Способ монтажа полупроводниковых приборов

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11> (51)4 В 23 К 1/00

Я р

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А BTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

И

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3446084/25-27 (22) 25.05.82 (46) 30.09.86. Бюл. 0 -36 (72) Л.Л.Вишневский (53) 621. 791. 3 (088.8) (56) Патент Японии В 175574, кл. 12В 24, 15.05.71. (54)(57) СПОСОБ MOHTAKA ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий установку кристалла на контактную площадку с предварительно нанесенным на нее припоем и нагрев до температуры пайки, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности навесного монтажа и обеспечения ремонтоспособности, между контактной площадкой и кристаллом размещают теплопроводящую пластину, предварительно присоединенную к одной as паяемых поверхностей соединяемых деталей, и нагрев под пайку осуществляют через те-. плопроводящую пластину.

1260122

Составитель Л.Абросимова

Техред А.Кравчук Корректор О.Луговая

Редактор Е.Копча

Заказ 5166/8

Тираж 1001 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к способу монтажа полупроводниковых приборов.

Цель изобретения — увеличение плотности навесного монтажа и обеспечение ремонтоспособности.

На чертеже .изображена схема монтажа прибора.

Способ осуществляют следующим образом.

На контактную площадку 1, сформированную на подложке 2, помещают теплопроводящую пластину 3 и закрепляют ее методом сварки косвенно-импульсным нагревом при U = 1,5-2,5 В; Р = 80100 Гц; о 0,2-0,3 с с помощью микроинструмента 4.

На закрепленный на контактной площадке конец теплопроводящей пластины наносят припой 5 в виде таблетки или пасты.

С помощью вакуумного пинцета 6 устанавливают полупроводниковый кристалл 7 на припой и осуществляют пайку его, при этом нагрев осуществляют микроинструментом, размещенным на свободном конце теплопроводящей пластины на расстоянии 0,5-1 мм от контактной площадки.

Для монтажа кристаллов возможно использование широкой гаммы припоев с температурой плавления от 100 до

250 С.

Размеры контактных площадок, используемых под монтаж кристаллов, не превышают размеры кристаллов и составляют 0,3-1 мм.

Предлагаемый способ монтажа транзисторных кристаллов позволяет умень1шить величину технологических зазоров между кристаллом и пассивными цепями гибридных интегральных схем и сократить длину выводов транзистора и, следовательно; величину паразитных

10 индуктивностей его электродов.

Предлагаемый метод монтажа полупроводниковых кристаллов имеет малую зону термического влияния на элементы гибридных интегральных схем, располо15 женные вокруг теплопроводящей пластины, и обеспечивает высокую ремонтоспособность (допускается 10-15-кратная замена полупроводниковых приборов).

Теплопроводящая пластина может быть временной, использоваться для монтажа и замены полупроводниковых кристаллов в процессе настройки элек25 трической схемы, а затем обреэаться или обрываться.

При постоянном ее использовании она служит затем в качестве элемента схемы.

30 Предлагаемый способ монтажа за счет использования теплопроводящей пластины обеспечивает воэможность устанавливать полупроводниковые кристаллы на контактные площадки, соизме-. римые или равные размерам монтируемо5 го кристалла.