Катодный узел электронного инжектора

 

Катодный узел электронного инжектора, содержащий осесимметрично размещенные в охлаждаемом корпусе основной катод и кольцевой вспомогательный катод, выполненный в виде полуколец, концы которых закреплены на двух токовводах, кронштейн и тепловой экран, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности узла и увеличения плотности тока пучка электронов, основной катод выполнен в виде полого усеченного конуса, у внешней поверхности которого размещен вспомогательный катод, выполненный в виде набора равноотстоящих друг от друга и от поверхности конуса полуколец, каждое из которых выполнено в виде набора одинаковых последовательно соединенных между собой П-образных элементов, концы каждого из которых закреплены в радиально ориентированных секциях кронштейна, при этом между секциями кронштейна и основным катодом введен экранирующий электрод, выполненный в виде полого усеченного конуса с бортами вдоль оснований, направленными в сторону основного катода, и отверстиями в боковой стенке, через которые пропущены концы П-образных элементов, а корпус выполнен в виде полого тора с конусообразным участком поверхности, являющим продолжением внутренней поверхности основного катода.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве катодно-подогревательных узлов (КПУ) электровакуумных и газоразрядных приборов (ГРП)

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройству электронной пушки, и может быть использовано, например, в высоковольтных ускорителях электронов для радиационной технологии

Изобретение относится к области сильноточной электроники
Изобретение относится к области получения мощных ионных пучков (МИП) и может быть использовано в ускорителях, работающих в непрерывном и импульсном режимах

Магнетрон // 2115193

Изобретение относится к ионно-оптическим ускорителям ионов и может быть использовано в ионных двигателях
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления проводящих микроострий, которые могут быть использованы, например, в производстве вакуумных интегральных микросхем
Наверх