Способ изолирования выводов микросхемы

 

Изобретение относится к области производства радиоэлектронной аппаратуры , а именно к изготовлению интегральных , микросхем. Цель изобретения - повышение надежности изоляции. Дпя зтого пространство между вьшодами 2 и корпусом микросхемы 1 заполняют изолирукицим материалом 3, затем нагревают до расплавления последнего и охлаждают выводы при периодическом силовом воздействии в направлении, перпендикулярном выводам 2. Силовое воздействие создают путем помещения корпуса микросхемы 1 в переменное магнитное поле. Для равномерного воздействия поля корпус микросхемы 1 в процессе нагрева и охлаждения вращают относительно оси, параллельной выводам 2. Периодические механические колебания выводов обеспечивают перемешивание изолирующего материала 3 и снижение внутренних напряжений при его затвердевании из-за однородного охлаждения, а также создают условия для выхода газовых пузырей и других примесей. 2 з.п, ф-лы, 2 ил. (/) -и Ю

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1277223 А1 (51)4 Н 01 В 19/00 Н 01 L 21 00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPGKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3805968/24-07 (22) 30.10.84 (46) 15. 12.86 . Бюл. Ф 46 (71) Ижевский механический институт (72) С.А.Смирнов, А.В.Смирнова, А.А.Штин и С.В.Леньков (53) 621.315(088.8) (56) Кондакова Л.В. и др. Стеклометаллические корпуса для полупроводниковых приборов. — М.: Энергия, 1970, с. 30. (54) СПОСОБ ИЗОЛИРОВАНИЯ ВЫВОДОВ

МИКРОСХЕМЫ (57) Изобретение относится к области производства радиоэлектронной аппаратуры, а именно к изготовлению интегральных микросхем. Цель изобретения — повышение надежности изоляции.

Для этого пространство между выводами 2 и корпусом микросхемы 1 заполняют изолирующим материалом 3, затем нагревают до расплавления последнего и охлаждают выводы при периодическом силовом воздействии в направлении, перпендикулярном выводам 2. Силовое воздействие создают путем помещения корпуса микросхемы 1 в переменное магнитное поле. Для равномерного воздействия поля корпус микросхемы 1 в процессе нагрева и охлаждения вращают относительно оси, параллельной выводам 2. Периодические механические колебания выводов обеспечивают перемешивание изолирующего материала

3 и снижение внутренних напряжений нрн его затвердевании из-за однородного охлаждения, а также создают условия для выхода газовых пузырей и пругих примесей. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

12? 7223

Изобретение относится к технологии производства. радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано при изготовлении интегральных микросхем.

Цель изобретения — повышение надежности изоляции.

На фиг. 1 представлена часть корпуса микросхемы с выводом, на фиг.2— конструкция устройства, реализующего предлагаемый способ, Пространство между корпусом 1 и выводом 2 заполняют изолирующим материалом 3 путем механической установки вывода 2 и цилиндра с отверстием, изготовленного из изолирующего материала 3. Затем изолирующий мате- риал 3 расплавляют посредством нагрева, после чего его охлаждают. При этом нагревается и охлаждается также и корпус 1 с выводом 2. В процессе нагрева и охлаждения вывод 2 подвергается периодическому перемещению посредством периодического силового воздействия в направлении, перпен-, дикулярном выводам. Крайние положения вывода 2 под воздействием периодической силы на фиг. 1 показаны пунктиром. Как видно, вывод 2 совершает в основном угловое перемещение.

Период силового воздействия на вывод 2 подбирается из условия резонанса, так как при этом амплитуда колебаний выводов максимальна.

Наиболее просто создать периодическое силовое воздействие, если по-. местить корпус микросхемы в переменное магнитное поле. При диамагнитном материале выводов или при их нагреве вьппе точки Кюри силовое воздействие возникает за счет токовихревого эффекта. При ферромагнитном материале выводов и температуре ниже точки

Кюри силовое воздействие создается главным образом за счет взаимодействия переменного магнитного поля с внутренним полем ферромагнетика.

Устройство, реализующее способ, состоит из нагревательной печи 4 с обмоткой 5, основанием 6 и крышкой 7, После установки корпусов микросхем на основание 6 в печи 4 создается необходимая для расплавления изолирующего материала 3 температура.

По виткам обмотки 5 пропускается переменный ток определенной амплитуды и частоты, который создает переменное магнитное поле, вектор напря° женности H(t) которого совершает периодические колебания в направлениях, показанных стрелками на фиг. 2, Это поле взаимодействует с выводами, создавая периодическое силовое воздействием на них в направлении, перпендикулярном выводам.

Поэтому выводы 2 (фиг. 1) совершают периодические механические колебания, за счет чего достигается повышение надежности изоляции. Основание 6 с корпусом микросхем может вращаться с некоторой постоянной угловой скоростью. При этом корпуса вращаются относительно оси, параллельной выводам, что дополнительно повышает надежность изоляции.

К основанию 6 можно также приложить переменное вращающее усилие, которое будет вращать основание 6 и корпуса микросхемы. При этом выводы микросхем будут совершать колебания и при отсутствии переменного магнитного поля;

При практической проверке способа в качестве изолирующего материала использовалось стекло, максимальная температура нагрева составляла 960 С амплитуда напряженности магнитного поля — 8 Э, частота магнитного поля

50 Гц, угловая скорость вращения основания 7 с корпусами 6 (фиг. 2)

0,628 рад/с.

55 Повьппение надежности изоляции достигается за счет повьнпения качества соединения изолирующего материала 3 с корпусом 1 и выводами 2. Повыпение качества соединения объясняется об4О легчением условий для выхода газовых пузырей и других примесей, так как колебания вывода 2 передаются изолирующему материалу 3. Кроме того, изолирующий материал 3 в расплавленном

45 состоянии перемешивается, вследствие чего при его. затвердевании снижаются внутренние напряжения из-за однородного охлаждения. Механические колебания выводов 2 улучшают условия сма50 чиваемости их изолирующим материалом

3. Процент выхода годных микросхем повьппается, кроме того, уменьшается вероятность выхода микросхемы из строя при ее эксплуатации.

Формула изобретения

1. Способ изолирования выводов микросхемы при котором пространство

1277223

Составитель Н.Зеленцова

Техред А. Кравчук Корректор M.Èàêñèìèøèíåö

Редактор M.ÒîBòèí

Тираж 643 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР но делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наЬ., д. 4/5

Заказ 6688/48

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 между выводами и корпусом микросхемы заполняют изолирующим материалом, нагревают до расплавления последнего и охлаждают, отличающийся

В тем, что, с целью повышения надеж- 5 ности изоляции, в процессе. нагрева и охлаждения выводы подвергают периодическому силовому воздействию в направлении, перпендикулярном выводам. I0

2. Способ по п. 1, о т л и ч а юшийся тем, что силовое воздействие создают путем помещения корпуса микросхемы в переменное магнитное поле, 3. Способ по пп. 1 и 2, о т л ич а ю шийся тем, что корпус микросхемы в процессе нагрева и охлаждения вращают относительно оси, параллельной выводам.