала холестерического типа. На поверхность каждого из сердечников элементов памяти 1 нанесены две изолированные одна от другой металлические области 3 и 4. Металлическая ооласть 4 подключена к шине 5 нулевого потенциала, а область 3 через соответствующий ограничительный элемент на резисторе

6 — к шине питания 7.

Устройство работает следующим образом.

На металлическую область 3 каждого из элементов памяти 1 через резистор 6 по шине

7 поступает сигнал питания (постоянный, переменный или импульсный). В силу проводимости материала сердечника между металлическими областями 3 и 4 течет ток

Iо, величина которого недостаточна для нагревания материала сердечников каждого из элементов памяти 1 до температуры, при которой заметно изменение цвета прилегаюгцих к этим элементам участков материала, отражающие свойства которого зависят от его температуры. Это температурное состояние сердечников устойчиво. Их темперута to близка к температуре окружающей среды, а омическое сопротивление велико.

При подаче сигнала выборки, например, в виде серии импульсов тока в соответствии с кодом адреса на один из элементов памяти 1 поступают сигналы по всем прошиваюшим его адресным обмоткам 2 одновременно. При этом совпадении сигналов их суммарная амплитуда близка к току насыщения. 3а счет гистерезисных потерь материал сердечника нагревается до температуры t,, его омическое сопротивление понижа5

Зо ется и ток между областями 3 и 4 возрастает до величины 1,)I,. Вследствие этого увеличения тока происходит дополHèòåëьное нагрева ние материала сердечника, дальнейшее понижение его омического сопротивления и повышение его температуры до некоторой величины t, при которой наступает тепловое равновесие сердечника с окружаюшеи средои, а величина тока между областями 3 и 4 при этом устанавливается равной I )) Io. Это состояние также является устойчивым.

Таким образом, при теплообмене с окружаюшей средой магнитные элементы памяти 1, выполненные из материала с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, имеют два устойчивых температурных ((о и 4) и, соответственно, резистивных состояния. В состоянии с температурой

tq и низким сопротивлением на элементе памяти 1 выделяется тепловая энергия, которая передается на прилегаюший к нему участок материала, отражаюшие свойства которого зависят от его температуры.

При снятии селектируюшего сигнала такое состояние элемента памяти 1 сохраняется как угодно долго, благодаря чему матричное индикаторное устройство можно использовать как запоминающее устройство с. отображением информации. Возврат в исходное состояние производится, например, при отключении питания.

Для обеспечения качественной селекции число адресных обмоток 2, прошиваюших один элемент 1, не должно быть менее трех.

Матричное индикаторное устройство, содержащее магнитные элементы памяти, прошитые адресными обмотками и покрытые слоем жидкого кристалла холестерического типа, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства, оно содержит ограничительные элементы на резисторах, а магнитные элементы памяти выполнены на одноотверстных сердечниках из ферромагнитного материала с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, на поверхность каждого из которых нанесены две металлические области, одна из которых подклк>чена к шине нулевого потенциала, а другая — через соответствующий резистор— к шине питания.

1234874

Составитель .3.,1ерю гни

Редактор М. Циткина Текред И Верее Корректор М. (амборская

Заказ 270 1/53 Тираж 455 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная. 4