Аналоговый интегрирующий элемент

 

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано в радиотехнике и в аналоговых вычислительных устройствах в качестве интегрирующего элемента. Целью изобретения является упрощение элемента. Интегрирующий элемент содержит токопроводящую пластину с закрепленными на ее краях двумя металлическими электродами с токовыводами , вьтолненную в виде металлической подложки с нанесенным на ней слоем селена гексагональной модификации и вьфащенным на поверхности слоя сес Sg лена проводящим слоем, легированным сульфидом кадмия. Цель изобретения достигнута благодаря новому конструктивно-технологическому решению. 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (51)4 С 06 С 7/18

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ . ."

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3755399/24-24 (22) 13.06.84 (46) 15.10.86. Бюл. Р 38 (71) Харьковский ордена Трудового

Красного Знамени и ордена Дружбы народов государственный университет им. А.M. Горького (72) В.Г. Брагин (53) 681.3(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Ф 1105753, кл. G 01 В 7/18, 1982.

Аналоговые запоминающие и адаптивные элементы/Под ред. Б.С. Сотскова.

М.: Энергия, I973, с. 184-185, рис. 6-1.

„.SU, 1264210 А1 (54) АНАЛОГОВЫЙ ИНТЕГРИРУЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ (57) Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано в радиотехнике и в аналоговых вычислительных устройствах в качестве интегрирующего элемента. Целью изобретения является упрощение элемента. Интегрирующий элемент содержит токопроводящую пластину с закрепленными на ее краях двумя металлическими электродами с токовыводами, выполненную в виде металлической подложки с нанесенным на ней слоем селена гексагональной модификации и выращенным на поверхности слоя селена проводящим слоем, легированным сульфидом кадмия. Цель изобретения достигнута благодаря новому конструктивно-технологическому решению. (,., 3 ил. 1264210

R=K!g

Изобретение относится к приборостроению и может использоваться в радиотехнике и в аналоговых вычислительных устройствах в качестве интегрирующего элемента, 5

Цель изобретения — упрощение интегрирующего элемента.

На фиг. 1 показана конструкция интегрирующего элемента; на фиг. 2— кривая функциональной зависимости. 10 тока, проходящего через интегрирующий элемент, от времени; на фиг. 3— кривая зависимости сопротивления поверхностного слоя полупроводниковой структуры от количества электричес- 15 кого заряда,.прошедшего через нее. Интегрирующий элемент содержит подложку 1, на которую нанесен слой

2 селена гексагональной модификации, и выращенный на поверхности слоя 2 селена проводящий слой 3, поверх которого закреплены металлические электроды 4 и 5. Сопротивление слоя 3 определяется омметром 6, а к электродам 4 и 5 подключен источник 7 ин,тегрирующего тока, переключатель 8 коммутирует омметр и источник тока.

Сопротивление поверхностного слоя интегрирующего элемента зависит от колнчества электрического заряда, 30 прошедшего через него, следующим образом:

Q=fj(t)de, с 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

R, Ом 32 40 49 58 68 77 87 96 105 113

40 закреплены два металлических электрода с токовыводами, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью упрощения элемента, в нем токопроводящая пластина выполнена в ниде металлической подложки с нанесенным на ней слоем селена гексагональной модификации и,выраженным на поверхности слоя селена проводящим слоем, легированным сульфидом кад50 мия.

Таким образом, по сопротивлению (точнее, по его приращению) можно определить количество электрического заряда, прошедшего через элемент

S за время t.

Формула изобретения

Аналоговый интегрирующий элемент, содержащий токопроводящую пластину, на поверхности которой по ее краям где К вЂ” коэффициент пропорциональности;

Ч вЂ” количество электрического заряда.

Эта зависимость представлена на фиг. 3. Количество электрического заряда (может быть выражено в интегральной форме как

1 где j (t) - ток, прошедший в поверхностном слое элемента;

t — время интегрирования.

На фиг. 2 условно изображен процесс интегрирования тока как функции времени.

Эксперимент, проводимый с целью исследования интегрирующего элемента, состоял в следующем. К обкладкам 4 и 5 подключали источник постоянного тока, с помощью делителя (не показан) устанавливали ток в

10 мА, через каждые 10 с источник 7 тока (фиг; 1) отключали и подключали омметр 6 с цифровой индикацией. Начальное сопротивление элемента составляло 32 Ом. Время интегрирования

100 с. Результаты. эксперимента сведены в таблицу.

Составитель А. Маслов .Редактор М. Циткина Техред Л.Сердюкова Корректор М. Самборская

Заказ 5565/51 Тираж 671 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4