Низкотемпературный диод
Низкотемпературный диод на основе бикристалла, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и уменьшения потерь жидкого гелия, в качестве бикристалла использован металлический бикристалл с длиной свободного пробега электронов при гелиевых температурах порядка 1 мм, выполненный в виде микромостика с двумя массивными электродами, соединенными перешейком, длина которого меньше длины свободного пробега электронов, причем плоскость границы зерна целиком расположена в области перешейка.
Похожие патенты:
Мощный криотрон // 1130148
Сверхпроводящий провод // 2414769
Изобретение относится к высокотемпературным сверхпроводящим проводам
Изобретение относится к технической сверхпроводимости и конкретно может быть применено в сверхпроводящих преобразователях тока
Сандвич-структура // 1508891
Мощный криотрон // 1554050
Изобретение относится к области криогенной электротехники и может быть использовано в качестве сверхпроводящих ключей преобразователей электрической энергии
Изобретение относится к сверхпроводящим переключателям. Сущность изобретения: переключатель, осуществляющий переключение обмотки между резистивным и сверхпроводящим режимами работы, содержит корпус, который включает в себя обмотку, навитую вокруг бобины, и внутреннюю полость с хладагентом, охлаждающим обмотку. Перегородка отделяет внутреннюю полость с хладагентом от наружного резервуара с хладагентом. Перегородка имеет малые отверстия, позволяющие потоку жидкого хладагента поступать во внутреннюю полоть для охлаждения обмотки. Размер одного или нескольких малых отверстий сопоставим с размером пузырьков газообразного хладагента в жидком хладагенте при нормальных рабочих уровнях давления в системе охлаждения сверхпроводящего магнита. Изобретение позволяет усовершенствовать управление условиями охлаждения сверхпроводящего переключателя. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 3 ил.