Способ определения структуры магнитной поверхности

 

СООЭ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

<Е> <111 (ю46 О R3302

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВЩДТЕЛЬСТВУ

° °

Р, -(21) 3752669/18-21 (22) . 12.06.84 (46) 15.06.86. Бюл. Ф 22

{72) В.Г.Котенко. (53) 621.317.44(088.8) .. б

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЭОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (56) Бережецкий И.С. и др. Исследование структуры магнитных поверхностей стеллатора. - ЖТФ, 35, В 12, с 2168. (54)(57) .СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ МАГНИТНОЙ ПОВЕРХНОСТИ в замкнутой магнитной системе, заключающийся в инжекции вдоль силовой линии магнитного поля точечного электронного. пучка, определение положения точек пересечения траектории пучка с плоскостью сечения магнитной система и измерение времени прихода пучка в различные точки плоскости, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью увеличения точности измерения, по крайней мере в одной из точек пересечения траектории пучка с плоскостью измерений:проводят дополнительную инжекцню пучка.

Ф 12380

Изобретение относится к технике . измерения свойств магнитного поля в

-замкнутых магнитных системаХ плазменных ловушек, -например стеллараторов.

В таких ловушках силовая линия. 5 магнитного поля может совершать много обходов вдоль магнитной системы. Ино" жество таких силовых линий образуют семейство вложенных магнитных поверхностей. Область существования магнит- ® ных поверхностей является рабочей областью магнитного поля плазменной ловушки, т.е. областью. удержания плаз" мы. Свойства магнитных поверхностей (их форма, размер, положение относи- 15 тельно обмоток магнитного поля и стенок вакуумной камеры, порядок заполнения магнитной поверхности силовой линией и т.п.) обуславливают качество магнитной системы как ловушки для 20 плазмы..

Цель изобретения — увеличение точности измерения структуры магнитных поверхностей.

Поставленная цель достигается увеличением количества надежно регистрируемых обходов электронного пучка вдоль магнитной системы.

Способ осуществляют следующим образам. 30

В камеру магнитной системы (стелларатора) инжектируют точечный пучок электронов вдоль силовой магнитной линии. Электронный пучок проходит в замкнутой камере магнитной системы .несколько оборотов. Фиксируют точки и порядок прохождения электронного пучка через плоскость сечения камеры.

В одной из точек плоскости, где на-. дежно зафиксировано прохождение элект- 46 ронного пучка, вновь инжектируют пучок электронов вдоль силовой магнитной линии. По порядку прохождения пучка через плоскость сечения камеры и координатам точек пересечения судят 45 о структуре магнитной поверхности, На фиг. 1 и 2 изображены схемы реализации способа, где 1 — участок . торроидальной вакуумной камеры, А и И вЂ” сечение камеры, 2-.3 — зонды- 5б пушки для инжекции и измерения элект09 3 ронного пучка, 4 - перегородка со множеством локальных диодов.

Схема реализации, изображенная на фиг. 1, работает следующим образом.

Электронной пушкой 3 инжектируют электронный пучок. После М обходов камеры зонд-пушка 2;фиксирует электронный пучок в т. a Далее зонд:-пушка 2 инжектирует. из т. а дополнительный электронный пучок. В:т. b сечения В зонд-пушка 3 фиксирует этот дополнительный пучок. Поспе этого из т. 1 пушкой 3 инжектируют еще пучок электронов, который проходит еще К оборотов.

Схема реализации, изображенная на фиг. 2, предназначена для магнитных систем, где возможна регистрация только одного обхода пучка. В сечении А вакуумной камеры размещают перегородку. На одной стороне перегородки устанавливается подвижная пушка, на другой — множество зондов. Каждый зонд имеет заранее определенные координаты и связан со считывающим устройством. Посыпаемый пушкой 3 электронный пучок, обойдя по силовой линии вдоль системы, .попадает на один из локальных зондов. Считывающее устройство определяет номер этого зонда.

Таким образом определяется первая измеренная точка А< пересечения силовой линии с плоскостью измерений. Вторая точка А определяется точно так же в результате инжекции электронного пучка иэ точки А, куда перемещают пушку 3 (на фиг. 2 показана точками) и т.д.

При измерении структуры магнитной поверхности в замкнутой магнитной системе при однократном инжектированни электронный пучок может совершить .в камере 5. †. 15 оборотов вследствие рассеивания на остаточном газе. Способ позволяет повысить число надежных оборотов электронного пучка в системе, а следовательно, увеличить число фиксируемых точек на поверхности измерения. Это обеспечивает повышение точности измерения структуры магнитной поверхности.

1238009 усюрюйслРу фВЮЯ

Составитель А.Дивеев

Техред Л.Олейник Корректор И. Самборская

Редактор Н.Горват

Тираж 728 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий.

113035, Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 3285/46.Производственно-полиграфическое предприятие, r.yæroðîä, ул.Проектная, 4